Kingston debuta en el mercado de las memorias CUDIMM con módulos de 24 GB
Es normal que cuando se consigue desarrollar una tecnología que permite aumentar el rendimiento de los componentes de PC la veamos por todas partes, y este es uno de los principales motivos por los que cada vez serán más las memorias que tendrán el formato CUDIMM. Esta vez, Kingston ha presentado los que son sus módulos de última generación, que buscan ofrecer la mayor frecuencia posible, sin dejar de lado otros aspectos clave como son la latencia y la capacidad de almacenamiento, y es que los Fury Renegade pueden ser lo que busquen muchas personas. Uno de los puntos clave que hemos visto en los avances tecnológicos relacionados con las piezas de un PC es la llegada de las nuevas plataformas tanto de AMD como de Intel, que permiten aumentar en gran medida algunos parámetros como es la frecuencia que ofrecen las memorias RAM, así como su capacidad. Esto implica que cada vez veremos más modelos de fabricantes reconocidos que traerán grandes novedades, aunque por lo que estamos viendo de momento, el estándar que tendrán la gran mayoría de estas nuevas memorias estará en ofrecer kits que tendrán una frecuencia de 8200 MT/s junto con una latencia CL40. Cada vez más fabricantes se unen al auge de las memorias CUDIMM Muchas de las marcas más famosas que se dedican a fabricar memorias RAM han presentado sus nuevas propuestas que se basan en el formato CUDIMM, y es que es normal que veamos una gran cantidad de ellas debido a la llegada de las nuevas generaciones de procesadores y placas base. Esto tiene que ver principalmente con el hecho de que este conjunto de componentes de nueva generación permiten tener frecuencias de RAM mucho más altos de lo que estamos acostumbrados, y es que prácticamente todas las que veremos de este estilo superarán fácilmente los 8000 MT/s. En este caso, uno de los últimos fabricantes que nos ofrece su gran novedad con respecto a estas memorias RAM es Kingston, que han desarrollado unos módulos realmente peculiares, ya que de base ofrecen una capacidad a la que es posible que todavía no estemos acostumbrados. Los nuevos Kingston Fury Renegade llegan con una capacidad de 24 GB por módulo, en un kit de dos unidades que nos permitirá aumentar la capacidad de nuestro ordenador hasta los 48 GB de memoria, con una frecuencia de 8200 MT/s, siendo este prácticamente el estándar por el que optan todos los fabricantes. Y es que hemos varias compañías que están optando por ofrecer algo similar a esto, por ejemplo, tenemos las memorias de G.Skill Trident Z, que tienen unas especificaciones muy similares, siendo módulos DDR5-8200 con una capacidad de 24 GB cada uno. Las demás características que tienen son muy similares a las demás memorias de la marca, y es que el aspecto es muy similar, mientras que no conocemos el voltaje de funcionamiento ni la sincronización completa del módulo de memoria, aunque si que sabemos que tienen una latencia CL40, que puede parecer muy alta, pero si lo combinamos con los 8200 MT/s que ofrece, es algo normal.
KLEVV ya tiene memoria CUDIMM, pero también CSODIMM para portátiles
Con los nuevos procesadores de Intel para equipos de sobremesa a la vuelta de la esquina, prácticamente todos los días hablamos de los diferentes componentes que se están presentado para sacarle el máximo partido tanto a estos como a las nuevas placas base que lo acompañan. Y con la presentación de la NVIDIA RTX 5090 cuyo TDP según diversas fuentes será de 600W, fabricantes como ASUS también están actualizado su grama de fuentes de alimentación. El último fabricante que acaba de presentar nuevos productos para los Intel Core Ultra Serie 2 es KLEVV, un fabricante de memorias y unidades de almacenamiento. Si bien es cierto que KLEVV es un fabricante muy poco conocido en Europa, realmente no es un recién llegado, ya que lleva muchos años centrando su principal actividad en China y desde hace unos meses están expandiéndose internacionalmente. Nuevas memorias CU-DIMM y CSO-DIMM de KLEVV KLEVV ha presentado sus primeros módulos de memoria CU-DIMM y CSO-DIMM para los Arrow Lake S de Intel y las placas con el chip Z890 para con los que se le puede sacar el máximo rendimiento a la memoria DDR5. La nueva gama de memoria DDR5 de KLEVV ofrecen un sustancial incremento del rendimiento gracias a la integración de CKD (Client Clock Driver) a través de un pequeño circuito integrado en el DIMM que permite mejorar la velocidad y la eficiencia tanto en aplicaciones como en juegos. Estos módulos regeneran la señal del reloj de los chips de memoria para ofrecer una mayor estabilidad y admite frecuencias de funcionamiento más elevadas reduciendo la interferencia eléctrica de los zócalos de memoria libres y ampliando su rendimiento. Estos nuevos módulos de memoria están disponibles en versiones de 16, 24, 32 y 48 GB con una velocidad de 6.400 Mb/S y una latencia de CL 52-55-52-103 a 1.1 V. Es importante señalar que este nuevo tipo de memoria no es compatible únicamente con las nuevas placas Z890 y los nuevos procesadores de Intel, sino que también se puede utilizar en los equipos ya disponibles en el mercado. Las memorias Clocked Unbuffered DIM (CU-DIMM) están diseñados no solo para consumir menos energía, algo muy importante en los equipos portátiles, sino también para ofrecer un mejor rendimiento implementando la tecnología CKD para reducir las interferencias de los zócalos de memoria no utilizados. Algunos fabricantes placas están utilizando una nueva tecnología que reduce el tamaño de los pines de contacto de los zócalos de memoria para así reducir el nivel de interferencias que producen cuando no se están utilizando. Estos nuevos módulos de memoria de KLEVV no son los primeros en llegar al mercado ya que son otra opción más que se suma a la ya disponible desde hace unas semanas a través del fabricante V-Color. Precio y disponibilidad La nueva generación de procesadores de Intel y las placas con el chip Z-890 llegarán al mercado el próximo 24 de octubre, sin embargo, estos nuevos chips de memoria tardarán un poco más. Según afirma KLEVV, los nuevos módulos de memoria CU-DIMM y CSO-DIMM llegarán al mercado antes de acabar el año y lo hará con garantía ilimitada. De momento, tampoco sabemos cuál será el precio de las diferentes capacidades en la que estarán disponibles.
DRAM+, la tecnología que combina la velocidad de la RAM y la persistencia de los SSD
Existen una gran cantidad de avances que pueden llegar a llamar la atención por las capacidades que tienen, en el caso de la informática obviamente hay proyectos que logran destacar sobre otros y en este caso uno de los que más nos ha llamado la atención es la tecnología DRAM+, un tipo de memoria no volátil que podría alcanzar grandes velocidades. La memoria RAM es comúnmente conocida por cómo funciona, es un tipo de componente que almacena datos de forma constante y extremadamente rápida pero que una vez se corta la alimentación eléctrica los elimina por completo, es decir, es volátil. A diferencia de los SSD la memoria RAM no es capaz de almacenar datos una vez el ordenador está apagado, pero esto es algo que ahora podría cambiar gracias al desarrollo de la DRAM+ ya que el objetivo es combinar la capacidad de guardar información de los SSD con la velocidad que puede alcanzar la DRAM tradicional. DRAM+, una arquitectura que combina velocidad y retención de datos Muchas de las nuevas tecnologías que se lanzan al mercado buscan mejorar en gran medida algunos aspectos que tienen los principales sectores del mercado, en el caso de la DRAM+ quiere solucionar el gran problema que tienen las memorias actuales relacionados con la persistencia de los datos, la eficiencia energética y la velocidad. Por este motivo Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda han formado una alianza para desarrollar una arquitectura híbrida que combina estos tres aspectos al sustituir los condensadores tradicionales por elementos ferroeléctricos de óxido de hafnio. Esto resulta una gran novedad ya que resuelve un gran problema con el que se habían encontrado otras compañías que estaban tratando de desarrollar algo similar pero con otros componentes, la capacidad de almacenamiento ya que otros proyectos similares no lograban superar los megabytes en términos de capacidad. Entender el objetivo de crear una tecnología de este tipo es bastante sencillo y más con el auge de la IA, al final lo que buscan es tener una memoria extremadamente rápida que pueda almacenar datos para evitar que se pierdan cuando hay un corte eléctrico. Pero las ventajas que tiene no acaban aquí ya que como bien hemos indicado antes también son más eficientes, al eliminar los ciclos de actualización puede reducir el consumo de energía en comparación con las celdas que utilizan las DRAM convencionales. En este caso las compañías parecen querer centrar el desarrollo en un mercado específico que pueda aprovechar al máximo las ventajas de tener una memoria no volátil que además resulta extremadamente rápida. Otras empresas habían comenzado a desarrollar una tecnología similar con el objetivo de lanzarla al mercado general pero no es algo que haya llamado demasiado la atención debido a que resulta más complicado de fabricar y por lo tanto es más caro, haciendo que el usuario medio no se plantee actualizar este componente. Tanto FMC y Neumonda quieren centrarse en un ámbito en el que tenga mucho más valor el hecho de que consuman menos energía, necesiten un arranque inmediato o requieran un modelo persistente como es el caso de ciertos sectores como la inteligencia artificial, la automoción, la industria general o incluso en medicina.
Lo oirás mucho a partir de ahora: ¿Qué son las memorias RAM CUDIMM?
Uno de los componentes más importantes de nuestro ordenador es la memoria RAM, también denominada memoria del sistema. Hace unos meses se anunciaba el formato CAMM2, que venía a solucionar un problema de los ordenadores portátiles. Ahora, conocemos el estándar CUDIMM, una nueva solución que permite a la memoria RAM ser un poco más inteligente y robusta. El formato CUDIMM ha sido bastante opacado por los nuevos formatos CAMM2 y LPCAMM2. Ambos formatos de memoria RAM son mucho más compactos y consumen menos que el formato SODIMM para ordenadores portátiles, algo que es extremadamente necesario. Ahora, llega el turno para la RAM destinada a ordenadores de sobremesa, con una actualización que permitirá que tengan un mejor rendimiento. No está en uso, aún, esta nueva tecnología, pero llegará en breve al mercado. Durante el Computex 2024 se presentaron los primeros módulos CUDIMM, aunque fueron opacados por CAMM2. ¿Qué es el nuevo formato CUDIMM? Mantener la integridad de la señal en los sistemas que usan memorias de alto rendimiento es un desafío importante. Las nuevas memorias Clocked Unbuffered DIMM (CUDIMM) se plantean como una solución. DDR5 permite velocidades de transferencia muy superiores al estándar anterior en el formato DIMM. El aumento de rendimiento choca directamente con las leyes de la física cuando hablamos de la electrónica de la memoria flash. Sobre todo, en el aspecto de las capacidades y rendimiento como las que vemos hoy en día. Estos desafíos se pueden superar con ciencia. CUDIMM modifica el formato DIMM sin búfer tradicional, agregando un controlador de reloj (CKD) a este nuevo diseño. Cuenta con un pequeño IC responsable de regenerar la señal de reloj que impulsa los chips de memoria. El CKD recibe una señal de reloj base y la regenera para redistribuirla a los componentes de la memoria. Dicho de manera sencilla, almacena en búfer la señal de reloj entrante y luego la amplifica en el camino de salida, impulsando la señal de reloj a los chips de memoria en el módulo DIMM. Adicionalmente, los CKD cuentan con funciones adicionales de acondicionamiento de la señal. Permite la corrección del ciclo de trabajo, permitiendo una sincronización precisa y la reducción de la inestabilidad. Además, mínima las variaciones generadas en la sincronización de la señal de reloj. También sirve para minimizar el desfase de reloj, que es la diferencia en los tiempos de llegada de la señal a los diferentes componentes. Subsana los retrasos de la propagación para cada una de las rutas de reloj. CKD garantiza que los chips de memoria y los DIMM estén completamente sincronizados. JEDEC, el organismo regulador del estándar de memoria RAM, especifica que los módulos CUDIMM están pensados para velocidades DDR5-6400 y superiores. Gracias a esta solución se conseguirá una transición fluida hacia memorias DDR5 con mayores velocidades de transferencia. Lo más importante de todo es que el formato CUDIMM son totalmente compatibles con las plataformas existentes. Dicho de otro modo, que no tendrás que cambiar de procesador y/o placa base. El CKD implica un trabajo adicional para el fabricante del módulo en cuestión. Los fabricantes (los ingenieros, concretamente) han tenido que aprender a trabajar con los CKD e implementarlos, lo cual ha llevado un tiempo. V-Color anuncia los primeros módulos CUDIMM Uno de los primeros fabricantes en utilizar este nuevo estándar ha sido V-Color en sus memorias Xfinity RGB DDR5 CUDIMM. Estas nuevas memorias permiten llegar a velocidades de transferencia de datos de hasta 9.200 MT/s. Tendremos kits Dual Channel de 32 GB (2×16 GB) y 48 GB (2×24 GB) que partirán de los 6.400 MT/s y llegarán a los 9.200 MT/s. Estas memorias apuntan a los procesadores Intel Arrow Lake, que se lanzarán en breve al mercado. Como no puede ser de otro modo, estas nuevas memorias tendrán iluminación RGB controlable mediante el software de la compañía. V-Color, de momento, no ha revelado cuando llegarán estas memorias CUDIMM con el controlador CKD. Se estima que podría llegar a finales de año, justo en el momento de lanzamiento de los Intel Arrow Lake. Tampoco ha dado detalles de los precios, pero parece evidente que serán más caros que otros modelos que no incluyen este nuevo elemento.
Adiós a la memoria RAM y al SSD: esta tecnología lo cambia todo y ya es real
Durante décadas, la informática ha vivivo «atrapada» en una dualidad: la memoria RAM es rápida pero volátil, y la memoria NAND es persistente, pero con fecha de caducidad y bastante más lenta que la RAM. Ahora, un nuevo avance científico e industrial promete derribar esta barrera: se trata de la UltraRAM, una tecnología que combina la velocidad de la RAM y que, según sus creadores, ofrece hasta 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND. El desarrollo llega de la mano de QuInAs Technology e IQE plc, dos compañías que han trabajado codo con codo durante años para hacer realidad la UltraRAM, trasladándola desde el concepto y las pruebas de laboratorio hasta su producción industrial, que va a comenzar dentro de poco. Un futuro donde velocidad y durabilidad se fusionan Según explica el white paper publicado por QuInAs en Wiley Advanced, la clave está en el uso de semiconductores como el antimonio de galio (GaSb) y antimonio de aluminio (AlSb) junto con una compleja estructura de resonancia cuántica que permite que cada celda funcione como un interruptor casi perfecto, con unos resultados que sobre el papel son increíbles: velocidades comparables a las de la memoria RAM actual, 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND y una retención de datos que podría llegar hasta 1.000 años sin degradación. Por si esto fuera poco, su consumo energético es incluso más bajo. Lo realmente llamativo de todo esto es que no hablamos de un prototipo probado en laboratorio, sino de un avance certificado para escalar hacia su producción en masa. Como señaló el CEO de IQE, Jutta Meier, se ha conseguido «un proceso epitaxial escalable para UltraRAM, un hito hacia la producción industrial de chips». Su socio, James Ashforth-Pook de QuInAs, fue más contundente diciendo que «este es el punto de inflexión que marca la transición desde la investigación universitaria hasta productos reales de memoria». Las implicaciones de este avance son muy profundas, ya que en teoría la UltraRAM podría llegar a sustituir tanto a la DRAM usada en memorias RAM como a la NAND usada en SSDs, eliminando la necesidad de tener dos tipos de memoria en el sistema. Esto supondría hitos como arranque instantáneo en ordenadores y móviles, servidores que consumen mucha menos energía y dispositivos que conservan los datos incluso pasados varios siglos. Para los usuarios de a pie como nosotros, esto supondría mucha más rapidez en cualquier dispositivo y menos tiempos de espera, y para la industria, una reducción significativa de costes y consumo energético. Característica UltraRAM (Datos de estudio) DRAM (Estándar) NAND Flash (TLC/QLC) Tipo No Volátil Volátil No Volátil Velocidad (Latencia) ~15 ns 10-15 ns 50-100 µs (microsegundos) Durabilidad (Ciclos) 10^9 (mil millones) Prácticamente ilimitada ~3.000 – 10.000 Retención de Datos +1.000 años Milisegundos (requiere refresco) ~10 años Consumo Energético 100x menor que DRAM Alto (por refresco constante) Bajo en reposo, alto en escritura Sin embargo, tampoco podemos cantar victoria todavía: la transición hacia una tecnología de este calibre no depende solo de la ciencia y de que ya exista per se, sino también de factores como los costes de fabricación, la compatibilidad con arquitecturas existentes, los estándares de la industria y, por supuesto, la mayor barrera: la voluntad de los grandes fabricantes de adoptar la tecnología. Desde luego, la UltraRAM podría ser tan revolucionaria como lo fue la NAND Flash en su día, pero todavía queda un largo camino para poder comprobar si cumple con las expectativas fuera del laboratorio. Lo que sí está claro es que, por primera vez desde hace lustros, estamos ante una alternativa real que amenaza con rediseñar desde cero el ecosistema de la memoria.
SK Hynix define el futuro de la memoria: GDDR8, DDR6, 3D, PCIe 7.0 y UFS 6.0 para smartphones a partir de 2029
SK Hynix acaba de revelar su roadmap más ambicioso hasta la fecha en el SK AI Summit 2025, una que extiende su visión tecnológica nada menos que hasta 2031. El fabricante surcoreano ya no habla solo de aumentar la densidad o la velocidad, sino de una evolución completa en torno a la Inteligencia Artificial y el PC gaming. En ese recorrido, la compañía separa claramente dos etapas: una transición agresiva entre 2026 y 2028 y una fase de consolidación entre 2029 y 2031, donde aparecerán las memorias y SSD de nueva generación. ¿Qué nos traerá el flamante nuevo líder de la industria de la memoria a nivel mundial? Dicha hoja de ruta se divide en dos bloques muy claros, con una transición en el medio de ellos donde no se esperan grandes cambios. Por ello, haremos lo propio y trataremos este artículo en dos partes para comentar las novedades que nos traerán los surcoreanos a partir del año que viene. SK Hynix muestra su nuevo roadmap hasta 2031 con grandes novedades, comenzando ya en 2026 La primera parte del plan, correspondiente a los años 2026 a 2028, marca el salto definitivo a la era HBM4 y LPDDR6. SK Hynix planea desplegar módulos HBM4 de hasta 16 capas y variantes HBM4E de 8, 12 y 16 capas destinadas a entornos de alto rendimiento, claramente para IA en concreto. En paralelo, desarrollará versiones personalizadas (Custom HBM4E) para clientes específicos del segmento de IA y supercomputación, léase NVIDIA, HBM y posiblemente Intel. En la memoria convencional aparece la LPDDR6 como nuevo estándar para portátiles y móviles, acompañada por LPDDR5X SOCAMM2, MRDIMM de segunda generación y versiones con procesamiento integrado (LPDDR6-PIM), muy esperadas, por ejemplo, por Apple. También se suma la segunda generación de CXL, la interfaz que unifica CPU, GPU y memoria en un mismo espacio coherente, clave para los centros de datos del futuro, y que promete no solamente más rendimiento, sino más coherencia y una mejor eficiencia. El almacenamiento tampoco se queda atrás: los SSD PCIe Gen 5 con capacidades de hasta 245 TB en formato QLC darán paso a modelos PCIe Gen 6 y a soluciones compactas cSSD, junto con memorias UFS 5.0 para dispositivos móviles. SK Hynix integrará además una línea de productos denominada AI-N D, pensada para unidades con soporte de aprendizaje automático a nivel de firmware y gestión predictiva del almacenamiento. Es la antesala del salto al almacenamiento realmente inteligente, donde los algoritmos optimizan la distribución de datos en tiempo real gracias a la IA. El futuro es inminente y traerá grandes novedades para terminar esta década y comenzar la siguiente El segundo bloque de la hoja de ruta, de 2029 a 2031, dibuja un futuro todavía más disruptivo. La protagonista es la llegada de la HBM5 y HBM5E, tanto en versión estándar como personalizada, que elevarán el ancho de banda y la eficiencia a niveles pensados para aceleradores de IA y GPU de nueva generación. En paralelo, la memoria convencional se renovará con GDDR7-Next, lo que ya se ha entendido entre analistas como la futura GDDR8, que irá precedida de la GDDR7X al parecer. Por otro lado, tendremos el debut de la DDR6 y 3D DRAM, todas enfocadas en aumentar la densidad y reducir la latencia en PC Gaming. SK Hynix anticipa además la tercera generación de CXL y un nuevo paradigma denominado PIM-Next, que integrará el procesamiento directamente dentro de la memoria. Como ya vimos con la LPDDR6-PIM. El almacenamiento experimentará un avance similar con los primeros SSD PCIe Gen 7 y chips NAND de más de 400 capas, una cifra que hoy parece ciencia ficción. También veremos unidades UFS 6.0 para móviles y dos familias emergentes bajo las siglas AI-N P (Storage Next) y AI-N B (HBF), que convertirán el almacenamiento en un sistema activo de análisis y distribución de datos. Por lo tanto, este roadmap hasta 2031 sitúa a SK Hynix como el actor que más lejos proyecta su desarrollo en memoria y almacenamiento, muy por delante de Samsung y Micron, evidenciando porqué está liderando el sector ahora mismo. Si se cumple, la compañía no solo acompañará la evolución del hardware de Inteligencia Artificial, sino que podría adelantarse a ella. Será interesante ver si Samsung y Micron siguen un calendario similar o si, por primera vez en años, SK Hynix marca el ritmo tecnológico en cuanto a innovación en todas las áreas y para toda la industria.
¿Dónde están las memorias CUDIMM de los principales fabricantes de RAM?
Hace unos días V-Color anunciaba sus primeras memorias DDR5 de tipo CUDIMM y ayer lo hacía Asgard. Hoy nos encontramos con que el fabricante Biwin hace lo propio con sus nuevos módulos basados en esta tecnología. Pero, ¿dónde están las memorias RAM de tipo CUDIMM de fabricantes destacados como Corsair, Kingston, G.Skill o Crucial, entre otros importantes fabricantes? Las memorias CUDIMM, explicado de manera sencilla, agrega un controlador de reloj (CKD) para regenerar la señal de reloj. Esto lo que ofrece es una mayo estabilidad en las memorias y que puedan alcanzar frecuencias de trabajo más altas. Adicionalmente, permite a las mejores un ajuste dinámico de las tensiones de funcionamiento y frecuencias de reloj. Esto lo que nos aporta es una reducción de consumo, haciendo a las memorias más eficientes. Pero, sin lugar a dudas, lo más importante es que adoptar estas memorias no supone un sobrecoste. No se requiere de una placa base específica que soporte las nuevas memorias CUDIMM. Así, si tienes una placa base que admita memorias RAM DDR5, podrás instalar estas nuevas memorias. ¿Por qué los principales fabricantes de RAM no anuncian sus módulos CUDIMM? Igual puedes pensar que agregar el CKD al módulo de memoria es algo sencillo, ya que es solo «pegar» un chip más. Realmente, esto es algo un poco más complejo, ya que modifica el funcionamiento de las memorias. Es un proceso, que si bien no es excesivamente complejo, sí requiere de un tiempo de diseño y ajuste. Eso es algo lógico, pero, ¿cómo es posible que marcas poco conocidas ya las anuncien y grandes marcas como Corsair, Kingston o Crucial, entre otras, con grandes ingenieros expertos, aún no hayan dicho nada? Cierto es que tenemos anunciadas memorias CUDIMM de V-Color, Asgard y hoy ha sido Biwin quien ha anunciado sus memorias. Pero, ¿estas están en el mercado? No, simplemente han ducho que las van a lanzar al mercado, ni siquiera han dicho que las tienen terminadas. Nos decantamos más que todo sea una estrategia de marketing de estas empresas desconocidas para llamar la atención. De las tres marcas, la única así algo conocida es Asgard, que tiene algo más de nombre, aunque sigue siendo una marca menor (con todos los respectos). Lo cierto es que ninguna ha dado una fecha de lanzamiento de estas memorias y tampoco precios. Sí que han mostrado pruebas de funcionamiento y rendimiento, pero podrían ser perfectamente módulos de muestra. Sin lugar a dudas, marcas como G.Skill, Crucial, Corsair, Kingston, ADATA y otros fabricantes de memoria RAM están trabajando en sus módulos CUDIMM. Normalmente, estas marcas anuncian sus productos cuando ya están terminados y listos para lanzarse al mercado. Es bastante probable que no los anuncien por dos motivos. El primero sería que serían anunciados o mostrados por parte de Intel en su presentación de los nuevos procesadores Arrow Lake-S. La otra posibilidad bastante lógica es que estos fabricantes de módulos DDR5 esperen hasta el CES 2025, que se celebra la segunda semana de enero en Las Vegas, Estados Unidos. Bajo nuestro punto de vista, son los dos escenarios más probables. De lo que no dudamos es de que están trabajando en el desarrollo de nuevas memorias DDR5 de tipo CUDIMM.
Que significa PC3 12800s?
¿Qué significa PC3 12800s? Memoria Kingston La memoria DDR3-1600 tiene una clasificación del módulo para PC3-12800, lo que efectivamente significa que la velocidad de transmisión de datos pico del módulo es de 12,8GB/seg (ver tabla). Esto representa casi el 17% de mejora para el ancho de banda de la memoria en relación a la DDR3-1333. ¿Qué es PC3 10700? eso de «10600», «10666» y «10700» representa el pico maximo del ancho de banda y bueno siendo que se tienen 8bits por Byte, esos numeros surgen de esta multiplicacion: 1333×8=10664 (1600×8= 12800 o PC3-12800 para las 1600mhz), pero al final depende de cada fabricante la forma en que representa/nombra a la DDR3 1333mhz … ¿Qué son las memorias DDR3? – Definición de memoria DDR3 / DDR3 memory / dual data rate memory 3/ SDRAM DDR3: tecnología de almacenamiento electrónico aleatorio lanzada comercialmente en 2008, la cuál se conforma por una tarjeta plástica rectangular con medidas típicas de 133.35 mm X 31.75 mm X 1 mm., 240 terminales distribuidas en ambos lados … ¿Qué significa las letras de la memoria RAM? La memoria RAM (random access memory) o memoria de acceso aleatorio es un tipo de memoria volátil que permite almacenar datos e instrucciones de forma temporal mientras que el sistema hace uso de ella. Una vez dejan de usarse, esos datos desaparecen. ¿Qué es la frecuencia de las memorias RAM? Frecuencia de la RAM (MHz) La frecuencia de la RAM funciona a partir de los ciclos de reloj. Cada lectura y escritura se realiza en un ciclo. La RAM se mide por el número de ciclos por segundo que puede realizar. Por ejemplo, si la RAM está clasificada a 3200 MHz, realiza 3.200 millones de ciclos por segundo. ¿Cómo saber cuál es la frecuencia de una memoria RAM? Sus frecuencias fluctúan entre 800 MHz (el estándar PC4-12800), 933 MHz (el estándar PC4-14900), 1066 MHz (el estándar PC4-17000), 1200 MHz (el estándar PC4-19200), 1333 MHz (el estándar PC4-21300), y 1600 MHz (el estándar PC4-25600). ¿Cómo interpretar los datos de una memoria RAM? El segundo método es pulsar a la vez Control + Shift + Esc. Entrarás en el Administrador de tareas, donde tienes que ir a la pestaña Rendimiento y pulsar en Memoria. Verás la cantidad de memoria RAM que tienes, y también otra información útil como su velocidad, cuántas ranuras tiene y el factor de forma. Tasa de transferencia máxima de la memoria RAM Las memorias RAM son componentes electrónicos que ejecutan comandos al ritmo de un reloj cuya frecuencia es del orden del GHz. La tasa de transferencia máxima de las memorias RAM depende de esta frecuencia y del número de comandos ejecutados en cada ciclo de reloj. Las memorias DDR actuales permiten realizar dos comandos o transferencias de datos en cada ciclo. De hecho, el acrónimo DDR significa “Double Data Rate” en inglés, es decir “doble tasa de transferencia de datos”. Por ejemplo, si la frecuencia de la memoria DDR es 1600 MHz, puede realizar 2 × 1600 = 3200 millones de transferencias por segundo. Esta tasa de transferencia se expresa en MT/s (millones de transferencias por segundo) y aparece generalmente en las especificaciones de las memorias RAM. Se confunde a menudo con la frecuencia real de la memoria expresada en MHz. Por ejemplo, un módulo de memoria DDR4-3200 puede realizar 3200 millones de transferencias por segundo (3200 MT/s) y su frecuencia es 1600 MHz. Las memorias DDR4 utilizan un bus de 8 bytes (64 bits) para la transferencia de datos, por lo que su velocidad máxima en bytes por segundo será igual a ocho veces el número de transferencias por segundo. Por lo tanto, la velocidad máxima de un módulo de memoria DDR4-3200 será de 8 × 3200 millones de bytes por segundo, o 25600 MBytes/s. Esta información se encuentra a menudo en los nombres de los módulos de memoria RAM, así por ejemplo un módulo de memoria DDR4-3200 se llama a veces también PC4-25600. Los nombres utilizados por la industria redondean a veces la velocidad máxima para simplificar; así, el número de transferencias por segundo de la memoria RAM DDR4-2933 es 2933 MT/s, pero en su nombre su velocidad máxima se redondea a 23400 MB/s (en lugar de 23466,66 MB/s). La tabla siguiente contiene la velocidad, la tasa de transferencia de datos, la frecuencia y el nombre de los módulos de memoria más comunes. Frecuencia Tasa de Transferencia Velocidad Nombre 1066.66 MHz 2133.33 MT/s 17067 MB/s DDR4-2133 / PC4-17000 1200.00 MHz 2400.00 MT/s 19200 MB/s DDR4-2400 / PC4-19200 1333.33 MHz 2666.67 MT/s 21333 MB/s DDR4-2666 / PC4-21300 1466.67 MHz 2933.33 MT/s 23467 MB/s DDR4-2933 / PC4-23400 1500.00 MHz 3000.00 MT/s 24000 MB/s DDR4-3000 / PC4-24000 1600.00 MHz 3200.00 MT/s 25600 MB/s DDR4-3200 / PC4-25600 1733.33 MHz 3466.67 MT/s 27733 MB/s DDR4-3466 / PC4-27700 1800.00 MHz 3600.00 MT/s 28800 MB/s DDR4-3600 / PC4-28800 2000.00 MHz 4000.00 MT/s 32000 MB/s DDR4-4000 / PC4-32000 2066.67 MHz 4133.33 MT/s 33067 MB/s DDR4-4133 / PC4-33000 2133.33 MHz 4266.67 MT/s 34133 MB/s DDR4-4266 / PC4-34100 2200.00 MHz 4400.00 MT/s 35200 MB/s DDR4-4400 / PC4-35200 2250.00 MHz 4500.00 MT/s 36000 MB/s DDR4-4500 / PC4-36000 2300.00 MHz 4600.00 MT/s 36800 MB/s DDR4-4600 / PC4-36800 2400.00 MHz 4800.00 MT/s 38400 MB/s DDR4-4800 / PC4-38400 2550.00 MHz 5100.00 MT/s 40800 MB/s DDR4-5100 / PC4-40800 Como regla general, cuanto mayor sea su velocidad máxima, más rápida será la memoria y mayor será su precio. Tenga en cuenta que las velocidades más rápidas no son siempre compatibles con todos los microprocesadores. Es importante consultar las especificaciones técnicas de la CPU y de la placa base para verificar cuál es la velocidad de memoria máxima admitida antes de comprar una memoria ultra-rápida. Algunos pares de microprocesador / placa base admiten a veces velocidades más altas que las documentadas, los foros que tratan del overclocking de estos componentes le proporcionarán más información sobre este tema. Arquitectura interna de las memorias DDR4 Antes de ver unas características adicionales, es importante entender la arquitectura interna de las memorias DDR4. Cada bit de información de la memoria se almacena
SK hynix Chips DDR5 «A-Die» de 3 GB de segunda generación detectados, clasificados para 7200 MT / s
Una nueva generación de chips de memoria SK hynix DDR5 ha aparecido en línea, lo que marca el debut de los circuitos integrados de matriz A de 3 GB de segunda generación. Mostrado por primera vez por Kevin Wu de Team Group en Facebook, el chip lleva la marca X021 y el código de pieza «AKBD». Según el filtrador @unikoshardware, la etiqueta X021 lo identifica como el sucesor del chip M de 3 GB utilizado en los primeros módulos DDR5. Basado en el esquema de binning interno de SK hynix, la designación «KB» en AKBD probablemente corresponde a una velocidad JEDEC nativa de 7200 MT/s siguiendo la progresión establecida por la compañía desde «EB» (4800 MT/s) hasta «HB» (6400 MT/s). Este nuevo contenedor sugiere que SK hynix está preparando circuitos integrados DDR5 más rápidos dirigidos a las plataformas Intel de próxima generación, y se espera que Panther Lake y Arrow Lake Refresh admitan hasta DDR5-7200. Según los informes, la muestra que se muestra utiliza una PCB de 8 capas, lo que podría limitar el margen para un overclocking extremo más allá de 8000 MT / s. Para aprovechar al máximo el potencial del nuevo A-die, se espera que los fabricantes pasen a PCB de 10 o 12 capas para una mayor integridad de la señal. Si bien SK hynix aún no ha presentado oficialmente la pieza, esta aparición temprana del AKBD de 3 GB A-die insinúa que la producción ya puede estar en marcha. Para agregar algo de contexto, Samsung reinaba en los días de DDR4 con módulos de memoria de gama alta que casi siempre tenían los chips B-die seleccionados a mano por Samsung. Sin embargo, las cosas han cambiado en el mundo de la DDR5 con SK hynix tomando la delantera con sus chips A-die y M-die acaparando toda la atención.
OpenAI amarra memoria y centros en Corea con Samsung y SK Hynix
La capital surcoreana ha sido escenario de una ronda de encuentros en la que OpenAI, Samsung y SK Hynix han alineado intereses para su macroiniciativa de centros de datos, conocida como Stargate. En esos contactos, se plasmó por escrito un objetivo que destaca por su envergadura: producir hasta 900.000 obleas de DRAM al mes y reforzar la construcción de infraestructuras de IA en el país. Las partes describen el paquete como una combinación de acuerdos preliminares de suministro de memoria y evaluaciones para nuevos emplazamientos. El mensaje es claro: Corea del Sur aspira a consolidarse entre los líderes en inteligencia artificial, mientras que OpenAI busca asegurar capacidad industrial y energética para sus próximos modelos. Una meta de producción que puede tensar la cadena de memoria Las obleas son discos de silicio sobre los que se fabrican chips; de cada una se obtienen numerosos circuitos que terminan siendo módulos DRAM o pilas HBM de alto rendimiento para servidores y centros de datos. El listón fijado contrasta con el mercado actual. Estimaciones del sector sitúan la capacidad global de obleas DRAM de 300 mm en torno a 2,07 millones mensuales en 2024, con una subida hacia 2,25 millones en 2025. Alcanzar 900.000 equivaldría a cerca del 39% de toda esa capacidad, una escala que ningún fabricante individual cubre por sí mismo y que ilustra la ambición del plan. La diferencia entre inferencia y entrenamiento ayuda a entender la cifra. Para entrenar modelos de nueva generación se agrupan miles de aceleradores, cada uno acompañado de grandes cantidades de memoria rápida, además de sistemas de refrigeración y potencia eléctrica a gran escala. De ahí que asegurar suministro de obleas no parezca un exceso, sino un requisito para la siguiente oleada de modelos. Al mismo tiempo, desde la industria se apunta que la demanda vinculada a Stargate podría superar ampliamente la capacidad mundial actual de HBM, reforzando el liderazgo de los grandes productores y empujando a toda la cadena de valor a invertir. Memorandos, actores implicados y nuevos centros en Corea Los documentos firmados recogen compromisos iniciales para ampliar la producción de memoria y evaluar nueva infraestructura en Corea del Sur. En ese frente, Samsung SDS participaría en el desarrollo de centros de datos, mientras que Samsung C&T y Samsung Heavy Industries estudiarían diseño y construcción. El Ministerio de Ciencia y TIC valora ubicaciones fuera del área metropolitana de Seúl y SK Telecom ha acordado analizar un emplazamiento en el suroeste del país. En paralelo, ambas compañías sopesan integrar ChatGPT Enterprise y capacidades de API en sus operaciones para optimizar flujos de trabajo e impulsar la innovación interna. El proyecto Stargate se apoya en una alianza con SoftBank, Oracle y la firma de inversión MGX, que contempla destinar 500.000 millones de dólares hasta 2029 a infraestructura de IA, con el foco puesto en Estados Unidos y efectos colaterales en ecosistemas como el surcoreano. Conviene subrayar que se trata, por ahora, de cartas de intención y memorandos: la ambición es alta, pero faltan detalles clave por cerrar. Los riesgos no son menores: posibles cuellos de botella en HBM/DRAM, necesidades eléctricas de varios gigavatios, permisos y la coordinación de proyectos con múltiples actores. El músculo de cómputo y el giro estratégico de OpenAI OpenAI viene tejiendo alianzas para elevar su capacidad de cómputo. Con Oracle y SoftBank prepara varios centros de datos de gran escala que aportarían gigavatios de potencia, mientras que NVIDIA ha anunciado inversiones de hasta 100.000 millones de dólares y el acceso a más de 10 GW mediante sus sistemas de entrenamiento. La relación con Microsoft ha sido decisiva: los desembolsos iniciales de 1.000 millones y posteriores de 10.000 millones dieron acceso a Azure, clave para entrenar modelos que impulsaron el auge de ChatGPT. Ahora, OpenAI avanza hacia infraestructuras con mayor control directo para reducir dependencia de un único proveedor. El ecosistema surcoreano también explora fórmulas novedosas junto a OpenAI, desde colaboraciones de diseño hasta conceptos como centros de datos flotantes, con el objetivo de acelerar la implantación de infraestructuras resilientes y eficientes. El mercado reaccionó con alzas notables tras los anuncios: Samsung subió en torno al 4%-5% hasta máximos de varias anualidades, mientras que SK Hynix rebotó cerca del 10% y el índice KOSPI superó los 3.500 puntos por primera vez. En conjunto, los movimientos añadieron decenas de miles de millones a su capitalización. Analistas del sector consideran que el empuje de Stargate disiparía temores sobre una caída inminente de precios en memoria HBM y podría actuar como catalizador para proveedores de equipamiento como ASML, dada la elevada demanda ligada a chips de memoria avanzada. El panorama que se abre combina ambición industrial y prudencia operativa: los memorandos dibujan una hoja de ruta que, si se materializa, aseguraría a OpenAI un caudal de memoria y nuevas instalaciones en Corea del Sur, mientras Samsung y SK Hynix afianzarían su papel en la carrera global por la IA; todo ello pendiente de cómo evolucionen la capacidad de producción, la energía disponible y los ritmos regulatorios.
