Micron finalmente adopta EUV para DRAM.
Micron presentó hoy 25 de marzo sus dispositivos DDR5 de 16 Gb fabricados con su nuevo proceso de fabricación 1γ (1-gamma) que utiliza litografía EUV, una primicia para Micron. El nuevo motor integrado no solo ofrece un mayor rendimiento que su predecesor, sino que también consume menos energía y está preparado para ser más barato de fabricar. La compañía también dijo que su tecnología de fabricación 1γ (nodo de clase 10nm de sexta generación) eventualmente se adoptará para otros productos DRAM.
DDR5 a 9200 MT/s
El principal producto 1γ de Micron es el IC DDR5 de 16 Gb (2 GB) de la compañía que está clasificado para una velocidad de transferencia de datos de 9200 MT/s a un voltaje estándar de la industria de 1,1 V. En comparación con su predecesor, un circuito integrado DDR5 de 16 Gb fabricado con un proceso de fabricación de 1β, el nuevo dispositivo consume un 20% menos de energía y presenta una densidad de bits un 30% mayor, lo que puede traducirse en una disminución comparable en el costo de producción una vez que los nuevos chips alcancen rendimientos comparables a los de los dispositivos DRAM de 1β 16 Gb
Si bien Micron califica sus últimos circuitos integrados DDR5 de 16 Gb a 9200 MT/s, este intervalo de velocidad es significativamente más alto que cualquier cosa en la última edición de la especificación DDR5. La compañía enfatiza que el chip puede funcionar sin problemas con grados de velocidad que cumplan con JEDEC, y el contenedor de velocidad más alto permitirá cierta prueba futura y compatibilidad con las CPU de próxima generación. Micron también sugiere que los CUDIMM o los módulos de memoria basados en CXL podrían aprovechar velocidades superiores a las de JEDEC. Es probable que los DIMM para los entusiastas también adopten los nuevos DRAM para sus módulos posteriores a 10.000 MT/s.
Actualmente, Micron está probando sus circuitos integrados DDR5 de 16 Gb fabricados con tecnología 1γ y productos en su base (es decir, chips y módulos) con fabricantes de portátiles y servidores y espera que sus calificaciones se completen en uno o dos trimestres. Eso significa que deberíamos ver los últimos dispositivos de memoria de Micron en productos minoristas a partir de mediados de 2025. La compañía espera que todos los tipos de módulos de memoria, para computadoras de escritorio, portátiles y servidores, adopten sus nuevos chips de memoria.
Teniendo en cuenta el hecho de que las DRAM basadas en 1γ de Micron ofrecen una combinación de cualidades valiosas para todos los segmentos del mercado (rendimiento mejorado para computadoras de escritorio, así como menor consumo de energía para computadoras portátiles y servidores), esperamos que los últimos circuitos integrados DDR5 de 16 Gb de la empresa se vuelvan bastante populares cuando lleguen al mercado.
Con el tiempo, Micron utilizará su tecnología de fabricación 1γ para fabricar otros tipos de productos de memoria, incluidos GDDR7, LPDDR5X (hasta 9600 MT/s) y productos de grado de centro de datos, por lo que el nodo se convertirá en un caballo de batalla para la empresa.
Tecnología de fabricación 1γ
El proceso de fabricación 1γ de Micron es la primera tecnología de la compañía que adopta la litografía ultravioleta extrema (EUV), algo que otros fabricantes de memorias líderes adoptaron hace años. Ha tardado un tiempo en llegar y parece ofrecer beneficios significativos en relación con las líneas de productos existentes.
Micron no reveló cuántas capas de EUV utiliza el nuevo nodo de producción, pero podemos especular que la empresa utiliza EUV para capas críticas que, de otro modo, requerirían el uso de patrones múltiples, lo que alarga los ciclos de producción y puede afectar a los rendimientos. Micron dice que 1γ usa EUV junto con técnicas DUV de patrones múltiples. Además, la tecnología de proceso DRAM 1γ de Micron adopta la tecnología de puerta metálica de alta K de próxima generación y un circuito de final de línea (BEOL) completamente nuevo.
«Además de la adopción de EUV en 1γ, hemos introducido nuestra próxima generación de CMOS de puerta metálica de alta K y procesos avanzados de back-end of line, que en conjunto permiten la 9200 MT/s [tasa de transferencia de datos], una mejora del rendimiento del 15% con respecto a la DRAM de 1β […] al tiempo que reduce la potencia en aproximadamente un 20% con respecto al 1β», dijo Shigeru Shiratake, vicepresidente senior de Desarrollo de Tecnología DRAM de Micron.
Por ahora, Micron produce sus DRAM 1γ en sus fábricas de Japón, donde se instaló la primera herramienta EUV de la empresa en 2024. A medida que la compañía aumente la producción de memoria 1γ, agregará más sistemas EUV a sus fábricas en Japón y Taiwán.
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