Una nueva generación de chips de memoria SK hynix DDR5 ha aparecido en línea, lo que marca el debut de los circuitos integrados de matriz A de 3 GB de segunda generación. Mostrado por primera vez por Kevin Wu de Team Group en Facebook, el chip lleva la marca X021 y el código de pieza «AKBD». Según el filtrador @unikoshardware, la etiqueta X021 lo identifica como el sucesor del chip M de 3 GB utilizado en los primeros módulos DDR5. Basado en el esquema de binning interno de SK hynix, la designación «KB» en AKBD probablemente corresponde a una velocidad JEDEC nativa de 7200 MT/s siguiendo la progresión establecida por la compañía desde «EB» (4800 MT/s) hasta «HB» (6400 MT/s). Este nuevo contenedor sugiere que SK hynix está preparando circuitos integrados DDR5 más rápidos dirigidos a las plataformas Intel de próxima generación, y se espera que Panther Lake y Arrow Lake Refresh admitan hasta DDR5-7200.
Según los informes, la muestra que se muestra utiliza una PCB de 8 capas, lo que podría limitar el margen para un overclocking extremo más allá de 8000 MT / s. Para aprovechar al máximo el potencial del nuevo A-die, se espera que los fabricantes pasen a PCB de 10 o 12 capas para una mayor integridad de la señal. Si bien SK hynix aún no ha presentado oficialmente la pieza, esta aparición temprana del AKBD de 3 GB A-die insinúa que la producción ya puede estar en marcha. Para agregar algo de contexto, Samsung reinaba en los días de DDR4 con módulos de memoria de gama alta que casi siempre tenían los chips B-die seleccionados a mano por Samsung. Sin embargo, las cosas han cambiado en el mundo de la DDR5 con SK hynix tomando la delantera con sus chips A-die y M-die acaparando toda la atención.
