Como era de esperar, la memoria DDR6 reemplazará gradualmente a la memoria DDR5 actual en los próximos años, pero ¿qué sabemos realmente sobre el próximo estándar de memoria? Te lo contamos.
El estándar de memoria DDR5, que se finalizó oficialmente en julio de 2020 con AMD Ryzen 7000 («Raphael») e Intel Core 13000 («Alder Lake»), solo comenzó a reemplazar lentamente a su predecesora DDR4 en el escritorio en los últimos dos años, pero la próxima memoria DDR6 ya está llamando a la puerta.
¿Qué podemos esperar del nuevo estándar de memoria DDR6 y qué información fiable tenemos ya? Le informaremos y le proporcionaremos conocimientos sólidos sobre la próxima generación de RAM en PC, servidores y portátiles.
La DDR6 debería alcanzar hasta 12.800 MT/s+
Samsung habló sobre DDR6 y su etapa evolutiva DDR6+ en el Tech Day 2021 y reveló muchos detalles interesantes sobre el próximo estándar de memoria.
Si tomamos como referencia las velocidades homologadas por JEDEC, la velocidad máxima de datos se duplicó de 3.400 TM/s hasta 6.400 TM/s con la introducción de DDR5 en comparación con DDR4. Samsung prevé un aumento similar para la DDR6, que funcionará hasta 12.800 MT/s como la DDR6-12800.
Hay que tener en cuenta que estas son sólo las velocidades estándar oficiales especificadas por JEDEC, que podrían ser superadas con creces por los módulos overclockeados (OC).
Por lo tanto, las tarjetas de memoria con módulos de memoria («IC») estrictamente seleccionados deberían ser capaces de alcanzar DDR6-16800 con hasta 16.800 MT/s como módulos OC.
El desarrollo de los estándares de memoria DDR sería entonces el siguiente en términos de velocidad de memoria pura:
| Norma JEDEC | Módulos OC | |
|---|---|---|
| DDR | hasta 400 MT/s | hasta 533 TM/s |
| DDR2 | hasta 1.066 TM/s | hasta 1.333 TM/s |
| DDR3 | hasta 2.133 TM/s | hasta 2.666 TM/s |
| DDR4 | hasta 3.200 TM/s | hasta 5.333 TM/s |
| DDR5 | hasta 6.400 TM/s | hasta 8,4000 MT/s |
| DDR6* | hasta 12.800 TM/s | hasta 16.800 TM/s |
*) No confirmado oficialmente.
Debido a la velocidad de memoria significativamente mayor asociada con el cambio de DDR5 a DDR6, el ancho de banda de memoria también aumenta notablemente.
DDR6 tiene cuatro canales de memoria
El número de canales de memoria por módulo aumentará a cuatro con DDR6, duplicándose nuevamente en comparación con DDR5. El número de bancos de memoria también se multiplica por dos hasta los 64, lo que a su vez significa cuadruplicar en comparación con DDR4.
En una comparación intergeneracional del ancho de banda de la memoria, DDR6 volvería a aumentar significativamente:
- DDR de hasta 3,2 GB/s
- DDR2 de hasta 8,5 GB/s
- DDR3 de hasta 17,0 GB/s
- DDR4 de hasta 28,8 GB/s
- DDR5 de hasta 67,2 GB/s
- DDR6 de hasta 134,4 GB/s+
Por lo tanto, tal y como están las cosas, se puede suponer que los módulos de memoria DDR6 más rápidos serán capaces de proporcionar al menos 134,4 GB/s de ancho de banda de memoria, y los módulos OC ofrecerán un rendimiento de memoria por segundo significativamente mayor.
Más funciones, menos voltaje
Al igual que con el cambio de DDR4 a DDR5, el conjunto de características de la nueva generación de memoria se ampliará significativamente una vez más. Todos los fabricantes de chips DRAM relevantes, como Samsung, Micron, Nanya y SK Hynix, ya lo han revelado.
Más información: Cómo saber qué tipo de RAM tienes
Además de un PMIC (Power Management IC) mejorado, que supervisa la gestión de la energía de los módulos de memoria, y una nueva tensión de alimentación reducida (VDIMM), también se ampliarán las funciones ECC para la comprobación de paridad y la corrección de errores.
La DDR6 se lanzará en 2024/25
Samsung ya ha anunciado que actualmente está trabajando en la finalización del estándar de memoria DDR6 junto con los otros miembros de JEDEC del círculo de fabricantes de DRAM y SoC. Según el fabricante, esto se espera en el transcurso de 2024, pero no más tarde de 2025.
La nueva memoria DDR6 celebrará su debut en el segmento empresarial profesional y se espera que se utilice por primera vez con las CPU de servidor de la cosecha de 2025.
El ingeniero jefe del fabricante surcoreano de semiconductores SK Hynix, por su parte, espera una fase de desarrollo algo más larga y no prevé un lanzamiento al mercado generalizado antes de finales de 2025.
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