MSI Latency Killer: Nueva función para mejorar la latencia de DDR5
MSI ha anunciado una nueva función para mejorar el rendimiento, Latency Killer. El fabricante pretende reducir la latencia de las memorias DDR5. MSI Latency Killer es presentado para mejorar la latencia de DDR5 El fabricante está añadiendo una nueva opción que se puede activar desde el BIOS y que quiere aportar algo de rendimiento “gratis”. Esta nueva función se ha visto por primera vez en una placa base X870E y pretende reducir la latencia de la memoria en hasta 8 ns. Al parecer, esta función se añadió por la degradación en la latencia de la memoria que comenzó con la introducción de la actualización de microcódigo AGESA 1.2.0.2a, que añadía el soporte oficial para los procesadores Ryzen 9000X3D. Unas pruebas en AIDA64, con un Ryzen 7 9800X3D, una placa base MPG X870E Carbon WiFi y una memoria DDR5-8000 CL38, revelan que la función Latency Killer de MSI logra reducir la latencia en hasta 8 ns, lo que debería repercutir positivamente en el rendimiento general. Esta nueva opción se encuentra en el submenú de overclocking dentro del modo avanzado. Hay tres opciones en total para elegir: Automático, Habilitado y Deshabilitado. La descripción de la BIOS para Latency Killer dice: «mejora el rendimiento de latencia, pero podría reducir potencialmente el rendimiento de la CPU». Esa es la advertencia que hace MSI, así que esto se deberá probar en juegos y aplicaciones para comprobar si esa mejora de rendimiento es reseñable o no. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
Condensadores: culpables de que la RAM vaya 10 años por detrás de la CPU
Se habla largo y tendido de la brecha entre el rendimiento de la CPU y la memoria RAM, un motivo por el que se ha vuelto tan importante la memoria caché, y algo que se lleva intentando de cerrar desde hace décadas. Pero ¿cuál es el culpable de esta diferencia entre la rapidez de unos y otros chips? Aquí te hablamos del culpable: los condensadores. Arquitectura de una célula DRAM Una célula de memoria DRAM (Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de circuito para almacenar bits de información con mayor rapidez que un medio de almacenamiento secundario, es volátil, pero más barata que otras memorias. Cada una de estas celdas representa un bit de información y se organizada arrays o matrices de filas y columnas, lo que permite que los datos se almacenen y accedan de manera eficiente. Para que cada una de estas células pueda funcionar, se compone de: Con esta arquitectura, hay que decir que la DRAM funciona de esta forma: Evidentemente, cuando la DRAM se queda sin suministro eléctrico, a diferencia de las memorias no volátiles, se borra completamente. No retiene los datos. Algo que también depende de estos condensadores. Pese a todos los problemas generados por el condensador, es fundamental en el diseño de una célula DRAM porque permite un almacenamiento simple y compacto de un bit mediante la carga o descarga de un solo nodo eléctrico. ¿Es posible una DRAM solo con transistores? No, el condensador es crítico para su funcionamiento, ya que la DRAM se basa en celdas 1T+1C. Al tener solo un transistor y solo un condensador, son compactas, permitiendo almacenar bastante información por unidad de superficie, es decir, su densidad es mayor que otras memorias que necesitan más componentes electrónicos. Si se compara con la memoria flash, basada en transistores, las células DRAM son más grandes, aunque también más rápidas. Sin embargo, la memoria flash es más barata y puede tener mayores densidades, por ello se emplean en medios como los SSD, tarjetas de memoria SD, etc. Para la memoria principal se necesita una capacidad no tan elevada, pero más rápida, y ahí es donde cumple su función esta DRAM. En caso de querer una memoria aún más rápida que la RAM, se tendría que crear solo con transistores tipo FET, y eso ya existe, se llama SRAM. La SRAM o Static RAM es la que se emplea en otras memorias más rápidas como la memoria caché o los registros. Estas memorias basadas en biestables o flip-flops son mucho más rápidas porque solo se componen de transistores, concretamente tenemos celdas con 4T o con 6T, es decir, con cuatro y séis transistores respectivamente. ¿Qué quiere decir esto? Pues que las celdas 4T o 6T son más caras de fabricar, además de ocupar más superficie en el chip. Esto hace que las capacidades de SRAM no sean tan altas como las de la DRAM. Sin embargo, consiguen reducir el consumo y aumentar la velocidad. Todo no se puede tener… Los problemas derivados del condensador Concluyendo, podemos culpar de la brecha entre la velocidad del procesador (solo fabricado con transistores) y la DRAM (con transistores y condensadores) es precisamente lo que diferencia a ambos chips: el condensador. Estas células de memoria DRAM, con su condensador, hacen que el tiempo de acceso sea superior a las memorias transistorizadas. Es decir, existe una mayor latencia por sus características. Además de eso, la lectura destructiva y el proceso de refresco también agregan tiempo adicional a los accesos de datos, lo que limita a la DRAM frente a la SRAM. Es por eso que las DRAMs están unos 10 años por detrás en velocidad a las unidades de procesamiento. Pero seguirán así mientras no se pueda crear una memoria con costes y capacidades similares a la DRAM, pero más rápida. Así que, mientras tanto, la memoria caché de la CPU será la que deba aliviar estos retrasos.
DIMM vs UDIMM vs CUDIMM vs RDIMM
DIMM vs UDIMM vs CUDIMM vs RDIMM… cada vez existen más tipos de módulos de memoria RAM, cada uno con sus pros y contras, como es habitual. Y esto hace que cada vez sea más difícil elegir el correcto por parte del usuario final. Por eso, aquí vamos a ver qué es cada uno, diferencias, y las posibles ventajas y desventajas. DIMM vs UDIMM vs CUDIMM vs RDIMM: Características generales Característica DIMM/UDIMM CUDIMM RDIMM Búfer de registro No No Sí Capacidad de memoria Limitada Alta Muy alta Latencia Mínima Mínima Mayor Estabilidad Media Media Alta Coste Bajo Medio Alto Aplicaciones PC Servidores, PC y estaciones de trabajo Servidores de alta gama Módulos de memoria RAM DIMM o UDIMM Cuando hablamos de memoria RAM para nuestros ordenadores, a menudo nos encontramos con términos como DIMM y UDIMM. Estos términos pueden parecer técnicos, pero en realidad describen características básicas de los módulos de memoria que utilizamos a diario. Como sabrás, DIMM son las siglas de Dual In-line Memory Module, que es el nombre técnico que se le da a las pequeñas PCBs que contienen los chips de memoria DRAM para el ordenador. Estos módulos poseen contactos en uno de sus lados, en ambas caras, y también los chips de memoria se montan en ambos lados para conseguir mayores capacidades. Los módulos DIMM pueden ser de muy diversas generaciones de memoria, como DDR4, DDR5, etc. También las capacidades pueden ser diversas, desde 4GB hasta 8GB o más en kits. Dentro del estándar DIMM se pueden ver variantes como las RDIMM, las CUDIMM, las SO-DIMM, CSO-DIMM, etc. Sin embargo, cuando nos referimos a un módulo DIMM, por lo general nos estamos refiriendo a un módulo de memoria RAM convencional, y no al grupo. Además es importante saber que uno de los tipos más comunes de DIMM es el UDIMM (Unbuffered DIMM) o módulo DIMM sin búfer. De hecho, UDIMM y DIMM se pueden utilizar como sinónimos. ¿Qué significa sin búfer? Significa que no hay una capa adicional (buffer o registro) entre el controlador de memoria y los chips de memoria, lo que resulta en un rendimiento ligeramente más rápido y un menor coste. Sin embargo, al carecer de ese buffer intermedio, estos módulos convencionales pueden tener sus inconvenientes: Módulos de memoria RAM RDIMM Cuando hablamos de memoria RAM para equipos que requieren una gran fiabilidad y estabilidad, como servidores y estaciones de trabajo de alta gama, los RDIMM o Registered DIMM (módulos DIMM registrados) son la opción que se busca. A diferencia de los UDIMM, los RDIMM incluyen un búfer o registro entre el controlador de memoria y los chips de memoria. Este búfer ayuda a estabilizar la señal y gestionar la carga eléctrica, lo que permite utilizar mayores capacidades de memoria sin comprometer la estabilidad del sistema. Por otro lado, la mayoría de los RDIMM admiten ECC (código de corrección de errores). Esta característica detecta y corrige automáticamente errores en los datos, lo que es fundamental para garantizar la integridad de la información en entornos críticos. Gracias al búfer o registro, los RDIMM pueden soportar mayores cantidades de memoria RAM en comparación con los UDIMM. Esto es especialmente importante en servidores y estaciones de trabajo que requieren grandes cantidades de memoria para ejecutar múltiples aplicaciones simultáneamente. No obstante, debido a ese circuito intermedio que se interpone en los accesos, suelen tener una latencia ligeramente superior a los UDIMM. Es decir, el rendimiento de estos módulos puede verse algo afectado, por lo que no están pensados para ofrecer el máximo rendimiento o para las tareas más exigentes… A esto hay que agregarle que son más caros. Módulos de memoria RAM CUDIMM Los CUDIMM (Clocked UDIMM) representan una evolución significativa en la tecnología de la memoria RAM. Estos nuevos módulos están diseñados para superar las limitaciones de los UDIMM tradicionales y ofrecer un rendimiento aún mayor. Son esencialmente UDIMM mejorados. La principal diferencia radica en la inclusión de un controlador de reloj (CKD) dentro del módulo. Este pequeño chip se encarga de generar y mantener una señal de reloj precisa y estable para los chips de memoria. Esto permite: Por supuesto, estos tendrán un precio ligeramente superior a los DIMM, ya que agregan ese controlador adicional. Además, por el momento no están disponibles, por lo que habrá que esperar. Conclusión La conclusión es bastante clara, si buscas un módulo RAM con un rendimiento bueno y bajo coste, elige DIMM/UDIMM para tu PC. Si lo que buscas es mayor fiabilidad y estabilidad, o mayores capacidades, entonces debes ir a por los RDIMM. Y, cuando aparezcan los CUDIMM en el mercado, serán un punto intermedio entre los otros dos, ofreciendo mayores capacidades y velocidad.
Los CUDIMM se overclockean a DDR5-12108 para establecer un nuevo récord mundial de RAM OC: las nuevas CPU Arrow Lake de Intel catapultan a los CUDIMM más allá de la barrera DDR5-12000
Kovan Yang, un overclocker extremo, acaba de lograr el récord mundial de RAM más rápida con la Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM y una placa base MSI MEG Z890 Unify-X con un procesador Intel Core Ultra 7 265KF. Según una publicación en X (antes Twitter) de Kingston, el récord alcanzó velocidades de transferencia para DDR5-12,108. El sitio web de HWBot informa que el usuario Kovan Yang logró esto con 24 GB de los recién lanzados Kingston Fury Renegade DDR5-8400 CUDIMM. G. Skill también homenajeó a otros cuatro overclockers que rompieron la DDR5-12000. Todos estos entusiastas estaban armados con tarjetas de memoria G.Skill Trident Z5 en diferentes configuraciones de capacidad, pero en particular, todos usaban procesadores Intel Core Ultra 9 285K y una placa base Asus ROG Maximus Z890 Apex. Se ha confirmado que todos estos poseedores de récords, excepto uno, usan nitrógeno líquido para enfriar sus configuraciones de overclocking, por lo que es probable que no obtenga estas velocidades en casa usando su computadora de escritorio Daily Driver. Sin embargo, estos registros muestran hasta dónde ha llegado la tecnología de la memoria y que ahora podemos lograr estos logros sin sacrificar la fiabilidad. Usuario Velocidad Memoria Capacidad Placa base Procesador Kovan Yang DDR5-12108 Kingston Fury Renegade 24 GB MSI MEG Z890 Unify-X Intel Core Ultra 7 265KF Benchmarc DDR5-12066 G.Habilidad Tridente Z5 48 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K LOS OJOS DDR5-12046 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Zona de terror DDR5-12046 G. Habilidad 24 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K CENS DDR5-12042 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Estos registros de overclockers profesionales aparecerán poco después del lanzamiento minorista de la próxima generación de procesadores Intel Core Ultra 200S junto con las placas base Z890. Los últimos chips de Intel solo son compatibles con DDR5-6400 de forma nativa cuando se ejecutan CUDIMM en perfiles de alimentación de serie. Aún así, fabricantes como G.Skill, Asgard, TeamGroup y más han lanzado tarjetas de memoria más rápidas que podrían llegar a DDR-9600 cuando se combinan con una placa base Z890 capaz. Sin embargo, estos poseedores del récord no solo compraron las tarjetas de memoria y placas base más caras y dieron por terminado el día para alcanzar estas velocidades. En su lugar, deben hacer ajustes minuciosos en la configuración avanzada de su placa base, como cambiar el voltaje y la sincronización de la memoria, para superar la barrera de la DDR5-12000. Además, alcanzar este récord significa un enfriamiento exótico con nitrógeno líquido, ya que el enfriamiento convencional no sería suficiente para manejar todo el calor generado. No necesitas estos números si eres un jugador promedio, incluso la mayoría de los usuarios avanzados probablemente no necesiten pasar de DDR5-12000. Todavía es interesante ver hasta dónde podemos llevar nuestra tecnología actual, y a medida que obtengamos hardware más potente y eficiente en el futuro, incluso podríamos ver un momento en que estos números sean la norma.
Micron lanza DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM para CPU Intel Core Ultra 200S: kits DDR5-6400 de hasta 32 GB de capacidad con temporizaciones C52
DDR5-6400 que es plug-and-play. Micron ha ampliado la amplia cartera de memoria de la marca con los kits de memoria Crucial DDR5-6400 Clocked Unbuffered DIMM (CUDIMM) y Clocked SODIMM (CSODIMM) para rivalizar con la mejor RAM. Aunque los kits de memoria están dirigidos a los últimos procesadores Core Ultra 200S de Intel (nombre en código Arrow Lake), son compatibles con cualquier plataforma existente que aproveche la memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM incorporan un controlador de reloj integrado (CKD). Sin profundizar demasiado en el aspecto técnico, el controlador de reloj tiene un papel importante: almacena en búfer la señal de reloj base entre el controlador de memoria y los chips de memoria. Como resultado, la integridad de la señal permanece intacta y se conserva la velocidad de datos. Elimina efectivamente el controlador de memoria integrado (IMC) del procesador de la ecuación, lo que permite que los CUDIMM y los CSODIMM se ejecuten a la velocidad anunciada, independientemente de la calidad del IMC. Mientras que otros fabricantes de memoria están lanzando CUDIMM hasta DDR5-9600, Micron se apega a la línea de base de JEDEC, que es DDR5-6400. No es una completa sorpresa, ya que Micron ha estado fuera del mercado de los entusiastas desde que la compañía decidió retirar la marca Ballistix en 2022. Desde entonces, Micron ha estado lanzando kits de memoria con JEDEC (DDR5-4800) o ligeramente overclockeados (DDR5-6000). No se sabe si Micron ofrecerá CUDIMM y CSODIMM más rápidos en el futuro. Mientras tanto, los CUDIMM y CSODIMM de Micron solo vienen en la versión de 16 GB. Sin embargo, la compañía ya ha validado módulos de memoria de hasta 64 GB con Arrow Lake, allanando el camino para hasta 256 GB en una plataforma de consumo con cuatro ranuras de memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM con 64 GB de capacidad no estarán disponibles hasta la primera mitad de 2025. Especificaciones cruciales de DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM Número de pieza Descripción Precios CT16G64C52CS5 Crucial 16GB DDR5-6400 CSODIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CS5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CSODIMM CL52 $169.99 CT16G64C52CU5 Crucial 16GB DDR5-6400 CUDIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CU5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CUDIMM CL52 $169.99 Micron vende los CUDIMM y CSODIMM de 16 GB como sticks individuales y kits de memoria de doble canal con dos módulos de memoria. Actualmente, la única capacidad disponible del kit es de 32 GB, que comprende dos CUDIMM o CSODIMM de 16 GB. Independientemente del factor de forma y la presentación, los kits de memoria funcionan con DDR5-6400 con tiempos de 52-52-52-103 y un voltaje DRAM de 1,1 V. Los CUDIMM y CSODIMM de Micron funcionan a diferentes velocidades, dependiendo de la plataforma. Se ajustarán a la especificación nativa del procesador. Por ejemplo, los módulos de memoria se ejecutan en DDR5-6400 junto con un procesador Core Ultra 200S porque Arrow Lake adopta la memoria DDR5-6400 de forma nativa. Por el contrario, cuando se empareja con un chip Raptor Lake Refresh de 14ª generación o anterior, los módulos de memoria bajarán a DDR5-5600. En una plataforma AMD, los módulos de memoria predeterminados son DDR5-3200 o DDR5-5600 cuando se conectan a un procesador Ryzen 9000, ya que Zen 5 tiene soporte nativo para la memoria DDR5-5600. Sin embargo, Micron advierte a los consumidores que no sobreaceleren los módulos de memoria más allá de las especificaciones, velocidades nominales o tiempos de JEDEC, ya que eso anularía la garantía. Los CUDIMM y CSODIMM están disponibles en el sitio web de Crucial. Son los primeros productos en llegar al mercado minorista. Hemos visto muchos anuncios de CUDIMM, pero ninguno de los kits de memoria CUDIMM anunciados está disponible para su compra. Micron vende el CUDIMM de 16 GB por 84,99 dólares, mientras que el kit de memoria CUDIMM de 32 GB (2×16 GB) cuesta 169,99 dólares. El precio es idéntico para los CSODIMM: 84,99 dólares por un solo módulo de 16 GB y 169,99 dólares por el kit de memoria de 32 GB (2×16 GB).
TEAMGROUP presenta la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5
TEAMGROUP, uno de los líderes mundiales en soluciones de memoria, presenta la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5, diseñada para ser compatible con la nueva generación de procesadores AMD Ryzen 9000 y las placas base X870E. Equipada con perfiles AMD EXPO, los usuarios pueden overclockear sin problemas hasta 8000 MHz con un solo clic, destacando las capacidades superiores de overclocking de TEAMGROUP en la plataforma AMD. Con el lanzamiento de los procesadores AMD Ryzen 9000, los fabricantes de placas base han lanzado actualizaciones de AGESA para la plataforma AM5. T-FORCE DELTAα DDR5 no solo es compatible con las plataformas Intel de las series 700 y 600, sino también con la plataforma AMD Ryzen 9000. Con tecnología de overclocking de modo dual a través de XMP 3.0 (Extreme Memory Profile) y EXPO (EXTended Profiles for Overclocking) e integrada con On-die ECC (código de corrección de errores), ofrece a los jugadores una experiencia de overclocking estable y fiable a velocidades de hasta 8000 MHz, satisfaciendo plenamente las necesidades de los usuarios de plataformas Intel y AMD con un rendimiento inigualable. La marca T-FORCE de TEAMGROUP sigue colaborando estrechamente con los principales fabricantes de placas base, como ASRock, ASUS, BIOSTAR, Gigabyte y MSI. A través de una estricta validación de compatibilidad QVL, se garantiza que la memoria T-FORCE DELTAα funciona a la perfección con cualquier placa base. Además, la tecnología de verificación IC propiedad de TEAMGROUP asegura que cada producto cumple con los más altos estándares de calidad para ofrecer una estabilidad y eficiencia excepcionales a los entusiastas del overclocking de todo el mundo. Para más detalles sobre la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5, permanece atento a los canales oficiales de TEAMGROUP para las últimas actualizaciones.
clasificacion Memoria ram
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros dispositivos como impresoras TIPOS POR QUE SE PRODUCEN INCOMPATIBILIDADES EN LAS MEMORIAS RAM. Uno de los mayores problemas que se producen con los módulos de memoria RAM cuando queremos ampliar esta es el problema de las incompatibilidades. Vamos a ver realmente cuales son las causas de estas incompatibilidades. De ENTRADA, vamos a aclarar dos puntos: Ni la diferencia de capacidad de las memorias ni incluso la diferencia de velocidad de los módulos (siempre y cuando la placa base soporte las velocidades) son causa de incompatibilidad. Podemos mezclar sin problemas módulos de 256MB, 512MB y de 1GB sin que se produzca ninguna incompatibilidad entre ellos. Incluso podemos mezclar módulos PC-333 y módulos PC-400, que mientras que la placa base soporte ambos tipos tampoco tendremos problemas (aunque, eso si, el sistema se regirá siempre por la velocidad del módulo más lento). Pero aquí termina la lista de los parámetros de una memoria que no son (o pueden ser) causa de incompatibilidad entre módulos. Vamos a analizar los diferentes parámetros de una memoria que sí que son (o pueden ser) causa de incompatibilidad, aunque hay que dejar bien claro que estas incompatibilidades dependen en gran medida de los márgenes de tolerancia de la placa base, por lo que dos módulos pueden trabajar perfectamente en una determinada placa base y ser incompatibles en otra. Tipos de módulos de memoria: Los tipos de módulos más habituales en la actualidad son los módulos DDR, DDR2 y ya bastante menos los módulos SDRAM (aunque hay que aclarar que todos estos tipos son SDRAM, es decir, Synchronous Dynamic Random Access Memory, lo que se conoce normalmente por memorias SDRAM son las memorias SDR(Single Data Rate), en contraposición a las DDR (Double Data Rate). Estos módulos se han ido sustituyendo en el tiempo. Primero fueron los SDRAM, que dieron paso a los DDR y estos a los DDR2. Estos módulos son incompatibles físicamente entre ellos, pero existen una serie de placas base del tipo dualque admiten dos formatos de módulos diferentes, SDRAM y DDR o DDR y DDR2. Pero que admitan ambos tipos no quiere decir que estos se puedan mezclar. En una placa dual podemos poner módulos de un tipo o de otro, pero NO de los dos. Posición de los chips de memoria: Existen módulos de memoria que tienen los chips en una sola de sus caras y otros que tienen los chips en ambas caras (Single Side o Double Side). Esto, que a simple vista puede parecer una cuestión sin importancia, es uno de los motivos de incompatibilidades. Paridad: Los módulos con paridad trabajan a 9bits en vez de a 8 bits (8 de datos + 1 de paridad). No se pueden mezclar módulos con paridad y módulos sin paridad. En la actualidad la paridad ha sido sustituida por el el sistema ECC. Módulos ECC o NON-ECC: ECC significa Error Correcting Code, es decir, memoria con código corrector de errores. Las memorias ECCse suelen emplear sobre todo en servidores, ya que son bastante más caras que las memorias NON-ECC… y también algo más lentas. Normalmente las placas base admiten un solo tipo, pero hay placas base que admiten ambos tipos. Pero que admitan ambos tipos (ECC y NON-ECC) no significa que se puedan mezclar. Módulos Buffered y Unbuffered: La memoria unbuffered (también conocida como Unregistered) se comunica directamente con el Northbridge de la placa base, en vez de usar un sistema store-and-forward como hace la memoriaRegistered. Esto hace que la memoria sea mas rápida, aunque menos segura que la registered. Los módulos del tipo buffered (también conocidos como registered) tienen registros incorporados en sus líneas de dirección y del control. Un registro es un área de acción temporal muy pequeña (generalmente de 64 bits) para los datos. Estos registros actúan como almacenes intermedios entre la CPU y la memoria. El uso de la memoria registered aumenta la fiabilidad del sistema, pero también retarda mismo . Este tipo de memoria se suele usar sobre todo en servidores. No todas las placas suelen soportar estos módulos. No se pueden mezclar módulos de ambos tipos de memoria. Latencia CAS: La Latencia CAS (CL) (Column Address Strobe o Column Address Select) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre después de que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y antes de que los datos sean enviados a los pines de salida del módulo. Una diferencia en esta latencia CAS puede crear una incompatibilidad entre los módulos. Tiempo RAS: El Tiempo RAS (Row Address/Access Strobe) es el tiempo que tarda en colocarse la memoria en una determinada fila. Aunque este tiempo tiene mucha menos importancia que la latencia CAS también puede ser motivo de incompatibilidades. Tabla SPD: La Tabla SPD (Serial Presence Detect) es un estándar para proporcionar información automáticamente acerca de un modulo de memoria RAM. Si esta tabla está dañada o es diferente entre dos módulos es más que posible (casi seguro) que sólo va a funcionar uno de ellos. Las tablas SPD son las que permiten la configuración automática de la memoria. Voltaje del módulo: Una diferencia acusada de voltaje entre dos módulos de memoria también puede hacer que tan sólo uno de ellos funcione (normalmente el de menor voltaje). Estos no son todos los causantes de una incompatibilidad entre módulos, ya que a veces el simple hecho de que los chips sean de distinto fabricante o los módulos de diferente marca puede hacer que los módulos sean incompatibles, sobre todo en ordenadores antiguos, con placas con una muy baja tolerancia. Pero esto hace que lo mejor cuando vayamos a ampliar la memoria de nuestro ordenador (sobre todo si no es muy moderno) es que llevemos el ordenador a la tienda y que ellos comprueben que el módulo que nos venden es el correcto para nuestro equipo. Otra posibilidad es anotar exactamente todas las características de nuestro(s) modulo(s) y comprar una exactamente igual (y a ser posible de la misma marca). En cuanto al tema de las memorias en Dual Channel, las especiales características de esta
SK hynix desarrolla la 6ª generación de DDR5 de 10 nm con los primeros módulos DRAM de 16 Gb del mundo: el fabricante de chips afirma que los centros de datos pueden ahorrar hasta un 30% en electricidad
La 6ª generación de la DDR5 de SK Hynix supuestamente reducirá las facturas de electricidad de los centros de datos hasta en un 30%. La tecnología de 10 nm puede ser un nodo de proceso obsoleto para las CPU, pero para la DRAM, sigue siendo la vanguardia. SK hynix ha anunciado el desarrollo de la primera DRAM DDR5 de 10 nm de «sexta generación» del mundo. Se informa que la producción en masa se completará este año, mientras que el suministro formal comenzará el próximo año. La DRAM DDR5 de 6ª generación de SK Hynix, denominada «proceso 1c», es una evolución de su nodo de proceso 1b, construido sobre litografía de 10 nm. 1c es el primer módulo DRAM de 16 Gb de SK Hynix, supuestamente un 11% más rápido que su homólogo de la generación anterior y un 9% más eficiente energéticamente. Gracias a la eficiencia energética de su proceso 1c de 6ª generación, SK hynix cree que las facturas de electricidad de los centros de datos pueden reducirse hasta en un 30%. SK Hynix también ha aumentado su capacidad de producción en más de un 30% con su DRAM DDR5 de sexta generación, gracias al nuevo material aplicado en algunos de sus procesos de EVU y a la optimización de toda la gama de productos compatibles con EUV, lo que ha mejorado la rentabilidad. «Estamos comprometidos a proporcionar valores diferenciados a los clientes mediante la aplicación de la tecnología 1c equipada con el mejor rendimiento y competitividad de costos a nuestros principales productos de próxima generación, incluidos HBM, LPDDR6 y GDDR7», dijo el vicepresidente de desarrollo de DRAM, Kim Jonghwan. «Continuaremos trabajando para mantener el liderazgo en el espacio DRAM y posicionarnos como el proveedor de soluciones de memoria de IA más confiable». La última tecnología DRAM de 10 nm de SK hynix ayudará a mantener la competitividad de sus productos de memoria hasta que el fabricante pueda cambiar a procesos más densos. Según se informa, SK Hynix está trabajando en la tecnología DRAM 3D, que mejorará enormemente la densidad de los circuitos integrados DRAM de la futura generación en comparación con las arquitecturas salientes y, finalmente, reducirá su litografía DRAM a menos de 10 nm. Sin embargo, aún faltan algunos años para que esta tecnología DRAM 3D sea así, por lo que SK Hynix sigue desarrollando y mejorando su DRAM DDR5 de clase 10nm más tradicional.
Nuevo hito en la memoria DDR5: más capacidad y eficiencia, muy pronto
Hace relativamente poco se han lanzado las nuevas memorias RAM de estándar DDR5, que cuentan con muchas mejoras con respecto a DDR4. Entre otros, DDR5 duplican las frecuencias de funcionamiento, DDR5 reducen el consumo o Dual Channel en un único módulo. Pues bien, el fabricante SK Hynix acaba de anunciar el primer chip DDR5 de 16 Gb de la industria fabricado en el nodo 1c. Entre las principales características de DDR5, tenemos un DDR5 ancho de banda mínimo de 4.800 MT/s. Los chips de memoria ofrecen mayor densidad, pudiendo construir módulos de hasta 512 GB de capacidad. Adicionalmente, permiten crear subcanales independientes, pudiendo crear dos subcanales de 32 bits y así crear una configuración Dual Channel con un solo módulo. Precisamente, para conseguir llegar a los 512 GB por módulo (para Data Centers) se requieren de diferentes optimizaciones y mejoras en los procesos de fabricación de los chips DRAM. Algo que no es precisamente sencillo, pero que, como veremos, se está consiguiendo. SK Hynix mejora el proceso de fabricación para DDR5 Actualmente, el fabricante SK Hynix es uno de los más destacados de fabricantes de chips DRAM para memorias RAM. Acaban de anunciar el desarrollo del primer chip para DDR5 de 16 Gb de la industria bajo el nodo 1c, la sexta generación del proceso de 10 nm. Debes saber que el proceso de contracción para loas memoria DRAM en el rango de 10 nm ha ido aumentando con el paso de cada generación. Gracias a su constante innovación y desarrollo, SK Hynix es el primero en la industria en conseguir dejar atrás el proceso 1b, la quinta generación del proceso de 10 nm. La compañía asegura que están listos para producir en masa memorias DDR5 en el proceso 1c, que se empezarían a comercializar el próximo año. Explica SK Hynix que los errores derivados de un proceso tan avanzado son bastante probables durante la fabricación. Para subsanar este problema han transferido las ventajas del proceso 1b a este nuevo proceso 1c. Haber conseguido implementar con éxito este nuevo proceso, permite una mejora en la competitividad de costes, en comparación a la generación anterior. Esto ha sido posible al adoptar un nuevo material en ciertos procesos de EUV, además de optimizar todo el proceso de litografía. Destacan además una mejora en la productividad superior al 30% gracias a las innovaciones en el diseño. Comentan también que la velocidad operativa de las memorias DDR5 bajo el proceso 1c, destinadas a los Data Centers de alto rendimiento, ha mejorado en un 11% con respecto a la generación, llegando a los 8 Gbps. También destacan una mejora de la eficiencia energética que ronda el 9%. SK Hynix estima que usar módulos de memoria DDR5 de proceso 1c puede ayudar a los Data Centers a reducir los costes energéticos en hasta un 30%. Algo genial, sobre todo debido al gran avance de la inteligencia artificial, que ha generado grandes aumentos de consumos de energía. No solo el proceso 1c se utilizará para las memorias DDR5, SK Hynix en realidad ya mira al futuro con este proceso. Destacan que se usará para todo tipo de memorias DRAM, como puedan ser las HBM, LPDDR6 y GDDR7.
Micron está comprando más plantas de producción en Taiwán para expandir la producción de memorias HBM
Micron ha estado en una ola de gastos en Taiwán, donde la compañía ha estado buscando nuevas instalaciones. Micron acordó comprar no menos de tres plantas de LCD del fabricante de pantallas AUO, que se encuentran en la ciudad taiwanesa de Taichung, en el centro del país. Micron tiene previsto pagar NT$ 8.1 mil millones (~US$253.3 millones). Inicialmente, Micron estaba interesada en comprar otra planta en TaiWan de Innolux, pero fue rechazada, por lo que Micron recurrió a AUO para las compras. A principios de este año, TSMC gastó NT$17 mil millones (~US$531.6 millones) para comprar una instalación similar de Innolux, pero parece que Innolux no estaba dispuesta a desprenderse de más instalaciones este año. Se dice que las tres plantas de AUO han producido filtros de color LCD y las dos plantas habían cerrado para la producción a principios de este mes. Sin embargo, parece que, por alguna razón, la planta que aún está en funcionamiento, será arrendada por AUO y la empresa continuará produciendo filtros de color en la fábrica. La planta más grande mide 146.033 metros cuadrados, mientras que la más pequeña mide 32.500 metros cuadrados. En cuanto a los planes de Micron, no se sabe mucho en este momento, pero la compañía ha anunciado que planea usar al menos parte del espacio para pruebas de obleas frontales y que las nuevas plantas apoyarán sus fábricas de producción de DRAM actuales y futuras en Taichung y Taoyuan, que la compañía MICRON está expandiendo actualmente. Fuentes del mercado en Taiwán dicen que la atención se centrará en la memoria HBM, debido a la gran demanda de varios productos de IA en el mercado, al menos no de NVIDIA. Se espera que el acuerdo se finalice a finales de año.
