JEDEC UFS 5.0: el salto a 10,8 GB/s en almacenamiento móvil
La organización JEDEC ha presentado oficialmente el nuevo estándar UFS 5.0, diseñado para ofrecer velocidades de transferencia secuenciales de hasta 10,8 GB/s. JEDEC UFS 5.0: el nuevo estándar que alcanza hasta 10,8 GB/s Este salto representa una mejora significativa respecto a la generación anterior y marca un paso clave en el desarrollo del almacenamiento de alto rendimiento para dispositivos móviles, automotrices y de computación avanzada que suelen usar este tipo de almacenamiento. UFS 5.0 introduce mejoras sustanciales en la arquitectura del sistema, con una mayor eficiencia energética y una reducción notable en la latencia. Uno de los avances más importantes es la incorporación de la ecualización de enlace, una tecnología que mejora la integridad de la señal, permitiendo mantener altas velocidades incluso en trayectos más largos o bajo condiciones de interferencia eléctrica. Estas innovaciones buscan responder a las crecientes demandas de los dispositivos modernos, especialmente aquellos que dependen de tareas intensivas en datos como la inteligencia artificial, la realidad aumentada y las aplicaciones de computación en el borde. Gracias a estas mejoras, los futuros smartphones, consolas portátiles y sistemas integrados podrán acceder a velocidades que antes eran exclusivas de soluciones SSD de equipos de sobremesa. Comparado con UFS 4.0, que ya ofrecía un gran rendimiento, el nuevo estándar prácticamente duplica la velocidad teórica de transferencia, abriendo el camino a una nueva generación de almacenamiento embebido de alta velocidad. Aunque su adopción tomará tiempo debido a la necesidad de nuevos controladores y componentes compatibles, UFS 5.0 representa un avance clave en la evolución del almacenamiento en este segmento. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
El CEO de Phison dice que la escasez de memoria podría durar 10 años, gracias a la ‘IA’
La alta demanda de centros de datos industriales, con mucha memoria y almacenamiento de estado sólido, podría crear una crisis masiva que eleve los precios de prácticamente todos los productos electrónicos. Entre los centros de datos que brotan como margaritas y la memoria DDR4 que antes era asequible y que finalmente se desvanece en el ocaso, estamos viendo tiempos difíciles para los precios de la memoria y el almacenamiento, y eso es antes de que la agitación económica general y los aranceles compliquen aún más las cosas. Ahora, el CEO de un importante productor de hardware flash incluso advierte que podríamos estar viendo una escasez de una década. Dicho CEO es Pua Khein-Seng de Phison Electronics. Phison no tiene mucha visibilidad en el espacio del consumidor, pero es uno de los mayores fabricantes de controladores de memoria NAND del planeta. (Es muy probable que haya chips Phison en el dispositivo que está usando para leer estas palabras). En una entrevista con Tech Taiwan, Pua predijo que tendremos una escasez total de memoria el próximo año, con centros de datos hechos para aumentar la capacidad en general y productos de «IA» en particular creando una escasez de hardware en toda la industria. Eso es especialmente cierto a medida que los grandes centros de datos pasan de los discos duros convencionales (el último gran reducto para la tecnología de décadas de antigüedad) a las unidades de estado sólido. Eso inevitablemente elevaría el precio de la memoria y el almacenamiento basados en flash y, por extensión, aumentaría los precios de más o menos todos los productos electrónicos de consumo, incluidos teléfonos, PC y tarjetas gráficas. Incluso los dispositivos con electrónica integrada en su mayoría «invisibles», como monitores o auriculares, se verían afectados. Con una reducción de la inversión después de la pandemia, seguida inmediatamente por una creciente demanda de la burbuja de IA, Pua estima que podríamos ver una escasez que dure hasta una década, según TechPowerUp. Debo señalar que el CEO de un importante proveedor de controladores de memoria no es exactamente una fuente imparcial de información sobre el asunto. Phison podría estar tratando de estimular la inversión o dar cuenta de algunos tiempos difíciles en su propio futuro. Pero hablando como alguien que definitivamente está en el lado del consumidor de esta ecuación, no veo nada que esté obviamente mal en una predicción de escasez. La mayoría de los demás analistas ya predicen precios más altos a corto plazo, y ciertamente es posible que la escasez se mantenga durante varios años.
PCIe Gen 6: el primer controlador admite velocidades de hasta 28 GB/s
Silicon Motion presenta de su primer controlador SSD PCIe Gen 6 para empresas, el SM8466. Este componente, diseñado para los centros de datos más exigentes, promete duplicar las velocidades de la generación actual, alcanzando hasta 28 GB/s, y ofrecer capacidades masivas de hasta 512 TB. PCIe Gen 6: Presentan el controlador SM8466 Perteneciente a la serie MonTitan, el SM8466 se enfoca exclusivamente en el mercado empresarial. Silicon Motion ha dejado claro que los consumidores deberán esperar, ya que no se prevén SSD PCIe 6.0 para el mercado masivo hasta finales de esta década. De hecho, incluso los SSD Gen5 actuales aún no han logrado una adopción generalizada. Fabricado con el avanzado proceso de 4 nm de TSMC, el controlador SM8466 es compatible con las nuevas especificaciones NVMe 2.0+ y OCP NVME SSD 2.5. Incorpora funciones cruciales para la seguridad y la gestión de datos, como la protección de extremo a extremo, arranque seguro, cifrado AES-256 y compatibilidad con SR-IOV, garantizando la integridad y fiabilidad que el entorno empresarial requiere. El salto en rendimiento es monumental. El SM8466 no solo alcanza los 28 GB/s de velocidad de transferencia, el doble que los 14 GB/s de los SSD PCIe Gen 5 más rápidos, sino que también ofrece hasta 7 millones de IOPS (operaciones de entrada/salida por segundo). Estas cifras consolidan al SM8466 como la pieza central para la próxima generación de soluciones de almacenamiento de alto rendimiento en entornos empresariales y centros de datos. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
La primera memoria DDR5 fabricada en China sale a la venta por CXMT China
En medio de la tecnología DDR5 de mayor volumen, el principal fabricante de DRAM de China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), finalmente reveló chips DDR5 de 16 Gb al mercado. Esta misma semana, TechInsights desmontó y analizó un dispositivo comercial que reveló este hallazgo. El Gloway 16GBx2 DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) consta de dieciséis dispositivos DDR5 de 16Gb fabricados a partir de CXMT (Figura 1). El tamaño del chip DDR5 de 16 Gb mide 66,99 mm2 (8,19 mm de largo, 8,18 mm de ancho, sellado con troquel), lo que da como resultado una densidad de bits de 0,239 Gb/mm2. El troquel tiene la nueva y avanzada generación de DRAM G4 de CXMT con un tamaño de celda de 0,0020 μm2 y un tamaño de característica (F) de 16,0 nm. CXMT redujo el tamaño de la celda DRAM en un 20% con respecto al nodo DRAM G3 (F = 18.0nm) anterior (Tabla 1). Los pasos de celda miden 29,8 nm, 41,7 nm y 47,9 nm para active, wordline y bitline para cada uno, lo que corresponde a las generaciones D1z (F: 15,8 ~ 16,2 nm) de Samsung, SK hynix y Micron. CXMT proporciona DDR3L (2 Gb/4 Gb), DDR4 (4 Gb/8 Gb), LPDDR4X (6 Gb/8 Gb) y LPDDR5 (12 Gb), y ahora ha agregado dispositivos DDR5 DRAM. El fabricante de memoria produjo inicialmente la generación de DRAM G1 con 23,8 nm (D2y) y luego G2 con 18,0 nm (D1x).
Micron presenta la memoria DDR5-9200: tecnología de proceso 1γ con EUV
Micron finalmente adopta EUV para DRAM. Micron presentó hoy 25 de marzo sus dispositivos DDR5 de 16 Gb fabricados con su nuevo proceso de fabricación 1γ (1-gamma) que utiliza litografía EUV, una primicia para Micron. El nuevo motor integrado no solo ofrece un mayor rendimiento que su predecesor, sino que también consume menos energía y está preparado para ser más barato de fabricar. La compañía también dijo que su tecnología de fabricación 1γ (nodo de clase 10nm de sexta generación) eventualmente se adoptará para otros productos DRAM.
Por qué dos SSD son mejores que uno para tu PC
El ancho de banda de la competencia ralentizará las cosas, sin duda. Si está buscando acelerar su PC, debería considerar usar dos SSD en lugar de uno. Una forma de hacerlo es configurar las dos unidades en una matriz RAID 0. Esto permite combinar las velocidades de lectura y escritura de ambos SSD, lo que da como resultado impresionantes resultados de referencia. Otra forma es usar un SSD para el sistema operativo y el otro para aplicaciones y juegos. En esta guía, explicaremos cómo usar de manera efectiva dos SSD para liberar ancho de banda.
3D NAND: Investigan tecnología de plasma que duplica la velocidad de grabado
Científicos están investigando unos nuevos métodos de almacenamiento 3D NAND más rápidos que nunca gracias a la tecnología de plasma. 3D NAND: Tecnología de plasma duplica la velocidad de grabado Se está investigando cómo la tecnología de plasma logra duplicar la velocidad de la transferencia y en la densidad de los módulos de memoria 3D NAND. Esta nueva tecnología de plasma aplicada a los módulos 3D NAND, utilizado en unidades de almacenamiento en esta sólido (SSD), apila celdas de memoria unas sobre otras para obtener una mayor densidad de datos. El equipo de expertos de Lam Research, la Universidad de Colorado en Boulder y el Laboratorio de Física del Plasma de Princeton ha descubierto un nuevo método para mejorar la grabación de datos utilizando plasma de fluoruro de hidrógeno. Este nuevo método corta canales verticales a través de materiales a base de silicio dos veces más rápido que antes, alcanzando los 640 nanómetros en tan solo un minuto. «El grabado criogénico con plasma de fluoruro de hidrógeno mostró un aumento significativo en la tasa de grabado en comparación con los procesos de grabado criogénico anteriores, en los que se utilizan fuentes separadas de flúor e hidrógeno», dijo Thorsten Lill de Lam Research. «La mayoría de las personas están familiarizadas con la memoria flash NAND porque es el tipo que se encuentra en las tarjetas de memoria para cámaras digitales y unidades USB. También se utiliza en computadoras y teléfonos móviles. Hacer que este tipo de memoria sea aún más densa, de modo que se puedan empaquetar más datos en el mismo espacio, será cada vez más importante a medida que nuestras necesidades de almacenamiento de datos crezcan debido al uso de la inteligencia artificial», dijo Igor Kaganovich, un físico investigador principal de PPPL. Así como hay químicos como el trifluoruro de fósforo ayuda al proceso de grabado, existen otros componentes que relentizan el proceso, aunque los científicos pueden solucionar este problema añadiendo agua: «La sal puede descomponerse a una temperatura más baja cuando hay agua presente, lo que puede acelerar el grabado», dijo Yuri Barsukov, un ex investigador de PPPL que ahora trabaja en Lam Research. De momento, esto está en la etapa de investigación en laboratorios, así que hasta verlo en acción aun tardara un largo tiempo, pero está claro que ya se trabaja para lograr aumentar las capacidades y las velocidades de almacenamiento visto las necesidades ingentes de datos que va a exigir el futuro de la informática, sobretodo por la inteligencia artificial.
Análisis de la Kingston NV3: Increíble rendimiento de SSD en el mundo real por el precio
Este diseño sin DRAM muestra lo lejos que ha llegado la tecnología Host Memory Buffer: es muy rápida. La NV2 del año pasado de Kingston ofreció un gran rendimiento por su dinero en SSD. La NV3 de este año sigue siendo maravillosamente asequible, pero ha mejorado enormemente, incluso estableciendo un récord escribiendo nuestro archivo único de 450 GB. ¿Quién lo hubiera pensado? ¿Cuáles son las características de la Kingston NV3? La NV3 es una SSD PCIe 4.0 x4 (cuatro carriles) M.2 NVMe que utiliza un diseño sin DRAM (Host Memory Buffer/HMB) para reducir los costes. El controlador es un SM2268XG de movimiento de silicio y la NAND es QLC apilada con la etiqueta Kingston. Al menos esa es mi suposición dado el rendimiento de la caché y la calificación TBW. El tipo real de NAND y el número de capas no fueron especificados por Kingston, y la compañía dice que variará de una capacidad a otra. ¿Cuánto cuesta la Kingston NV3? La NV3 está disponible en versiones de 500GB/$54, 1TB/$77, 2TB/$154 (probadas). Se está trabajando en una versión de 4 TB, pero aún no tiene precio. Si bien la NV3 es muy económica, puede que le cueste algo de tranquilidad. La unidad tiene una garantía de solo tres años, en lugar de los cinco habituales. Además, la calificación de TBW (terabytes que se escribirán) es de unos miserables 160 TBW por TB de NAND, muy por debajo de los 250 TBW por TB de NAND que fue nuestro mínimo anterior. Ese mínimo anterior fue para una unidad QLC, de ahí nuestra especulación de que esto es lo que emplea la NV3. Por alguna razón, las perspectivas de los proveedores no son tan optimistas en cuanto a la longevidad de QLC como lo son en cuanto a la de TLC. Aún así, 160 TB es mucho escrito para el usuario promedio. ¿Qué velocidad tiene la Kingston NV3? Si bien los resultados de referencia sintéticos estuvieron un poco por debajo del promedio para un diseño HMB, los resultados en el mundo real de la NV3 fueron ligeramente mejores. Por no hablar de una gran mejora con respecto a su predecesora NV2. El Crucial P310 y el Corsair M600 Elite que se muestran en los gráficos tienen diseños de búfer de memoria host PCIe 4.0 de 2 TB con un rendimiento similar, aunque el primero es un 2230 de factor de forma pequeño (22 mm de ancho, 30 mm de largo). Aunque no está clasificada como la más rápida de las tres unidades, el rendimiento de transferencia secuencial CrystalDiskMark 8 de la NV3 sigue siendo bastante bueno. La NV3 también funcionó sorprendentemente bien en operaciones aleatorias, aunque los SSD HMB no están a la par con los diseños DRAM en este sentido. Jon L. Jacobi Si bien la NV3 fue rápida en nuestras transferencias de 48 GB, no estableció ningún récord. Donde la NV3 estableció un récord fue en la escritura de nuestro archivo de 450 GB. ¡Dulce! Tenga en cuenta que la NV2 era un SSD de 1 TB con considerablemente menos caché secundaria, además de que probablemente también empleaba QLC, de ahí el tiempo de escritura trágicamente largo. Una vez que la generosa caché secundaria (aproximadamente 600 GB de la NAND escrita como SLC) en nuestra unidad de prueba de 2 TB se agotó durante una escritura de archivo posterior de 900 GB, la NV3 también se desaceleró drásticamente, oscilando entre 80 MBps y 900 MBps, principalmente en el lado bajo. Tenga en cuenta que a medida que la unidad se llena, esta ralentización se producirá antes durante las escrituras. Sin embargo, cuando esto ocurrió en nuestras pruebas, la velocidad de transferencia pareció estabilizarse en alrededor de 220 MBps en lugar de oscilar. Esta ralentización de la escritura afectará a muy pocos usuarios, pero los profesionales que golpean constantemente su SSD pueden optar por un diseño TLC más consistente, por no hablar de uno con una clasificación TBW más alta. ¿Deberías comprar la Kingston NV3? La NV3 le brindará el 98 por ciento de la experiencia NVMe de primera calidad por mucho menos dinero. A menos que realmente tenga la intención de golpear su disco, es todo lo que la mayoría de los usuarios necesitan. Esta es una mejora fantástica con respecto a la NV2 y una buena relación calidad-precio. Esta revisión se modificó el 31 de agosto de 2024 para corregir y alinear los colores del gráfico. Cómo probamos Las pruebas de unidad actualmente utilizan Windows 11, 64 bits que se ejecutan en una combinación de placa base X790 (PCIe 4.0/5.0) / CPU i5-12400 con dos módulos Kingston Fury DDR5 de 32 GB a 4800 MHz (64 GB de memoria en total). Tanto USB de 20 Gbps como Thunderbolt 4 están integrados en el panel posterior y se utilizan gráficos Intel CPU/GPU. Las pruebas de transferencia de 48 GB utilizan un disco RAM ImDisk que ocupa 58 GB de los 64 GB de memoria total. El archivo de 450 GB se transfiere desde un Samsung 990 Pro de 2 TB que también ejecuta el sistema operativo. Cada prueba se realiza en una unidad recién formateada y recortada, por lo que los resultados son óptimos. Tenga en cuenta que en el uso normal, a medida que una unidad se llena, el rendimiento puede disminuir debido a la menor NAND para el almacenamiento en caché secundario, así como a otros factores. Esto puede ser un factor menor con la cosecha actual de SSD con NAND de última generación mucho más rápida. Advertencia: Los números de rendimiento que se muestran se aplican solo a la unidad que se nos envió y a la capacidad probada. El rendimiento de la SSD puede variar, y variará, según la capacidad debido a la mayor o menor cantidad de chips para las lecturas/escrituras de escopeta y la cantidad de NAND disponible para el almacenamiento en caché secundario. Los proveedores también intercambian componentes de vez en cuando. Si alguna vez nota una gran discrepancia entre el rendimiento que experimenta y el que informamos, por supuesto, háganoslo saber.
Análisis del SSD Crucial P3 Plus: Capacidad barata
El P3 Plus es un buen primer esfuerzo para un SSD económico más rápido con el nuevo QLC de Crucial. La Crucial P3 Plus es la primera unidad que hemos probado con el controlador E21T de Phison y el nuevo flash QLC de 176 capas de Micron. Con un precio inicial de solo 54 dólares para la capacidad de 500 GB o 94 dólares para 1 TB, está preparado para ser una opción PCIe 4.0 económica en un espectro de capacidades disponibles para uso en PC. A diferencia de muchos de los otros SSD en este punto de precio-rendimiento, el P3 Plus ofrece hasta 4 TB de almacenamiento. Y a pesar de su precio económico, la unidad ofrece un rendimiento convincente sin dejar de ser bastante eficiente. También tiene una garantía completa de cinco años y el soporte de software de Crucial. El espacio económico de SSD PCIe 4.0 se ha estado calentando durante algún tiempo con varias unidades excelentes en la mezcla, como la HP FX900, la Silicon Power UD90 y la WD SN770. El P3 Plus se distingue por el uso de QLC NAND, que permite mayores capacidades y un menor costo por GB, pero un rendimiento ligeramente menor que los mejores SSD del mercado. Si bien QLC se ha emparejado en el pasado con el controlador Phison E16 de los primeros en adoptarlo, al igual que en el Sabrent Rocket Q4, los nuevos controladores y el flash QLC de 176 capas de Micron tienen como objetivo suplantar a estas reliquias obsoletas. Las nuevas unidades son más eficientes y, a menudo, más rápidas, todas con precios accesibles. Aunque Crucial utiliza controladores propietarios en sus unidades P5 y P5 Plus, se ha remitido a las soluciones con licencia en sus modelos económicos. El P2 venía con el E13T de Phison y el P3 Plus utiliza el E21T que revisamos por primera vez en el UD90. Quedamos relativamente impresionados con el rendimiento del UD90, pero el QLC del P3 Plus no debería ser tan capaz. Es emocionante ver opciones realistas y asequibles de 2 TB y 4 TB en este espacio, especialmente porque el P3 Plus funcionaría bien en una computadora portátil. Características técnicas Producto 500 GB 1 TB 2 TB 4 TB Precios 59,99 $ 99,99 $ $ 189.99 $ 399.99 Capacidad (usuario / sin procesar) 500 GB / 512 GB 1000 GB / 1024 GB 2000 GB / 2048 GB 4000 GB / 4096 GB Factor de forma M.2 2280 M.2 2280 M.2 2280 M.2 2280 Interfaz / Protocolo PCIe 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 PCIe 4.0 x4 Controlador Phison E21T Phison E21T Phison E21T Phison E21T DRAM No (HMB) No (HMB) No (HMB) No (HMB) Memoria flash QLC de micras de 176 capas (N48R) QLC de micras de 176 capas (N48R) QLC de micras de 176 capas (N48R) QLC de micras de 176 capas (N48R) Lectura secuencial 4.700 MBps 5.000 MBps 5.000 MBps 4.800 MBps Escritura secuencial 1.900 MBps 3.600 MBps 4.200 MBps 4.100 MBps Lectura aleatoria N/A N/A N/A N/A Escritura aleatoria N/A N/A N/A N/A Seguridad N/A N/A N/A N/A Resistencia (TBW) 110 TB 220 TB 440 TB 800 TB Número de pieza CT500P3PSSD8 CT1000P3PSSD8 CT2000P3PSSD8 CT4000P3PSSD8 Garantía 5 años 5 años 5 años 5 años El Crucial P3 Plus está disponible con capacidades de 500 GB, 1 TB, 2 TB y 4 TB. La capacidad más baja no es demasiado emocionante, ya que el QLC denso funciona mejor a capacidades más altas donde el controlador tiene suficientes matrices para la paralelización. Esta unidad alcanza su punto máximo a los 2 TB con lecturas y escrituras secuenciales a 5,0 / 4,2 GBps, respectivamente. Lo más interesante es la opción de 4 TB, ya que es mucho espacio para una unidad M.2, especialmente una del segmento económico con sólo un controlador de cuatro canales. Crucial respalda esto con una garantía de 5 años, lo cual es bastante bueno. La resistencia de escritura, de 200-220 TB por TB de capacidad, es más decepcionante. El recientemente anunciado P41 Plus de Solidigm, que con el controlador SM2269XT y el QLC de 144 capas debería ser competencia directa, tiene casi el doble de TBW. Esto es interesante ya que Micron ha utilizado ese controlador en particular en su OEM 2400 con el QLC de 176 capas que se encuentra en el P3 Plus. En cambio, Solidigm utiliza el mismo QLC que se encuentra en el 670p. Tendremos que revisar el P41 Plus en el futuro para ver si su novedoso esquema de almacenamiento en caché le da una ventaja, pero por ahora, el P3 Plus al menos tiene la ventaja de una opción de 4TB. El precio de 1TB ($ 94 en el momento de la publicación) es decente, aunque no mucho más barato que la mayoría de los competidores. Sin embargo, tener opciones de 2 TB y 4 TB es muy bueno para este segmento de mercado y Crucial ya ha tenido esta unidad disponible a menos de $ 325 en esta última capacidad. Es probable que el P2 se haya vendido bien para Crucial y, como tal, el P3 y el P3 Plus están posicionados para socavar el mercado mediante el uso de QLC, particularmente a capacidades más altas. Esto lo convierte en un compromiso convincente a medida que se retiran las opciones PCIe 3.0 más antiguas, especialmente porque este hardware promete ser más eficiente. Software y accesorios Crucial tiene algunas descargas en su sitio que se aplican a esta unidad. La caja de herramientas SSD, o Crucial Storage Executive, es útil para obtener información básica sobre su unidad. También se puede usar para obtener actualizaciones de firmware y para otras funciones, aunque recomendamos no usar la función Momentum Cache, que usa parte de la DRAM de su computadora como caché. El sitio también enlaza con Acronis True Image for Crucial, que se puede utilizar para la clonación de discos y las copias de seguridad. Una mirada más de cerca El Crucial P3 Plus de 2 TB es de una sola cara con etiquetas simples que no
El fabricante chino de chips bate récords: YMTC comienza a enviar silenciosamente TLC NAND 3D de 5ª generación
Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) ha comenzado silenciosamente a enviar su memoria NAND 3D de 5ª generación con 294 capas en total, así como 232 capas activas, y los analistas de TechInsights han logrado obtener estos circuitos integrados para su análisis, informes @Jukanlosreve. Resulta que YMTC ha aumentado con éxito la densidad de bits a los niveles de sus pares de la industria, mientras que también logró la densidad de puerta vertical más alta, a pesar de las sanciones contra la empresa impuestas por los EE. UU. Sin embargo, hay un par de trampas. El chip alcanza un notable número total de capas (o puertas por cadena NAND vertical), 294, que según TechInsights es el más alto para los productos comerciales actuales. Se espera que el número de capas activas de la NAND 3D de 5ª generación de YMTC sea de 232, lo mismo que en el caso de la NAND 3D de 4ª generación de la compañía, que tiene 253 capas en total. El aumento en el número total de capas podría ser una forma de mejorar el rendimiento al aumentar la redundancia o habilitar ciertas características. Al igual que sus predecesores, el dispositivo 3D NAND utiliza el apilamiento de cadenas. Sin embargo, no está claro si Yangtze Memory utiliza dos matrices de ~147 capas o varias matrices con menos capas. En cualquier caso, las 294 capas (incluidas las capas activas y ficticias) son un hito importante para YMTC y toda la industria de la memoria flash. Generación Modelo Organización Arquitectura Capas activas Capas totales Apilamiento de cadenas Apilamiento de cadenas (capas totales) G1 X0-A030 MLC Convencional 32 39 – – G2 X1-9050 TLC Xtacking 1.0 64 73 – – G3 X2-9060 TLC Xtacking 1.0 64 73 – – G3 X2-6070 QLC Xtacking 2.0 128 141 2x64L L69+U72 G4 Prueba – Xtacking 3.0 192/196 196 ? ? G4 X3-9060 TLC Xtacking 3.0 128 141 2x64L L69+U72 G4 X3-9070 TLC Xtacking 3.0 232 253 2x116L L128+U125 G4 X3-6070 QLC Xtacking 3.0 128 ? 2x64L ? G5 X4-9060 TLC Xtacking 4.0 128 ? 2x64L ? G5 X4-9070 TLC Xtacking 4.0 232 ? 2x116L ? G6 (?) ? TLC ? 232 ? ? Fila 11 – Celda 7 232 capas activas no es un recuento de capas récord para 3D NAND, pero está en línea con los rivales. Sólo la NAND 3D de 9ª generación de 321 capas de SK hynix tiene más de 300 capas activas en la actualidad, aunque sus envíos comenzarán en el primer semestre de este año. El logro de 294 capas totales (o puertas por cadena NAND vertical) no solo posiciona a YMTC como un fuerte competidor en el mercado global de memorias flash NAND, sino que también señala un progreso significativo en la industria de semiconductores de China en medio de importantes sanciones de EE. UU. En términos de densidad de bits, el dispositivo TLC 3D de 5ª generación de YMTC supera los 20 Gb/mm², lo que parece estar en línea con lo que ofrece el G9 3D TLC NAND IC de SK hynix y está ligeramente por debajo de los 22,9 Gb/mm² que presenta el dispositivo NAND 3D QLC BICS8 de Kioxia/Western Digital BiCS8, según TechInsights. Los competidores de YMTC aún no han introducido chips 3D TLC NAND con niveles de densidad similares a los del mercado. Celda de encabezado – Columna 0 YMTC YMTC Micra Samsung (Estados Unidos) WD/Kioxia SK hynix Generación ? Xtacking 3.0/Gen 4 Generación 9 (G9) V9 BiCS 8 Generación 9 Número de capas 232 capas 232 capas 276 capas 290 capas (?) 218 capas 321 capas Densidad por mm² >20 Gb mm^2 19,8 Gb mm^2 21.0 Gb mm^2 17 Gb mm^2 22,9 Gb mm^2 (?) 20 mm^2 Arquitectura TLC QLC TLC TLC QLC TLC Capacidad del troquel 1 cucharada 1 cucharada 1 cucharada 1 cucharada 2 cucharadas 1 cucharada Velocidad de la interfaz ? ? Hasta 3600 MT/s Hasta 3200 MT/s Hasta 3600 MT/s ? Next-Gen (fecha de lanzamiento) ? Xtacking 4.0 (?) (desconocido) 3xx (desconocido) ? ? Con sus dispositivos NAND TLC 3D de 232 capas de 5ª generación, Yangtze Memory sigue utilizando la tecnología de enlace híbrido para conectar la matriz flash con la lógica y la interfaz CMOS, lo que permite a la empresa maximizar la densidad de almacenamiento y el rendimiento de E/S para los mejores SSD que suelen superar lo que ofrecen sus rivales. Los circuitos integrados 3D TLC NAND de YMTC utilizan la arquitectura Xtacking 4.0. La NAND 3D de 232 capas de YMTC con 294 puertas por cadena NAND marca un hito importante para la compañía en particular y para la industria de memoria china en general. Cabe destacar que Yangtze Memory no ha anunciado formalmente sus dispositivos NAND 3D TLC de 5ª generación, sino que ha comenzado silenciosamente sus envíos de volumen. Es posible que este movimiento se hiciera para evitar llamar la atención del gobierno de los EE. UU. y arriesgarse a más sanciones.
