El fabricante chino de chips bate récords: YMTC comienza a enviar silenciosamente TLC NAND 3D de 5ª generación

El fabricante chino de chips bate récords: YMTC comienza a enviar silenciosamente TLC NAND 3D de 5ª generación

El fabricante chino de chips bate récords: YMTC comienza a enviar silenciosamente TLC NAND 3D de 5ª generación

Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) ha comenzado silenciosamente a enviar su memoria NAND 3D de 5ª generación con 294 capas en total, así como 232 capas activas, y los analistas de TechInsights han logrado obtener estos circuitos integrados para su análisis, informes @Jukanlosreve. Resulta que YMTC ha aumentado con éxito la densidad de bits a los niveles de sus pares de la industria, mientras que también logró la densidad de puerta vertical más alta, a pesar de las sanciones contra la empresa impuestas por los EE. UU.

Sin embargo, hay un par de trampas.

El chip alcanza un notable número total de capas (o puertas por cadena NAND vertical), 294, que según TechInsights es el más alto para los productos comerciales actuales. Se espera que el número de capas activas de la NAND 3D de 5ª generación de YMTC sea de 232, lo mismo que en el caso de la NAND 3D de 4ª generación de la compañía, que tiene 253 capas en total. El aumento en el número total de capas podría ser una forma de mejorar el rendimiento al aumentar la redundancia o habilitar ciertas características.

Al igual que sus predecesores, el dispositivo 3D NAND utiliza el apilamiento de cadenas. Sin embargo, no está claro si Yangtze Memory utiliza dos matrices de ~147 capas o varias matrices con menos capas. En cualquier caso, las 294 capas (incluidas las capas activas y ficticias) son un hito importante para YMTC y toda la industria de la memoria flash.

GeneraciónModeloOrganizaciónArquitecturaCapas activasCapas totalesApilamiento de cadenasApilamiento de cadenas (capas totales)
G1X0-A030MLCConvencional3239
G2X1-9050TLCXtacking 1.06473
G3X2-9060TLCXtacking 1.06473
G3X2-6070QLCXtacking 2.01281412x64LL69+U72
G4PruebaXtacking 3.0192/196196??
G4X3-9060TLCXtacking 3.01281412x64LL69+U72
G4X3-9070TLCXtacking 3.02322532x116LL128+U125
G4X3-6070QLCXtacking 3.0128?2x64L?
G5X4-9060TLCXtacking 4.0128?2x64L?
G5X4-9070TLCXtacking 4.0232?2x116L?
G6 (?)?TLC?232??Fila 11 – Celda 7

232 capas activas no es un recuento de capas récord para 3D NAND, pero está en línea con los rivales. Sólo la NAND 3D de 9ª generación de 321 capas de SK hynix tiene más de 300 capas activas en la actualidad, aunque sus envíos comenzarán en el primer semestre de este año. El logro de 294 capas totales (o puertas por cadena NAND vertical) no solo posiciona a YMTC como un fuerte competidor en el mercado global de memorias flash NAND, sino que también señala un progreso significativo en la industria de semiconductores de China en medio de importantes sanciones de EE. UU.

En términos de densidad de bits, el dispositivo TLC 3D de 5ª generación de YMTC supera los 20 Gb/mm², lo que parece estar en línea con lo que ofrece el G9 3D TLC NAND IC de SK hynix y está ligeramente por debajo de los 22,9 Gb/mm² que presenta el dispositivo NAND 3D QLC BICS8 de Kioxia/Western Digital BiCS8, según TechInsights. Los competidores de YMTC aún no han introducido chips 3D TLC NAND con niveles de densidad similares a los del mercado.

Celda de encabezado – Columna 0YMTCYMTCMicraSamsung (Estados Unidos)WD/KioxiaSK hynix
Generación?Xtacking 3.0/Gen 4Generación 9 (G9)V9BiCS 8Generación 9
Número de capas232 capas232 capas276 capas290 capas (?)218 capas321 capas
Densidad por mm²>20 Gb mm^219,8 Gb mm^221.0 Gb mm^217 Gb mm^222,9 Gb mm^2 (?)20 mm^2
ArquitecturaTLCQLCTLCTLCQLCTLC
Capacidad del troquel1 cucharada1 cucharada1 cucharada1 cucharada2 cucharadas1 cucharada
Velocidad de la interfaz??Hasta 3600 MT/sHasta 3200 MT/sHasta 3600 MT/s?
Next-Gen (fecha de lanzamiento)?Xtacking 4.0 (?)(desconocido)3xx (desconocido)??

Con sus dispositivos NAND TLC 3D de 232 capas de 5ª generación, Yangtze Memory sigue utilizando la tecnología de enlace híbrido para conectar la matriz flash con la lógica y la interfaz CMOS, lo que permite a la empresa maximizar la densidad de almacenamiento y el rendimiento de E/S para los mejores SSD que suelen superar lo que ofrecen sus rivales. Los circuitos integrados 3D TLC NAND de YMTC utilizan la arquitectura Xtacking 4.0.

La NAND 3D de 232 capas de YMTC con 294 puertas por cadena NAND marca un hito importante para la compañía en particular y para la industria de memoria china en general. Cabe destacar que Yangtze Memory no ha anunciado formalmente sus dispositivos NAND 3D TLC de 5ª generación, sino que ha comenzado silenciosamente sus envíos de volumen. Es posible que este movimiento se hiciera para evitar llamar la atención del gobierno de los EE. UU. y arriesgarse a más sanciones.


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