En medio de la tecnología DDR5 de mayor volumen, el principal fabricante de DRAM de China, ChangXin Memory Technologies (CXMT), finalmente reveló chips DDR5 de 16 Gb al mercado. Esta misma semana, TechInsights desmontó y analizó un dispositivo comercial que reveló este hallazgo. El Gloway 16GBx2 DDR5-6000 UDIMM (VGM5UC60C36AG-DVDYBN) consta de dieciséis dispositivos DDR5 de 16Gb fabricados a partir de CXMT (Figura 1). El tamaño del chip DDR5 de 16 Gb mide 66,99 mm2 (8,19 mm de largo, 8,18 mm de ancho, sellado con troquel), lo que da como resultado una densidad de bits de 0,239 Gb/mm2. El troquel tiene la nueva y avanzada generación de DRAM G4 de CXMT con un tamaño de celda de 0,0020 μm2 y un tamaño de característica (F) de 16,0 nm. CXMT redujo el tamaño de la celda DRAM en un 20% con respecto al nodo DRAM G3 (F = 18.0nm) anterior (Tabla 1). Los pasos de celda miden 29,8 nm, 41,7 nm y 47,9 nm para active, wordline y bitline para cada uno, lo que corresponde a las generaciones D1z (F: 15,8 ~ 16,2 nm) de Samsung, SK hynix y Micron. CXMT proporciona DDR3L (2 Gb/4 Gb), DDR4 (4 Gb/8 Gb), LPDDR4X (6 Gb/8 Gb) y LPDDR5 (12 Gb), y ahora ha agregado dispositivos DDR5 DRAM. El fabricante de memoria produjo inicialmente la generación de DRAM G1 con 23,8 nm (D2y) y luego G2 con 18,0 nm (D1x).
En cuanto al mercado de DRAM, el envío de DDR5 ya superó a DDR4 en el segundo trimestre de 2024. En 2024, los envíos de DDR5 alcanzaron los 87 exabits (frente a los 62 exabits de DDR4), y se espera que sean 150 exabits (57%) en 2025, según el Informe de mercado de DRAM de TechInsights del 4T2024. DDR5 es ahora el envío de tecnología de mayor volumen y lo seguirá siendo hasta 2027. Aunque la prohibición de EE. UU. contra China restringe el uso de dispositivos DRAM de 18 nm o más pequeños y el desarrollo de tecnología relacionada, CXMT desarrolló y lanzó con éxito productos comerciales DDR5 DRAM con nodo de tecnología avanzada (16.0 nm) para el consumo en el mercado interno chino.
Los tres principales reproductores DRAM (Samsung, SK hynix y Micron) producen dispositivos DDR5 con nodos de tecnología más avanzada, como D1a/D1α y D1b/D1β, con tamaños de características de 12 a 14 nm. Actualmente, los chips de 16 Gb son la parte de mayor volumen. Los tres principales fabricantes de DRAM comenzaron la producción en masa de DDR5 de 16 Gb en 2021, lo que significa que ahora hay una brecha tecnológica de tres años entre CXMT y estos proveedores. Sin embargo, CXMT omitió el nodo DRAM de 17 nm (D1y) y saltó directamente al nodo de 16 nm (D1z). El fabricante chino de chips ha estado desarrollando agresivamente la próxima generación (sub-15 nm sin litografía EUV) y también la tecnología de HBM. Nuestros equipos de análisis técnico continuarán profundizando en los materiales, la integración de procesos y el diseño de chips, y publicando nuestros hallazgos en la plataforma TechInsights a medida que estén disponibles. Por favor, estén atentos.
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