Los Intel Core Ultra 200 «Arrow Lake» soportarán velocidades DDR5 de hasta 10.000 MT/s
Los próximos procesadores de sobremesa Intel Core Ultra 200 «Arrow Lake» podrían alcanzar velocidades DDR5 de entre 8.000 y 10.000 MT/s, según la última filtración difundida en la plataforma china Weibo. Dicho esto, los actuales procesadores Raptor Lake Refresh de Intel tienen dificultades para alcanzar los 8.000 MT/s, incluso con los mejores kits de memoria. Además, representa un gran avance con respecto a su contrincante AMD, cuyos chips de la serie 9000 suelen alcanzar picos de 7000 MT/s. Introducida a principios del presente año, la tecnología CUDIMM incorpora un controlador de reloj que regenera la señal de reloj, mejorando la estabilidad y permitiendo frecuencias de memoria más elevadas. De ahí que los nuevos módulos DIMM puedan alcanzar frecuencias muy superiores de MT/s en plataformas como Arrow Lake. Si bien es cierto que aún está por ver si los procesadores Arrow Lake soportarán velocidades de memoria de 10.000 MT/s desde su lanzamiento, la trayectoria de desarrollo apunta a que tales velocidades podrán alcanzarse en breve. Asgard, fabricante de memorias, ha presentado recientemente módulos CUDIMM que funcionan a 9600 MT/s, lo que deja entrever su potencial. Por su parte, los fabricantes de placas base tampoco se quedan con los brazos cruzados. Las especificaciones filtradas de la próxima placa Z890 Taichi de ASRock sugieren soporte para velocidades de memoria de hasta 9200 MT/s en configuraciones específicas, lo que supone con respecto a su predecesora un incremento de 2.000 MT/s.
clasificacion Memoria ram
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros dispositivos como impresoras TIPOS POR QUE SE PRODUCEN INCOMPATIBILIDADES EN LAS MEMORIAS RAM. Uno de los mayores problemas que se producen con los módulos de memoria RAM cuando queremos ampliar esta es el problema de las incompatibilidades. Vamos a ver realmente cuales son las causas de estas incompatibilidades. De ENTRADA, vamos a aclarar dos puntos: Ni la diferencia de capacidad de las memorias ni incluso la diferencia de velocidad de los módulos (siempre y cuando la placa base soporte las velocidades) son causa de incompatibilidad. Podemos mezclar sin problemas módulos de 256MB, 512MB y de 1GB sin que se produzca ninguna incompatibilidad entre ellos. Incluso podemos mezclar módulos PC-333 y módulos PC-400, que mientras que la placa base soporte ambos tipos tampoco tendremos problemas (aunque, eso si, el sistema se regirá siempre por la velocidad del módulo más lento). Pero aquí termina la lista de los parámetros de una memoria que no son (o pueden ser) causa de incompatibilidad entre módulos. Vamos a analizar los diferentes parámetros de una memoria que sí que son (o pueden ser) causa de incompatibilidad, aunque hay que dejar bien claro que estas incompatibilidades dependen en gran medida de los márgenes de tolerancia de la placa base, por lo que dos módulos pueden trabajar perfectamente en una determinada placa base y ser incompatibles en otra. Tipos de módulos de memoria: Los tipos de módulos más habituales en la actualidad son los módulos DDR, DDR2 y ya bastante menos los módulos SDRAM (aunque hay que aclarar que todos estos tipos son SDRAM, es decir, Synchronous Dynamic Random Access Memory, lo que se conoce normalmente por memorias SDRAM son las memorias SDR(Single Data Rate), en contraposición a las DDR (Double Data Rate). Estos módulos se han ido sustituyendo en el tiempo. Primero fueron los SDRAM, que dieron paso a los DDR y estos a los DDR2. Estos módulos son incompatibles físicamente entre ellos, pero existen una serie de placas base del tipo dualque admiten dos formatos de módulos diferentes, SDRAM y DDR o DDR y DDR2. Pero que admitan ambos tipos no quiere decir que estos se puedan mezclar. En una placa dual podemos poner módulos de un tipo o de otro, pero NO de los dos. Posición de los chips de memoria: Existen módulos de memoria que tienen los chips en una sola de sus caras y otros que tienen los chips en ambas caras (Single Side o Double Side). Esto, que a simple vista puede parecer una cuestión sin importancia, es uno de los motivos de incompatibilidades. Paridad: Los módulos con paridad trabajan a 9bits en vez de a 8 bits (8 de datos + 1 de paridad). No se pueden mezclar módulos con paridad y módulos sin paridad. En la actualidad la paridad ha sido sustituida por el el sistema ECC. Módulos ECC o NON-ECC: ECC significa Error Correcting Code, es decir, memoria con código corrector de errores. Las memorias ECCse suelen emplear sobre todo en servidores, ya que son bastante más caras que las memorias NON-ECC… y también algo más lentas. Normalmente las placas base admiten un solo tipo, pero hay placas base que admiten ambos tipos. Pero que admitan ambos tipos (ECC y NON-ECC) no significa que se puedan mezclar. Módulos Buffered y Unbuffered: La memoria unbuffered (también conocida como Unregistered) se comunica directamente con el Northbridge de la placa base, en vez de usar un sistema store-and-forward como hace la memoriaRegistered. Esto hace que la memoria sea mas rápida, aunque menos segura que la registered. Los módulos del tipo buffered (también conocidos como registered) tienen registros incorporados en sus líneas de dirección y del control. Un registro es un área de acción temporal muy pequeña (generalmente de 64 bits) para los datos. Estos registros actúan como almacenes intermedios entre la CPU y la memoria. El uso de la memoria registered aumenta la fiabilidad del sistema, pero también retarda mismo . Este tipo de memoria se suele usar sobre todo en servidores. No todas las placas suelen soportar estos módulos. No se pueden mezclar módulos de ambos tipos de memoria. Latencia CAS: La Latencia CAS (CL) (Column Address Strobe o Column Address Select) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre después de que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y antes de que los datos sean enviados a los pines de salida del módulo. Una diferencia en esta latencia CAS puede crear una incompatibilidad entre los módulos. Tiempo RAS: El Tiempo RAS (Row Address/Access Strobe) es el tiempo que tarda en colocarse la memoria en una determinada fila. Aunque este tiempo tiene mucha menos importancia que la latencia CAS también puede ser motivo de incompatibilidades. Tabla SPD: La Tabla SPD (Serial Presence Detect) es un estándar para proporcionar información automáticamente acerca de un modulo de memoria RAM. Si esta tabla está dañada o es diferente entre dos módulos es más que posible (casi seguro) que sólo va a funcionar uno de ellos. Las tablas SPD son las que permiten la configuración automática de la memoria. Voltaje del módulo: Una diferencia acusada de voltaje entre dos módulos de memoria también puede hacer que tan sólo uno de ellos funcione (normalmente el de menor voltaje). Estos no son todos los causantes de una incompatibilidad entre módulos, ya que a veces el simple hecho de que los chips sean de distinto fabricante o los módulos de diferente marca puede hacer que los módulos sean incompatibles, sobre todo en ordenadores antiguos, con placas con una muy baja tolerancia. Pero esto hace que lo mejor cuando vayamos a ampliar la memoria de nuestro ordenador (sobre todo si no es muy moderno) es que llevemos el ordenador a la tienda y que ellos comprueben que el módulo que nos venden es el correcto para nuestro equipo. Otra posibilidad es anotar exactamente todas las características de nuestro(s) modulo(s) y comprar una exactamente igual (y a ser posible de la misma marca). En cuanto al tema de las memorias en Dual Channel, las especiales características de esta
SK hynix desarrolla la 6ª generación de DDR5 de 10 nm con los primeros módulos DRAM de 16 Gb del mundo: el fabricante de chips afirma que los centros de datos pueden ahorrar hasta un 30% en electricidad
La 6ª generación de la DDR5 de SK Hynix supuestamente reducirá las facturas de electricidad de los centros de datos hasta en un 30%. La tecnología de 10 nm puede ser un nodo de proceso obsoleto para las CPU, pero para la DRAM, sigue siendo la vanguardia. SK hynix ha anunciado el desarrollo de la primera DRAM DDR5 de 10 nm de «sexta generación» del mundo. Se informa que la producción en masa se completará este año, mientras que el suministro formal comenzará el próximo año. La DRAM DDR5 de 6ª generación de SK Hynix, denominada «proceso 1c», es una evolución de su nodo de proceso 1b, construido sobre litografía de 10 nm. 1c es el primer módulo DRAM de 16 Gb de SK Hynix, supuestamente un 11% más rápido que su homólogo de la generación anterior y un 9% más eficiente energéticamente. Gracias a la eficiencia energética de su proceso 1c de 6ª generación, SK hynix cree que las facturas de electricidad de los centros de datos pueden reducirse hasta en un 30%. SK Hynix también ha aumentado su capacidad de producción en más de un 30% con su DRAM DDR5 de sexta generación, gracias al nuevo material aplicado en algunos de sus procesos de EVU y a la optimización de toda la gama de productos compatibles con EUV, lo que ha mejorado la rentabilidad. «Estamos comprometidos a proporcionar valores diferenciados a los clientes mediante la aplicación de la tecnología 1c equipada con el mejor rendimiento y competitividad de costos a nuestros principales productos de próxima generación, incluidos HBM, LPDDR6 y GDDR7», dijo el vicepresidente de desarrollo de DRAM, Kim Jonghwan. «Continuaremos trabajando para mantener el liderazgo en el espacio DRAM y posicionarnos como el proveedor de soluciones de memoria de IA más confiable». La última tecnología DRAM de 10 nm de SK hynix ayudará a mantener la competitividad de sus productos de memoria hasta que el fabricante pueda cambiar a procesos más densos. Según se informa, SK Hynix está trabajando en la tecnología DRAM 3D, que mejorará enormemente la densidad de los circuitos integrados DRAM de la futura generación en comparación con las arquitecturas salientes y, finalmente, reducirá su litografía DRAM a menos de 10 nm. Sin embargo, aún faltan algunos años para que esta tecnología DRAM 3D sea así, por lo que SK Hynix sigue desarrollando y mejorando su DRAM DDR5 de clase 10nm más tradicional.
Nuevo hito en la memoria DDR5: más capacidad y eficiencia, muy pronto
Hace relativamente poco se han lanzado las nuevas memorias RAM de estándar DDR5, que cuentan con muchas mejoras con respecto a DDR4. Entre otros, DDR5 duplican las frecuencias de funcionamiento, DDR5 reducen el consumo o Dual Channel en un único módulo. Pues bien, el fabricante SK Hynix acaba de anunciar el primer chip DDR5 de 16 Gb de la industria fabricado en el nodo 1c. Entre las principales características de DDR5, tenemos un DDR5 ancho de banda mínimo de 4.800 MT/s. Los chips de memoria ofrecen mayor densidad, pudiendo construir módulos de hasta 512 GB de capacidad. Adicionalmente, permiten crear subcanales independientes, pudiendo crear dos subcanales de 32 bits y así crear una configuración Dual Channel con un solo módulo. Precisamente, para conseguir llegar a los 512 GB por módulo (para Data Centers) se requieren de diferentes optimizaciones y mejoras en los procesos de fabricación de los chips DRAM. Algo que no es precisamente sencillo, pero que, como veremos, se está consiguiendo. SK Hynix mejora el proceso de fabricación para DDR5 Actualmente, el fabricante SK Hynix es uno de los más destacados de fabricantes de chips DRAM para memorias RAM. Acaban de anunciar el desarrollo del primer chip para DDR5 de 16 Gb de la industria bajo el nodo 1c, la sexta generación del proceso de 10 nm. Debes saber que el proceso de contracción para loas memoria DRAM en el rango de 10 nm ha ido aumentando con el paso de cada generación. Gracias a su constante innovación y desarrollo, SK Hynix es el primero en la industria en conseguir dejar atrás el proceso 1b, la quinta generación del proceso de 10 nm. La compañía asegura que están listos para producir en masa memorias DDR5 en el proceso 1c, que se empezarían a comercializar el próximo año. Explica SK Hynix que los errores derivados de un proceso tan avanzado son bastante probables durante la fabricación. Para subsanar este problema han transferido las ventajas del proceso 1b a este nuevo proceso 1c. Haber conseguido implementar con éxito este nuevo proceso, permite una mejora en la competitividad de costes, en comparación a la generación anterior. Esto ha sido posible al adoptar un nuevo material en ciertos procesos de EUV, además de optimizar todo el proceso de litografía. Destacan además una mejora en la productividad superior al 30% gracias a las innovaciones en el diseño. Comentan también que la velocidad operativa de las memorias DDR5 bajo el proceso 1c, destinadas a los Data Centers de alto rendimiento, ha mejorado en un 11% con respecto a la generación, llegando a los 8 Gbps. También destacan una mejora de la eficiencia energética que ronda el 9%. SK Hynix estima que usar módulos de memoria DDR5 de proceso 1c puede ayudar a los Data Centers a reducir los costes energéticos en hasta un 30%. Algo genial, sobre todo debido al gran avance de la inteligencia artificial, que ha generado grandes aumentos de consumos de energía. No solo el proceso 1c se utilizará para las memorias DDR5, SK Hynix en realidad ya mira al futuro con este proceso. Destacan que se usará para todo tipo de memorias DRAM, como puedan ser las HBM, LPDDR6 y GDDR7.
Micron está comprando más plantas de producción en Taiwán para expandir la producción de memorias HBM
Micron ha estado en una ola de gastos en Taiwán, donde la compañía ha estado buscando nuevas instalaciones. Micron acordó comprar no menos de tres plantas de LCD del fabricante de pantallas AUO, que se encuentran en la ciudad taiwanesa de Taichung, en el centro del país. Micron tiene previsto pagar NT$ 8.1 mil millones (~US$253.3 millones). Inicialmente, Micron estaba interesada en comprar otra planta en TaiWan de Innolux, pero fue rechazada, por lo que Micron recurrió a AUO para las compras. A principios de este año, TSMC gastó NT$17 mil millones (~US$531.6 millones) para comprar una instalación similar de Innolux, pero parece que Innolux no estaba dispuesta a desprenderse de más instalaciones este año. Se dice que las tres plantas de AUO han producido filtros de color LCD y las dos plantas habían cerrado para la producción a principios de este mes. Sin embargo, parece que, por alguna razón, la planta que aún está en funcionamiento, será arrendada por AUO y la empresa continuará produciendo filtros de color en la fábrica. La planta más grande mide 146.033 metros cuadrados, mientras que la más pequeña mide 32.500 metros cuadrados. En cuanto a los planes de Micron, no se sabe mucho en este momento, pero la compañía ha anunciado que planea usar al menos parte del espacio para pruebas de obleas frontales y que las nuevas plantas apoyarán sus fábricas de producción de DRAM actuales y futuras en Taichung y Taoyuan, que la compañía MICRON está expandiendo actualmente. Fuentes del mercado en Taiwán dicen que la atención se centrará en la memoria HBM, debido a la gran demanda de varios productos de IA en el mercado, al menos no de NVIDIA. Se espera que el acuerdo se finalice a finales de año.
LO que se debe conocer sobre la memoria ram
En la era digital, la tecnología informática ha penetrado todos los rincones de nuestras vidas. Como componente crucial de las computadoras, la RAM juega un papel vital. Este artículo proporcionará una introducción detallada al concepto básico, el principio de funcionamiento, el desarrollo técnico y las tendencias futuras de la RAM, lo que le ayudará a comprender mejor este componente esencial oculto dentro de las computadoras. ¿Qué es la memoria RAM? La RAM, también conocida como memoria de acceso aleatorio (RAM), es un dispositivo semiconductor que se utiliza para almacenar y acceder a datos temporalmente, lo que significa que los datos de la memoria se perderán cuando se corte la alimentación. La función principal de la RAM es almacenar programas y datos en ejecución, incluido el sistema operativo, aplicaciones, archivos, imágenes y videos. Permite a las computadoras acceder a la información rápidamente sin leer datos del disco duro, lo que resulta en un funcionamiento más fluido y rápido. Forma y composición de la RAM La RAM viene en varias formas, comúnmente conocidas como DIP, SIP y SO-DIMM. A medida que crece la demanda de miniaturización y portabilidad de productos electrónicos, el diseño y el factor de forma de la RAM continúan evolucionando. Estructura de RAM Capacidad de memoria RAM La capacidad de la RAM se refiere a la cantidad total de datos que la memoria puede almacenar, generalmente medida en GB (gigabytes). Las capacidades de memoria comunes incluyen 4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB y 64 GB. Las capacidades mayores permiten ejecutar más aplicaciones simultáneamente y procesar más datos a la vez, lo que reduce la frecuencia de paginación del disco duro y mejora así el rendimiento general del sistema. Generalmente, 8 GB son suficientes para el usuario promedio, 16 GB son adecuados para la mayoría de los usuarios, incluidos los jugadores y las tareas generales de oficina, y 32 GB o más son ideales para estaciones de trabajo profesionales, edición de video y procesamiento de grandes bases de datos. Consejo: La RAM es un área de preparación temporal. Una capacidad de memoria suficiente es crucial para el buen funcionamiento de la computadora. Si ejecuta demasiados programas, su computadora experimentará retrasos en los casos livianos y problemas de pantalla azul en los casos pesados. Canales de RAM El canal de RAM se refiere a la ruta de conexión entre el controlador de memoria y el módulo de memoria, que determina la eficiencia y velocidad de la transferencia de datos entre la memoria y el procesador. Nota: La cantidad de canales de RAM que admite una computadora depende del diseño de la placa base y del controlador de memoria. Puede determinar la cantidad de canales de memoria consultando el sitio web oficial o utilizando la Herramienta de información del sistema. 1. ¿Por qué utilizar dos memorias de 8GB en lugar de una de 16GB en una computadora de doble canal? Dos RAM pueden formar un canal dual, lo que permite a la CPU realizar operaciones de lectura y escritura simultáneamente, duplicando efectivamente el ancho de banda de la memoria y la velocidad de acceso a los datos, lo que conduce a una mayor eficiencia de transmisión de datos. 2. ¿Cómo formar un canal dual con dos ranuras? Inserte dos tarjetas de memoria en las dos ranuras para formar un canal dual. 3. ¿Cómo formar un canal dual con cuatro ranuras? En una placa base de cuatro ranuras, las ranuras 1 y 2 forman el primer canal, y las ranuras 3 y 4 forman el segundo canal. Inserte tarjetas de memoria en las ranuras 2 y 4 para obtener un rendimiento óptimo debido a las prioridades de cableado de la placa base. Frecuencia de la memoria RAM La frecuencia de la memoria es la cantidad de veces que se intercambian datos entre la CPU y la RAM por unidad de tiempo, generalmente en MHz (Megahercios). Las frecuencias de memoria comunes son de 3200 MHz a 7500 MHz; una frecuencia más alta da como resultado una transferencia de datos más rápida, lo que mejora el rendimiento del sistema. La memoria de mayor frecuencia suele funcionar mejor en juegos y aplicaciones que requieren mucho procesamiento de datos. Overclocking de memoria RAM El overclocking de memoria implica aumentar la frecuencia de la memoria y optimizar la configuración de sincronización para mejorar el rendimiento del sistema. Si bien puede mejorar el rendimiento, conlleva riesgos. Cambiar la frecuencia operativa más allá de la configuración de fábrica mediante el ajuste del BIOS de la placa base puede causar que el sistema funcione de manera inestable o no pueda ingresar al sistema. Desarrollo de tecnología de memoria RAM Las generaciones de RAM indican diferentes etapas de desarrollo de la tecnología de memoria. Cada generación ha mejorado el rendimiento, el consumo de energía y la capacidad: Tendencias futuras en RAM 1. Mayor capacidad y densidad: La capacidad y densidad de la RAM seguirán creciendo para satisfacer las demandas de la informática de alto rendimiento y el análisis de big data. 2. Velocidades más altas: Las velocidades aumentarán significativamente con el desarrollo de DDR5 y futuras iteraciones como DDR6 o GDDR6, mejorando el rendimiento del sistema, especialmente en aplicaciones que requieren un gran ancho de banda. 3. Menor consumo de energía: Reducir el consumo de energía será crucial, particularmente para los dispositivos móviles y los centros de datos. La memoria de bajo consumo ayudará a prolongar la vida útil de la batería y reducir el uso de energía. 4. Tecnología de apilamiento 3D: Esto aumentará la capacidad y el rendimiento de la memoria, haciendo que la RAM sea más eficiente y compacta. 5. Nuevas tecnologías de memoria: Innovaciones como 3D XPoint, MRAM y RRAM ofrecerán velocidades más rápidas y mayor resistencia, revolucionando el almacenamiento de memoria. 6. Módulos de memoria inteligentes: La RAM futura puede integrar funciones de gestión inteligente para mejorar la confiabilidad y el rendimiento del sistema. 7. Optimización para IA y aprendizaje automático: La RAM se optimizará para aplicaciones de inteligencia artificial y aprendizaje automático, proporcionando mayor ancho de
Pros y contras de los canales de distribución
Uno de los mayores desafíos que enfrenta el negocio moderno es la creación de canales de distribución. Cuando se toma la decisión de vender a través de ellos, debe existir un equilibrio que permita a la organización satisfacer las necesidades de sus clientes sin dejar de mantener un nivel de rentabilidad. Cuando estos canales se crean con éxito, la posibilidad de generar más oportunidades se vuelve accesible. Si no se crean con éxito, entonces la empresa puede estar un paso más cerca de cerrar definitivamente. ¿Su empresa debería vender a través de canales de distribución? No siempre es necesario crear estos canales para sentar las bases del éxito financiero. Éstos son algunos de los pros y contras clave a considerar sobre el tema ¿Cuáles son las ventajas de los canales de distribución? Debido a que las ventas se manejan a través del canal de distribución en lugar de directamente al cliente final, la capacidad de vender se vuelve más fácil y eficiente. En lugar de un enfoque individualizado, el canal de distribución puede llegar a varios usuarios finales simultáneamente con un mensaje coherente. Esto genera menos gastos a cambio 2. Hay opciones disponibles que permiten una distribución rápida Las entregas masivas son mucho más fáciles de lograr con un buen canal de distribución. Debido a que los canales están automáticamente en contacto con los usuarios finales, implementar un contacto para un grupo demográfico específico es fácil y entregar los productos deseados es aún más fácil
¿Qué es la memoria RAM y qué hace?
La RAM es un componente de hardware crucial de su equipo; sin ella, el equipo no funcionará. Siga leyendo para saber qué hace exactamente la memoria RAM y para qué se usa. A continuación, libere la memoria RAM y limpie otros recursos del ordenador con una herramienta de optimización de ordenadores especializada. ¿Qué es la RAM? RAM son las siglas en inglés de memoria de acceso aleatorio y es el componente de almacenamiento temporal (memoria a corto plazo) de un equipo. La RAM contiene todos los datos que está utilizando actualmente, desde el sitio web que está viendo hasta el movimiento del ratón de un lado de la pantalla al otro. Cada vez que hace algo en el ordenador, ejecuta un montón de procesos. Cuando escribe una frase, guarda un documento o entra en un videojuego, la memoria RAM se encarga de todo ese trabajo. Y es mucho más fácil (y rápido) realizar esas tareas si los datos se almacenan en la memoria RAM del ordenador, donde son fácilmente accesibles, en lugar de en el disco duro (SSD o HDD). Ahora que sabe lo que es la memoria RAM y lo que significa, tendrá una idea mucho mejor de cómo ayuda al ordenador a agilizar su trabajo. ¿Qué hace la memoria RAM? La memoria RAM almacena los datos que ayudan al ordenador a realizar sus tareas más importantes, como cargar aplicaciones, navegar por Internet y editar documentos. Gracias a la RAM puede abrir aplicaciones y archivos con rapidez, ya que el ordenador puede encontrar los datos en su memoria a corto plazo con facilidad. Mantener la información que suele usar fácilmente accesible ayuda a que el equipo funcione con una mayor rapidez. Como memoria a corto plazo, la RAM está diseñada para trabajar con pequeños fragmentos de datos a la vez. Por ejemplo, cuando hace clic en un enlace para ir a una nueva página web, una serie de condensadores y transistores (interruptores, básicamente) situados en la placa de circuitos de la RAM se encienden o se apagan, lo que permite al ordenador traducir el enlace en la página web que usted ve. Si está trabajando en un documento o en una hoja de cálculo y quiere guardar su trabajo para utilizarlo más tarde, pasará de estar almacenado en la memoria RAM, donde se puede encontrar de inmediato, al almacenamiento a largo plazo del disco duro. Y el equipo tendrá que trabajar más para sacar los datos del disco duro (memoria a largo plazo). Cuando se trabaja con la memoria RAM, se puede acceder a los datos en cualquier orden: es un acceso aleatorio, no secuencial. La RAM está conectada directamente a la placa base del ordenador, lo cual permite obtener las velocidades más rápidas posibles. Cuanta más memoria RAM tenga, mejor será el rendimiento de su equipo. Una de las cosas que ocupa gran parte de la capacidad de la memoria RAM es el sistema operativo, y es posible que se vea lastrado por archivos no deseados u otros datos innecesarios. Mientras tanto, algunos procesos en segundo plano tienden a funcionar todo el tiempo, incluso cuando no es necesario. Afortunadamente, AVG TuneUp es una herramienta dedicada a la eliminación del junkware que también cuenta con un modo de reposo integrado, que desactiva los procesos en segundo plano innecesarios para liberar la memoria RAM. Pruébelo hoy mismo para agilizar el equipo y obtener más espacio para lo que realmente necesita. ¿Por qué es importante la RAM? La RAM puede procesar los datos a una velocidad de vértigo. Su capacidad para acceder de forma aleatoria a los datos significa que puede llegar a cualquier punto de la memoria RAM con la misma rapidez que a cualquier otro punto. La memoria RAM se encuentra en la parte superior del procesador, por lo que puede realizar tareas aparentemente de forma instantánea. La RAM es lo que usted utiliza para ejecutar básicamente cualquier proceso en su equipo. Puede examinar el contenido del disco duro y revisar las carpetas y los archivos, claro, pero abrir cualquiera de esos archivos significa extraer una copia y colocarla en la memoria RAM. Solo allí se pueden leer y escribir datos en nanosegundos. Por ejemplo, cuando edita un archivo de Microsoft Word, quizás piense que está trabajando directamente dentro de las carpetas de su disco duro. Pero, en términos informáticos, el disco duro está bastante lejos de su estación de trabajo. La memoria RAM coloca la información que necesita justo delante de su procesador. Imagínese que quiere leer un párrafo de su libro favorito: puede pedirle a un amigo que se lo lea por teléfono (como si llamara al disco duro), o simplemente puede coger el libro y leerlo usted mismo. Si tuviera que depender únicamente del disco duro, el ordenador se ralentizaría hasta el punto de que su memoria se sobrecargaría tratando de encontrar toda la información necesaria para llevar a cabo un trabajo normal. Y no se moleste en intentar arrancar el ordenador sin RAM, porque tan solo verá un mensaje de error. Diferentes tipos de RAM Hay dos tipos principales de RAM: SRAM y DRAM. La ventaja de la SRAM es que usa menos energía y se puede acceder a los datos más rápidamente, pero tiene un coste de fabricación mayor. La ventaja de la DRAM es que es más barata y ofrece mayor capacidad de memoria, pero también es un poco más lenta al acceder a los datos y consume más energía. Otro tipo de RAM es la SDRAM, que es un subconjunto de la DRAM. La SDRAM (RAM dinámica síncrona) conecta la RAM con el reloj del sistema del ordenador. Al sincronizar la memoria con el reloj del sistema, su memoria se acelera. El pulso del reloj del sistema puede representarse como una onda sinusoidal. En cada pico de la onda, la SDRAM transmite datos. La DDR (doble velocidad de datos) es una nueva tecnología que permite enviar datos cada vez que se pasa por la parte «inferior» del pulso (el valle de onda sinusoidal). Con la DDR, los datos se envían dos veces durante cada ciclo de reloj, por lo que se obtienen velocidades dos
¿Qué pasa si mezclas módulos de memoria RAM distintos en tu PC?
Los juegos cada vez piden mayor cantidad de RAM en sus requisitos, así que es bastante normal que si ves que se te queda corta la cantidad de memoria RAM en tu PC, busques realizar una ampliación. Además, ahora mismo este componente está a muy buen precio, por lo que puede ser un momento idóneo para ello, pero ¿qué pasa si no encuentras la misma memoria RAM que ya tienes en el PC? Seguramente, tengas que mezclar tu RAM con una distinta, así que en este artículo te contamos las consecuencias de hacerlos. Uno de los componentes más desconocidos y menos atendidos es la memoria RAM. Muchos usuarios solamente se fijan en la capacidad y en la estética, sin prestar atención a otros parámetros. Aspectos como las frecuencias de trabajo o la configuración Dual Channel son aspectos clave para obtener un rendimiento optimo. Posteriormente, cuando el usuario usa habitualmente su ordenador, empieza a notar falta de rendimiento. Son muchos los casos en que una mala elección de la memoria RAM genera un rendimiento peor de lo esperado. Principalmente se da cuando se adquiere solo un módulo, ya que no se activa el Dual Channel y se quiere corregir comprando otro módulo e instalándolo. ¿Pasa algo por mezclar memoria RAM en el PC? A la hora de querer mezclar distintos módulos por lo general siempre deberíamos optar por utilizar el mismo modelo de la misma marca para evitar que haya problemas, pero es normal que nos preguntemos qué puede suceder en caso de combinar dos completamente distintos. Al igual que con el resto de componentes de nuestro ordenador, por lo general no sabemos que algo no funciona hasta que no lo probamos, pero lo mejor es siempre evitar hacer cambios que puedan perjudicar a nuestro ordenador, y este sería uno de esos casos. Nada impide, técnicamente, instalar dos módulos de memoria RAM con diferentes características. Ahora bien, hacer esto puede suponer la aparición de diferentes problemas que se pueden dividir en tres grandes grupos: diferente capacidad, diferente frecuencia y los timmings. Y es que al final el principal problema que vamos a encontrar es la compatibilidad que pueden tener estos módulos, por lo que debemos tener en cuenta todos los detalles que os vamos a comentar a continuación para evitar que esto suceda. Si los módulos tienen distinta capacidad Vamos a poner que nuestro ordenador gaming tiene un único módulo de memoria RAM de 8 GB. El precio de este componente esta por los suelos y los juegos se han vuelto exigentes, así que queremos instalar un módulo de 16 GB, para ir sobrados. Inicialmente, no existe problema alguno en mezclar ambos módulos, pero, el resultado no será el esperado. Al tener diferentes capacidades, el sistema automáticamente lo ajusta. ¿Cómo lo hace? De manera sencilla «partiendo» uno de los módulos por la mitad. El sistema lo que hace es el módulo de 16 GB dividirlo en dos, como si fueran dos de 8 GB. Así, combina el módulo existen con 8 GB de los 16 GB disponibles en el segundo módulo. Crea una configuración Dual Channel de 8+8 GB y deja 8 GB sueltos, por decirlo de algún modo. Lo que tenemos es 16 GB (8 GB del primer módulo y la mitad del módulo de 16 GB) funcionando en Dual Channel y dando el mejor rendimiento posible. Por otro lado, tenemos 8 GB mucho más lentos que funcionan en Single Channel. Y esto tiene una pega importante y es que esos 8 GB que van por «libre» serán infrautilizados. Al ser más lentos, el sistema los dejara «olvidados» usándose para almacenar datos de baja prioridad. Pero, en resumidas cuentas, se puede, aunque hay un coste de rendimiento evidente. Ojo si vas a mezclar RAM de distinta velocidad Aquí la cosa cambia de manera radical, y es que ya no afecta únicamente a un nivel básico en el que tendremos un componente que tendrá una parte que no se llegará a utilizar, sino que el problema puede ir más allá. Si bien es posible combinar dos módulos de RAM de frecuencia diferente, como podréis imaginar no es algo que recomendemos ya que hay muchos factores que influyen a la hora de utilizar este componente de dicha forma que pueden perjudicar bastante la experiencia general que tendremos en nuestro PC. Realmente hay dos escenarios posibles a la hora de mezclar dos módulos con distintas velocidades, es posible que exista una sincronización de frecuencia a la baja, o que por el contrario nuestro ordenador detecte directamente la incompatibilidad de los módulos. A continuación os explicamos que es lo que pasa realmente cuando se dan uno de estos dos escenarios que os hemos comentado. Sincronización de frecuencia a la baja Pongamos que tenemos una bicicleta y una moto. El ciclista tendrá una velocidad máxima a la que podrá pedalear de manera constante sin desfallecer. La moto se puede poner a 60 Km/h sin problemas, pero el ciclista no puede. Entonces, quien adapta su velocidad es la moto para rodar a la misma velocidad que la bicicleta. Lo mismo pasa con la memoria RAM, ya que el módulo más lento no puede llegar a la velocidad del más rápido. Por consiguiente, el más rápido ajustara su frecuencia de trabajo (velocidad) a la baja. Claro, cuando esto sucede lo que obtenemos es una pérdida de rendimiento. ¿Será muy grande está pérdida de rendimiento? Pues depende de las frecuencias de trabajo. La diferencia entre módulos de 3.000 MHz y 3.200 MHz es mucho más baja que módulos de 2.666 MHz y 3.200 MHz. Como es lógico, se notará menos en el primer caso que en el segundo. Dejar claro que la sincronización de frecuencias es mayormente posible entre módulos del mismo fabricante. Pueden sincronizarse si son de fabricantes distintos, pues sí, pero es bastante poco habitual. Incompatibilidad de los módulos El suceso más común es este, que no se dé compatibilidad entre los módulos de distinta frecuencia. Lo que genera este punto son problemas bastante más graves que una simple perdida de rendimiento. Normalmente se generarán pantallazos azules aleatorios o la imposibilidad de iniciar el sistema, ya que
¿Cuál es la velocidad estándar de las memorias RAM DDR4 y DDR5?
Desde su lanzamiento, las memorias RAM se han regido por estándares que establecen sus parámetros de funcionamiento. Y, aunque encontramos muchas velocidades de funcionamiento diferentes, siempre han existido estos estándares que nos dicen cuáles son las velocidades mínimas de funcionamiento, entre otras cosas. A continuación os vamos a contar cuáles han sido, históricamente, las velocidades de las memorias RAM para PC desde las SDRAM hasta las actuales DDR5. Como sabéis, la memoria RAM es un componente esencial en un PC, pues sirve para proporcionar al sistema un espacio virtual necesario para manejar información y para que, por ejemplo, el procesador pueda realizar sus cálculos. Entran en juego muchos factores diferentes, pero la velocidad es sin duda el más llamativo y el que más afecta al rendimiento, si bien la latencia es otro de los factores importantes, a veces tanto o más que la propia velocidad. Dos ordenadores con igualdad de componentes pero con una memoria más rápida en uno que en otro puede provocar que un juego, por regla general, rinda un poco mejor y sea capaz de servirnos algunos fotogramas extra. Por poca que nos parezca la diferencia de hercios en el régimen de trabajo. Así que a la hora de confeccionar tu propio ordenador, o en el momento que vayas a la tienda cxomprarlo, ten esto en cuenta para sí, hace falta, invertir un poco más y llevarte un equipo que va a darte un poquito más en cada tarea. La velocidad de la memoria RAM para PC Por este motivo, a continuación vamos a repasar las velocidades de los estándares de las memorias RAM para PC desde las SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) hasta las actuales DDR4, que no son sino una variante de las SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic RAM). Memorias RAM SDRAM y SDR SDRAM Este fue el primer tipo de memoria que funcionaba en sincronía con el procesador, y ese es el motivo por el que hemos decidido empezar por éstas y no por los modelos anteriores. El estándar de este tipo de memorias se estableció en dos escalones muy definidos que son los que os enumeramos a continuación: 100 MHz de velocidad, con 8 ns de ciclo de reloj y una latencia CL3. 133 MHz de velocidad, con 7.5 ns de ciclo de reloj y latencia CL3. Lógicamente nada tiene que ver con las velocidades que se manejan a día de hoy, así que vamos a ir avanzando por la línea temporal a medida que esta tecnología fue conquistando nuevos hitos en lo que a rendimiento se refiere. Velocidad de las memorias DDR, DDR2 y DDR3 Las memorias RAM DDR comenzaron a utilizarse a partir del año 2000, y aunque son similares a las SDR ya eran capaces de realizar dos instrucciones de lectura y dos de escritura por ciclo de reloj, motivo por el que se llaman DDR «Double Data Rate«, debido a que transmiten los datos al doble de velocidad que la velocidad de reloj de la memoria. Todas las memorias RAM DDR, DDR2, DDR3 y DDR4 tienen un número en cada modelo, el cual es la cantidad de información que se transmite por segundo en su bus de datos. El cual se calcula multiplicando la velocidad de reloj de la memoria * 2. Así pues una RAM DDR-400, tiene una velocidad de reloj de 200 Mhz, pero alcanza los 400 Mbps por pin en cada segundo al ser DDR. El estándar para las memorias DDR se estableció cuatro veces, puesto que según avanzaba la tecnología, el estándar aumentó el mínimo «aceptado»: 200 MHz con 8 ns de ciclo de reloj y CL3. 266 MHz con 7 ns de ciclo de reloj y CL3. 335 MHz con 6 ns de ciclo de reloj y CL2.5 de latencia. Como se puede ver, estas memorias redujeron la latencia. 400 MHz con 5 ns de ciclo de reloj y CL3. Tras las DDR vinieron las memorias DDR2, que presentaban muchas mejoras con respecto a las DDR que incluyen mayores capacidades, menores consumos y, por supuesto, mayores velocidades. Igual que las anteriores, también tuvieron diversas velocidades estándar: 333 MHz con 10 ns de ciclo de reloj y latencia CL4. 400 MHz con 10 ns de ciclo de reloj y CL4 de latencia. 533 MHz con 7.5 ns de ciclo de reloj y latencia CL4. 600 MHz con 6.7 ns de ciclo de reloj y latencia CL5. 667 MHz con 3 ns de ciclo de reloj y latencia CL5. 800 MHz con 2.5 ns de ciclo de reloj y latencia CL6. 1000 MHz con 4 ns de ciclo de reloj y latencia CL7. 1066 MHz con 3.75 ns y CL7. 1150 MHZ con 3.5 ns de ciclo y latencia CL7. 1200 MHz con 3,3 ns de ciclo de reloj y latencia CL8. Como evolución natural de las memorias RAM DDR2, llegaron las memorias DDR3 que nuevamente incluían mayores capacidades, menores consumos y mayores velocidades de funcionamiento. Como veremos a continuación, las latencias comenzaron a subir considerablemente a partir de esta generación. También tuvieron varios estándares: 1066 MHz, con 3 ns de ciclo de reloj y latencia CL9. 1200 MHz, con 3 ns de ciclo de reloj y latencia CL9. 1333 MHz, con 1.5 ns de ciclo de reloj y latencia CL9. 1600 MHz con 1.25 ns de ciclo de reloj y latencia CL11. 1866 MHz, con 1,20 ns de ciclo de reloj y latencia CL11. 2000 MHz con 1,1 ns de ciclo y latencia CL11. 2200 MHz con 1 ns de ciclo de reloj y latencia CL12. Memoria RAM DDR4 Finalmente llegamos a la memoria RAM DDR4, la que utilizamos en las generaciones actuales de PC. Este tipo de memoria es el más rápido hasta la fecha, y también el que más estándares diferentes ha tenido puesto que comenzó con un estándar básico de 1600 Mhz y, actualmente, éste se ha visto elevado hasta los 2666 MHz. Estos han sido sus estándares históricos: 1600 MHz con 1.15 ns de tiempo de ciclo de reloj y latencia CL13. 1866 MHz con 1.07 ns de tiempo de ciclo de reloj y latencia
