Velocidad excepcional, alta fiabilidad, bajo consumo de energía
La memoria de alto rendimiento permite soluciones más rápidas y potentes. Samsung DDR4 ofrece velocidad máxima con mejor ancho de banda y confiabilidad usando menos energía.
Una evolución en el rendimiento
Aumento del ancho de banda, hasta 3.200 Mbps
Procesando fácilmente cargas de trabajo masivas con velocidad mejorada, la DDR4 transfiere más datos más rápido que nunca, ofreciendo 4 grupos bancarios (un total de 16 bancos) para reducir los retrasos de intercalado ,
además de 3.200 Mbps de ancho de banda y 1 TB / s de memoria del sistema.
Menos energía, mayor eficiencia
Tecnología de proceso avanzada Reduzca la potencia del núcleo y de encendido/apagado
La primera tecnología de proceso de 1x nm de Samsung permite que DDR4 consuma menos energía al tiempo que aumenta el rendimiento, reduciendo el TCO. El bajo voltaje de funcionamiento de 1.2V y la interfaz Pseudo Open Drain (POD) permiten un menor consumo de energía, utilizando un 25% menos de energía.
Fiabilidad mejorada
Bit de paridad de transmisión CRC segura para evitar errores
La fiabilidad del sistema es cada vez más crítica a medida que los centros de datos procesan cada vez más tráfico. Las características avanzadas de Samsung DDR4 garantizan una transmisión de datos superior, incluido Write CRC para ayudar a reconocer fallas de varios bits y comprobaciones de paridad para CMD / ADD para evitar fallas de funcionamiento del sistema .