Los CUDIMM se overclockean a DDR5-12108 para establecer un nuevo récord mundial de RAM OC: las nuevas CPU Arrow Lake de Intel catapultan a los CUDIMM más allá de la barrera DDR5-12000
Kovan Yang, un overclocker extremo, acaba de lograr el récord mundial de RAM más rápida con la Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM y una placa base MSI MEG Z890 Unify-X con un procesador Intel Core Ultra 7 265KF. Según una publicación en X (antes Twitter) de Kingston, el récord alcanzó velocidades de transferencia para DDR5-12,108. El sitio web de HWBot informa que el usuario Kovan Yang logró esto con 24 GB de los recién lanzados Kingston Fury Renegade DDR5-8400 CUDIMM. G. Skill también homenajeó a otros cuatro overclockers que rompieron la DDR5-12000. Todos estos entusiastas estaban armados con tarjetas de memoria G.Skill Trident Z5 en diferentes configuraciones de capacidad, pero en particular, todos usaban procesadores Intel Core Ultra 9 285K y una placa base Asus ROG Maximus Z890 Apex. Se ha confirmado que todos estos poseedores de récords, excepto uno, usan nitrógeno líquido para enfriar sus configuraciones de overclocking, por lo que es probable que no obtenga estas velocidades en casa usando su computadora de escritorio Daily Driver. Sin embargo, estos registros muestran hasta dónde ha llegado la tecnología de la memoria y que ahora podemos lograr estos logros sin sacrificar la fiabilidad. Usuario Velocidad Memoria Capacidad Placa base Procesador Kovan Yang DDR5-12108 Kingston Fury Renegade 24 GB MSI MEG Z890 Unify-X Intel Core Ultra 7 265KF Benchmarc DDR5-12066 G.Habilidad Tridente Z5 48 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K LOS OJOS DDR5-12046 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Zona de terror DDR5-12046 G. Habilidad 24 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K CENS DDR5-12042 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Estos registros de overclockers profesionales aparecerán poco después del lanzamiento minorista de la próxima generación de procesadores Intel Core Ultra 200S junto con las placas base Z890. Los últimos chips de Intel solo son compatibles con DDR5-6400 de forma nativa cuando se ejecutan CUDIMM en perfiles de alimentación de serie. Aún así, fabricantes como G.Skill, Asgard, TeamGroup y más han lanzado tarjetas de memoria más rápidas que podrían llegar a DDR-9600 cuando se combinan con una placa base Z890 capaz. Sin embargo, estos poseedores del récord no solo compraron las tarjetas de memoria y placas base más caras y dieron por terminado el día para alcanzar estas velocidades. En su lugar, deben hacer ajustes minuciosos en la configuración avanzada de su placa base, como cambiar el voltaje y la sincronización de la memoria, para superar la barrera de la DDR5-12000. Además, alcanzar este récord significa un enfriamiento exótico con nitrógeno líquido, ya que el enfriamiento convencional no sería suficiente para manejar todo el calor generado. No necesitas estos números si eres un jugador promedio, incluso la mayoría de los usuarios avanzados probablemente no necesiten pasar de DDR5-12000. Todavía es interesante ver hasta dónde podemos llevar nuestra tecnología actual, y a medida que obtengamos hardware más potente y eficiente en el futuro, incluso podríamos ver un momento en que estos números sean la norma.
Micron lanza DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM para CPU Intel Core Ultra 200S: kits DDR5-6400 de hasta 32 GB de capacidad con temporizaciones C52
Micron ha ampliado la amplia cartera de memoria de la marca con los kits de memoria Crucial DDR5-6400 Clocked Unbuffered DIMM (CUDIMM) y Clocked SODIMM (CSODIMM) para rivalizar con la mejor RAM. Aunque los kits de memoria están dirigidos a los últimos procesadores Core Ultra 200S de Intel (nombre en código Arrow Lake), son compatibles con cualquier plataforma existente que aproveche la memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM incorporan un controlador de reloj integrado (CKD). Sin profundizar demasiado en el aspecto técnico, el controlador de reloj tiene un papel importante: almacena en búfer la señal de reloj base entre el controlador de memoria y los chips de memoria. Como resultado, la integridad de la señal permanece intacta y se conserva la velocidad de datos. Elimina efectivamente el controlador de memoria integrado (IMC) del procesador de la ecuación, lo que permite que los CUDIMM y los CSODIMM se ejecuten a la velocidad anunciada, independientemente de la calidad del IMC. Mientras que otros fabricantes de memoria están lanzando CUDIMM hasta DDR5-9600, Micron se apega a la línea de base de JEDEC, que es DDR5-6400. No es una completa sorpresa, ya que Micron ha estado fuera del mercado de los entusiastas desde que la compañía decidió retirar la marca Ballistix en 2022. Desde entonces, Micron ha estado lanzando kits de memoria con JEDEC (DDR5-4800) o ligeramente overclockeados (DDR5-6000). No se sabe si Micron ofrecerá CUDIMM y CSODIMM más rápidos en el futuro. Mientras tanto, los CUDIMM y CSODIMM de Micron solo vienen en la versión de 16 GB. Sin embargo, la compañía ya ha validado módulos de memoria de hasta 64 GB con Arrow Lake, allanando el camino para hasta 256 GB en una plataforma de consumo con cuatro ranuras de memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM con 64 GB de capacidad no estarán disponibles hasta la primera mitad de 2025. Número de pieza Descripción Precios CT16G64C52CS5 Crucial 16GB DDR5-6400 CSODIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CS5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CSODIMM CL52 $169.99 CT16G64C52CU5 Crucial 16GB DDR5-6400 CUDIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CU5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CUDIMM CL52 $169.99 Micron vende los CUDIMM y CSODIMM de 16 GB como sticks individuales y kits de memoria de doble canal con dos módulos de memoria. Actualmente, la única capacidad disponible del kit es de 32 GB, que comprende dos CUDIMM o CSODIMM de 16 GB. Independientemente del factor de forma y la presentación, los kits de memoria funcionan en DDR5-6400 con tiempos de 52-52-52-103 y un voltaje DRAM de 1,1 V. Los CUDIMM y CSODIMM de Micron funcionan a diferentes velocidades, dependiendo de la plataforma. Se ajustarán a la especificación nativa del procesador. Por ejemplo, los módulos de memoria se ejecutan en DDR5-6400 junto con un procesador Core Ultra 200S porque Arrow Lake adopta la memoria DDR5-6400 de forma nativa. Por el contrario, cuando se empareja con un chip Raptor Lake Refresh de 14ª generación o anterior, los módulos de memoria bajarán a DDR5-5600. En una plataforma AMD, los módulos de memoria predeterminados son DDR5-3200 o DDR5-5600 cuando se conectan a un procesador Ryzen 9000, ya que Zen 5 tiene soporte nativo para la memoria DDR5-5600. Sin embargo, Micron advierte a los consumidores que no sobre aceleren los módulos de memoria más allá de las especificaciones, velocidades nominales o tiempos de JEDEC, ya que eso anularía la garantía. Los CUDIMM y CSODIMM están disponibles en el sitio web de Crucial. Son los primeros productos en llegar al mercado minorista. Hemos visto muchos anuncios de CUDIMM, pero ninguno de los kits de memoria CUDIMM anunciados está disponible para su compra. Micron vende el CUDIMM de 16 GB por 84,99 dólares, mientras que el kit de memoria CUDIMM de 32 GB (2×16 GB) cuesta 169,99 dólares. El precio es idéntico para los CSODIMM: 84,99 dólares por un solo módulo de 16 GB y 169,99 dólares por el kit de memoria de 32 GB (2×16 GB).
Diferencia entre memoria RAM ECC y NON-ECC: todo lo que necesitas saber
Posiblemente no te hayas fijado que las memorias RAM normalmente se denominan por su formato: DDR, DDR2, DDR3 o las actuales DDR4. Pero entre ellas existen dos tipos: Memoria RAM ECC y las NON-ECC. Las que usamos los usuarios domésticos son las memorias RAM NON-ECC y los equipos Workstation y servidores las denominadas ECC. ¿Quieres saber sus diferencias? ¡Te lo explicamos en este tutorial! ¿Qué son las memorias RAM ECC y NON-ECC? El sistema de almacenamiento de un ordenador está jerarquizado por sub-sistemas que forman parte de un todo, siendo este el sistema de memoria. Entre estos sistemas que componen a uno mayor, se encuentra el disco duro, la memoria RAM y la caché interna del procesador. Por supuesto, cada uno tiene un objetivo y una función particular, y la memoria RAM, que significa Random Access Memory (traducido como Memoria de Acceso Aleatorio) no es la excepción a la regla. Existe diversa cantidad de memorias RAM, y suelen prestarse a confusión por sus similitudes, como es el caso de las memorias RAM ECC y NON-ECC. En primera instancia, se debe comprender qué acciones realiza una memoria RAM por sí sola. Esta memoria de acceso rápido o aleatorio permite el almacenamiento de la información sobre los registros que utiliza el ordenador para cumplir sus tareas. Hay registros que sirven específicamente para acciones particulares, es decir, que cada tipo de registro tiene su funcionalidad. La memoria RAM guarda los registros de tareas determinadas, por lo que tiene influencia directa en la velocidad de respuesta del procesador ya que hay bloques de almacenamiento de datos que permite fragmentar procesos. Sin embargo su rasgo más distintivo es la capacidad de almacenamiento; su objetivo siempre será agilizar las respuestas para que no llegue a detenerse el sistema por algún programa y el procesador no se vea obligado a buscar en el disco duro, ya que toma mucho tiempo en generar una respuesta. Un ordenador básico puede funcionar de manera decente con 2GB de RAM, mientras que quien desee utilizar aplicaciones como juegos o programas profesionales debe tener una RAM con capacidad de 16 ó 32 GB. Por supuesto, a mayor capacidad, más costosa será la memoria y su precio se ha visto relativamente inflado los últimos meses por la demanda de mayor memoria para los smartphone. Diferencias entre las memorias RAM ECC y NON-ECC La palabra ECC significa «Error Correcting Code», que implica que la memoria RAM tiene un bit extra, el cual representa un código programado para detectar errores en el procesador y avisarnos que hay que sustituir la memoria RAM. Ya que funcionan con sistema binario, si el bit llega a estar en 1, es que detectó un error; de estar en 0, implica que todo está correctamente. Cuando hay un bit de corrección de errores implica que la RAM es capaz de guardar información de registros que no se encuentran en la memoria CACHE del procesador; esta es la memoria de acceso instantáneo del procesador. Es posible que a veces ocurran errores por subidas de temperatura o fallos electrónicos, y estos errores hacen que se cambien algunos bits de los registros y así hay errores de funcionamiento del procesador. Las memorias RAM ECC tienen un diseño en la arquitectura que permite detectar el bit alterado y corregirlo, sin perder datos de funcionamiento. Las memorias RAM ECC y NON-ECC son sencillas de identificar y diferenciar porque, básicamente, la diferencia es de un bit. La NON-ECC simplemente no tiene este bit de corrección de error, y es conocida como la memoria RAM normal, que está presente en la mayoría de las ordenador. Como identificar si tú módulo si tu RAM es ECC o NON-ECC Es tan simple como ir a la pegatina de tu memoria RAM e identificar el modelo exacto. Muchas veces te vienen «Non-ECC» en ellas inscritos y otras veces el modelo. Si no quieres abrir el PC, puedes averiguar el modelo con el programa CPU-Z en la pestaña SPD. Apunta el modelo y busca en la web del fabricante Corsair, G.Skill, Kingston…) todas sus características. En uno de los apartados vendrá explícito si es Non-ECC o ECC. Pero si usas un ordenador convencional ya te adelantamos que será Non-ECC. Nuestra conclusión sobre la memoria ECC A pesar de tener una diferencia tan mínima, pocas veces son utilizadas en los mismos aparatos; es decir, las memorias RAM ECC y NON-ECC cumplen las mismas funciones, solo que la ECC tiene un valor agregado. Sin embargo, por el bit extra, también suele correr más lentamente y puede llegar a ser hasta un 20 al 30 % más caras y no son muy habituales en tiendas. La memoria ECC suele ser utilizada en servidores centrales, por la necesidad de un sistema de respaldo en caso de fallo de procesamiento. Un portátil o un ordenador básico de oficina no deberían tener problemas en funcionar con una memoria normal, ya que a que el uso que se le es dado es lo suficientemente sencillo como para no tener fallos que impliquen correcciones automáticas.
Micron lanza DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM para CPU Intel Core Ultra 200S: kits DDR5-6400 de hasta 32 GB de capacidad con temporizaciones C52
DDR5-6400 que es plug-and-play. Micron ha ampliado la amplia cartera de memoria de la marca con los kits de memoria Crucial DDR5-6400 Clocked Unbuffered DIMM (CUDIMM) y Clocked SODIMM (CSODIMM) para rivalizar con la mejor RAM. Aunque los kits de memoria están dirigidos a los últimos procesadores Core Ultra 200S de Intel (nombre en código Arrow Lake), son compatibles con cualquier plataforma existente que aproveche la memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM incorporan un controlador de reloj integrado (CKD). Sin profundizar demasiado en el aspecto técnico, el controlador de reloj tiene un papel importante: almacena en búfer la señal de reloj base entre el controlador de memoria y los chips de memoria. Como resultado, la integridad de la señal permanece intacta y se conserva la velocidad de datos. Elimina efectivamente el controlador de memoria integrado (IMC) del procesador de la ecuación, lo que permite que los CUDIMM y los CSODIMM se ejecuten a la velocidad anunciada, independientemente de la calidad del IMC. Mientras que otros fabricantes de memoria están lanzando CUDIMM hasta DDR5-9600, Micron se apega a la línea de base de JEDEC, que es DDR5-6400. No es una completa sorpresa, ya que Micron ha estado fuera del mercado de los entusiastas desde que la compañía decidió retirar la marca Ballistix en 2022. Desde entonces, Micron ha estado lanzando kits de memoria con JEDEC (DDR5-4800) o ligeramente overclockeados (DDR5-6000). No se sabe si Micron ofrecerá CUDIMM y CSODIMM más rápidos en el futuro. Mientras tanto, los CUDIMM y CSODIMM de Micron solo vienen en la versión de 16 GB. Sin embargo, la compañía ya ha validado módulos de memoria de hasta 64 GB con Arrow Lake, allanando el camino para hasta 256 GB en una plataforma de consumo con cuatro ranuras de memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM con 64 GB de capacidad no estarán disponibles hasta la primera mitad de 2025. Especificaciones cruciales de DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM Número de pieza Descripción Precios CT16G64C52CS5 Crucial 16GB DDR5-6400 CSODIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CS5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CSODIMM CL52 $169.99 CT16G64C52CU5 Crucial 16GB DDR5-6400 CUDIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CU5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CUDIMM CL52 $169.99 Micron vende los CUDIMM y CSODIMM de 16 GB como sticks individuales y kits de memoria de doble canal con dos módulos de memoria. Actualmente, la única capacidad disponible del kit es de 32 GB, que comprende dos CUDIMM o CSODIMM de 16 GB. Independientemente del factor de forma y la presentación, los kits de memoria funcionan con DDR5-6400 con tiempos de 52-52-52-103 y un voltaje DRAM de 1,1 V. Los CUDIMM y CSODIMM de Micron funcionan a diferentes velocidades, dependiendo de la plataforma. Se ajustarán a la especificación nativa del procesador. Por ejemplo, los módulos de memoria se ejecutan en DDR5-6400 junto con un procesador Core Ultra 200S porque Arrow Lake adopta la memoria DDR5-6400 de forma nativa. Por el contrario, cuando se empareja con un chip Raptor Lake Refresh de 14ª generación o anterior, los módulos de memoria bajarán a DDR5-5600. En una plataforma AMD, los módulos de memoria predeterminados son DDR5-3200 o DDR5-5600 cuando se conectan a un procesador Ryzen 9000, ya que Zen 5 tiene soporte nativo para la memoria DDR5-5600. Sin embargo, Micron advierte a los consumidores que no sobreaceleren los módulos de memoria más allá de las especificaciones, velocidades nominales o tiempos de JEDEC, ya que eso anularía la garantía. Los CUDIMM y CSODIMM están disponibles en el sitio web de Crucial. Son los primeros productos en llegar al mercado minorista. Hemos visto muchos anuncios de CUDIMM, pero ninguno de los kits de memoria CUDIMM anunciados está disponible para su compra. Micron vende el CUDIMM de 16 GB por 84,99 dólares, mientras que el kit de memoria CUDIMM de 32 GB (2×16 GB) cuesta 169,99 dólares. El precio es idéntico para los CSODIMM: 84,99 dólares por un solo módulo de 16 GB y 169,99 dólares por el kit de memoria de 32 GB (2×16 GB).
¿Por qué la VRAM es importante en los juegos modernos? AMD lo explica antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA
La memoria de vídeo o VRAM es uno de los componentes más importantes de una tarjeta gráfica, ya que almacena los datos necesarios para renderizar las imágenes que vemos en la pantalla. Cuanta más VRAM tenga una tarjeta gráfica, más información podrá guardar y procesar, lo que se traduce en una mayor calidad y fluidez de los gráficos. Sin embargo, no todas las tarjetas gráficas ofrecen la misma cantidad de VRAM, y esto puede afectar al rendimiento y la experiencia de los juegos, especialmente a resoluciones altas y con efectos avanzados como el trazado de rayos. Por eso, AMD ha publicado un artículo en su blog oficial titulado ‘Building an Enthusiast PC‘ donde defiende que tener más VRAM en las tarjetas gráficas es importante para los juegos modernos, y lo hace justo antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA, que tendrá 12 GB de memoria. AMD vs NVIDIA: la batalla por la VRAM AMD compara sus modelos Radeon RX 7000 y RX 6000 con las series GeForce RTX 40 y RTX 30 de NVIDIA, mostrando que ofrece más VRAM por segmento y a precios similares o más bajos. Por ejemplo, la Radeon RX 7900 XTX tiene 24 GB de VRAM frente a los 16 GB de la GeForce RTX 4080, y la Radeon RX 6800 XT tiene 16 GB de VRAM frente a los 8 GB de la GeForce RTX 3070 Ti. AMD afirma que estos juegos como Resident Evil 4 Remake, The Last of Us Part 1 o Hogwarts Legacy consumen más de 11 GB de VRAM a 4K y aún más con trazado de rayos, por lo que tener más memoria puede mejorar el rendimiento y la calidad gráfica. Además, AMD señala que los juegos de nueva generación requerirán aún más VRAM, ya que se basarán en las consolas PlayStation 5 y Xbox Series X/S, que tienen 16 GB de memoria combinada. Para ilustrar su argumento, AMD muestra algunos ejemplos de juegos donde se aprecia una mejora del rendimiento al pasar de una tarjeta gráfica con 4 GB de VRAM a una con 8 GB o más. En DOOM Eternal, la tarjeta con 8 GB puede ejecutar el juego en los ajustes de Ultra Nightmare a 75 FPS (1080p), mientras que la tarjeta con 4 GB no puede aplicar esos ajustes. En otros títulos como Borderlands 3, Call of Duty: Modern Warfare, Forza Horizon 4, Ghost Recon Breakpoint o Wolfenstein 2: The New Colossus, se observa una mejora del rendimiento de hasta un 19% de media al utilizar la misma tarjeta y aumentar la cantidad de VRAM. AMD quiere convencer a los usuarios de que sus tarjetas gráficas son una mejor opción para los juegos actuales y futuros que requieren mucha VRAM. Esta noticia se produce poco antes del lanzamiento de la GeForce RTX 4070 de NVIDIA, que tendrá 12 GB de VRAM y competirá con la Radeon RX 7900 XT de AMD, que tiene 20 GB. ¿Será suficiente la diferencia de memoria para inclinar la balanza a favor de AMD? ¿O tendrá NVIDIA otras ventajas que compensen su menor cantidad de VRAM? Lo sabremos pronto. La historia se repite No es la primera vez que AMD critica a NVIDIA por ofrecer poca VRAM en sus tarjetas gráficas. En enero de este año, AMD eliminó un post de su blog donde decía que “4 GB de VRAM no son suficientes para los juegos” antes de lanzar su Radeon RX 6500 XT, que también tenía 4 GB. Esta tarjeta gráfica recibió muchas críticas por su escasa memoria y su alto precio, y se demostró que no podía ejecutar algunos juegos como God of War a 1080p con calidad ultra por falta de VRAM. AMD también afirmó en junio de 2020 que la era de las GPUs con 4 GB de VRAM había acabado, y que los juegos necesitaban más. En ese momento, comparaba sus tarjetas Radeon RX 5500 XT de 8 GB con las GeForce GTX 1650 Super y GTX 1660 Super de NVIDIA, que tenían 4 GB y 6 GB respectivamente, y mostraba algunas pruebas donde se veía una mejora del rendimiento al usar más VRAM en juegos como DOOM Eternal, Borderlands 3 o Call of Duty: Modern Warfare. Si te ha gustado ¿Por qué la VRAM es importante en los juegos modernos? AMD lo explica antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA
TEAMGROUP presenta la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5
TEAMGROUP, uno de los líderes mundiales en soluciones de memoria, presenta la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5, diseñada para ser compatible con la nueva generación de procesadores AMD Ryzen 9000 y las placas base X870E. Equipada con perfiles AMD EXPO, los usuarios pueden overclockear sin problemas hasta 8000 MHz con un solo clic, destacando las capacidades superiores de overclocking de TEAMGROUP en la plataforma AMD. Con el lanzamiento de los procesadores AMD Ryzen 9000, los fabricantes de placas base han lanzado actualizaciones de AGESA para la plataforma AM5. T-FORCE DELTAα DDR5 no solo es compatible con las plataformas Intel de las series 700 y 600, sino también con la plataforma AMD Ryzen 9000. Con tecnología de overclocking de modo dual a través de XMP 3.0 (Extreme Memory Profile) y EXPO (EXTended Profiles for Overclocking) e integrada con On-die ECC (código de corrección de errores), ofrece a los jugadores una experiencia de overclocking estable y fiable a velocidades de hasta 8000 MHz, satisfaciendo plenamente las necesidades de los usuarios de plataformas Intel y AMD con un rendimiento inigualable. La marca T-FORCE de TEAMGROUP sigue colaborando estrechamente con los principales fabricantes de placas base, como ASRock, ASUS, BIOSTAR, Gigabyte y MSI. A través de una estricta validación de compatibilidad QVL, se garantiza que la memoria T-FORCE DELTAα funciona a la perfección con cualquier placa base. Además, la tecnología de verificación IC propiedad de TEAMGROUP asegura que cada producto cumple con los más altos estándares de calidad para ofrecer una estabilidad y eficiencia excepcionales a los entusiastas del overclocking de todo el mundo. Para más detalles sobre la memoria de sobremesa T-FORCE DELTAα RGB DDR5, permanece atento a los canales oficiales de TEAMGROUP para las últimas actualizaciones.
Intel Optane, análisis: la alternativa al SSD que quiere ser mucho más
Los SSD han supuesto tal revolución en el almacenamiento de nuestros PCs que las tecnologías que las diferentes compañías proponen como alternativa las acogemos con bastante entusiasmo. Es el caso de las Intel Optane, memorias no volátiles con tecnología 3D Xpoint. ¿Son en realidad la revolución que prometen? Así funcionan las memorias Intel Optane Intel Optane es el nombre comercial que reciben las memorias de tipo no volátil basadas en tecnología 3D Xpoint, desarrollo que ha partido de cero para sustituir a la NAND que se usa actualmente en las unidades SSD. Su máximo responsable es Intel, quien sacó al mercado hace unas semanas las primeras opciones comerciales para los consumidores. Por ahora su objetivo es acompañar al almacenamiento tradicional y conseguir menos latencia y más velocidad, pero podríamos estar hablando de una opción de futuro incluso para la RAM del equipo. A nivel técnico, la memoria Intel Octane consigue una velocidad de lectura aleatoria que mejora a las de las NAND básicos. En latencia las cifras son todavía mejores. Sin embargo, en procesos de escritura esa ventaja se desvanece y queda neutralizada por un SSD de nivel. Eso dice la teoría y el análisis de su ficha técnica. 16 GB 32 GB Tipo M.2 NVMe 1.1 M.2 NVMe 1.1 Interfaz PCIe 3.0 x2 PCIe 3.0 x2 Lectura secuencial 900 MB/s 1350 MB/s Escritura secuencial 145 MB/s 290 MB/s Lectura aleatoria 190k IOPS 240k IOPS Escritura aleatoria 35k IOPS 65k IOPS Latencia lectura 7 µs 9 µs Latencia escritura 18 µs 30 µs Consumo 3,5 W 3,5 W Reposo 1 W 1 W Durabilidad 182.5 TB 182.5 TB En el caso de las memorias destinadas a los ordenadores de consumo, estamos hablando de capacidades bastante reducidas (16 y 32 GB por ahora) que se usarán en combinación con nuestra unidad de almacenamiento principal. Aunque podemos hacerlo tanto con SSD como con discos clásicos, lo sensato es recurrir a estas memorias Intel Optane con discos mecánicos y compensar su reducida velocidad de funcionamiento respecto a los SSD. Además de un precio por GB altísimo, las Intel Optane solo pueden usarse en equipos muy específicos y actuales Al final, la teoría dice que podremos mejorar la velocidad general del sistema al actuar estos Intel Optane como una especie de memoria caché intermedia y muy rápida. Configurando las Intel Optane Pensar en comprar una memoria Intel Optane para nuestro PC no es una tarea sencilla. Lo primero que se necesita es un equipo bastante concreto. No todos los chipset valen (serie 200 o posterior), necesitamos slot M.2 y solo funcionará con procesadores Kaby Lake, es decir, de la última generación salida al mercado de consumo. Como sistema operativo solo podemos recurrir a Windows 10 de 64 bits, y necesitamos controladores específicos y configurar las memorias. Ahí es donde podemos activar o no el uso de los Intel Optane en nuestro sistema. El proceso, si la placa BIOS está correctamente actualizada y soportada, es el mismo que seguimos al instalar cualquier otra aplicación. Desde ella podemos tanto habilitar como desactivar la memoria Intel Octane, siendo necesario reiniciar el equipo para que el cambio surta efecto. La desventaja del precio La revolución que plantea la memoria Intel Optane tiene en el precio una de sus barreras más altas. La unidad de 16 GB cuesta actualmente 56 euros mientras que la de 32 GB sube hasta los 95 euros. Si comparamos con el precio de unidades SSD, la diferencia es considerable. Por esos 56 euros podemos instalar a nuestro PC un SSD WD Green M2 de 120 GB. Memorias Intel Optane a prueba Los escenarios en que las memorias Intel Optane cobran sentido en el ámbito de consumo no son muchos. El más común será aquel en el que disponemos de un disco duro mecánico de gran capacidad que queremos conservar por su excelente relación precio/GB, pero sin renunciar a un funcionamiento fluido del sistema, carga de programas e incluso juegos. Va a a ser extraño que alguien que disponga de los nuevos Intel Kaby Lake no haya optado por un SSD como unidad al menos para el sistema operativo. Pero si es el caso, las Intel Optane son la alternativa si no queremos comprar un SDD. Al instalar la memoria Intel Optane en este entorno, los 16/32 GB se suman y solo nos aparece una unidad de disco principal. A partir de ese momento será el sistema operativo el que se encargue de gestionar esa caché virtual extra. El equipo de pruebas, al tener que ser compatible, nos lo ha cedido en parte Intel. Se compone de una placa base ASUS Maximu IX Hero, procesador Intel Core i5-7500 a 3,4 GHz y la citada memoria Optane de 32 GB. El resto de la configuración es la habitual en nuestras pruebas hardware: disco duro Seagate de 1 TB / 7200 rpm y 16 GB de memoria RAM DDR4 2126 Mhz. Para esta prueba hemos optado por contar exclusivamente con la GPU interna del Intel Core i5, por considerarlo un entorno más lógico para este tipo de memoria del que queremos conocer el efecto real en fluidez del sistema. Tanto el sistema operativo (Windows 10 Home 64 bits) como la placa base y el resto de componentes hardware fueron actualizados con los últimos drivers disponibles antes de las pruebas. Tiempo de arranque y benchmarks El primer uso que queremos dar a la Intel Optane es el más inmediato: comprobar cuánto mejora el tiempo de arranque tanto del sistema operativo como de algunas aplicaciones. Con el equipo base sin la memoria Optane activada, medimos el tiempo que tarda el sistema en mostrarnos el escritorio tras pulsar el botón de encendido. Luego activamos Optane y realizamos lo mismo. Como vemos, es en este escenario de arranque del equipo, recuperación desde modo reposo o ejecución de aplicaciones (las diferencias se aprecian especialmente la primera vez que las abrimos en cada sesión) cuando las memorias Intel Optane sí que agilizan de manera sustancial un equipo incluso actual en el que solo contamos con disco duro mecánico. El siguiente paso ya tiene como protagonistas a los benchmarks habituales de rendimiento. Empezamos con PCMark8, concretamente
Los Intel Core Ultra 200 «Arrow Lake» soportarán velocidades DDR5 de hasta 10.000 MT/s
Los próximos procesadores de sobremesa Intel Core Ultra 200 «Arrow Lake» podrían alcanzar velocidades DDR5 de entre 8.000 y 10.000 MT/s, según la última filtración difundida en la plataforma china Weibo. Dicho esto, los actuales procesadores Raptor Lake Refresh de Intel tienen dificultades para alcanzar los 8.000 MT/s, incluso con los mejores kits de memoria. Además, representa un gran avance con respecto a su contrincante AMD, cuyos chips de la serie 9000 suelen alcanzar picos de 7000 MT/s. Introducida a principios del presente año, la tecnología CUDIMM incorpora un controlador de reloj que regenera la señal de reloj, mejorando la estabilidad y permitiendo frecuencias de memoria más elevadas. De ahí que los nuevos módulos DIMM puedan alcanzar frecuencias muy superiores de MT/s en plataformas como Arrow Lake. Si bien es cierto que aún está por ver si los procesadores Arrow Lake soportarán velocidades de memoria de 10.000 MT/s desde su lanzamiento, la trayectoria de desarrollo apunta a que tales velocidades podrán alcanzarse en breve. Asgard, fabricante de memorias, ha presentado recientemente módulos CUDIMM que funcionan a 9600 MT/s, lo que deja entrever su potencial. Por su parte, los fabricantes de placas base tampoco se quedan con los brazos cruzados. Las especificaciones filtradas de la próxima placa Z890 Taichi de ASRock sugieren soporte para velocidades de memoria de hasta 9200 MT/s en configuraciones específicas, lo que supone con respecto a su predecesora un incremento de 2.000 MT/s.
clasificacion Memoria ram
RAM son las siglas de random access memory, un tipo de memoria de ordenador a la que se puede acceder aleatoriamente; es decir, se puede acceder a cualquier byte de memoria sin acceder a los bytes precedentes. La memoria RAM es el tipo de memoria más común en ordenadores y otros dispositivos como impresoras TIPOS POR QUE SE PRODUCEN INCOMPATIBILIDADES EN LAS MEMORIAS RAM. Uno de los mayores problemas que se producen con los módulos de memoria RAM cuando queremos ampliar esta es el problema de las incompatibilidades. Vamos a ver realmente cuales son las causas de estas incompatibilidades. De ENTRADA, vamos a aclarar dos puntos: Ni la diferencia de capacidad de las memorias ni incluso la diferencia de velocidad de los módulos (siempre y cuando la placa base soporte las velocidades) son causa de incompatibilidad. Podemos mezclar sin problemas módulos de 256MB, 512MB y de 1GB sin que se produzca ninguna incompatibilidad entre ellos. Incluso podemos mezclar módulos PC-333 y módulos PC-400, que mientras que la placa base soporte ambos tipos tampoco tendremos problemas (aunque, eso si, el sistema se regirá siempre por la velocidad del módulo más lento). Pero aquí termina la lista de los parámetros de una memoria que no son (o pueden ser) causa de incompatibilidad entre módulos. Vamos a analizar los diferentes parámetros de una memoria que sí que son (o pueden ser) causa de incompatibilidad, aunque hay que dejar bien claro que estas incompatibilidades dependen en gran medida de los márgenes de tolerancia de la placa base, por lo que dos módulos pueden trabajar perfectamente en una determinada placa base y ser incompatibles en otra. Tipos de módulos de memoria: Los tipos de módulos más habituales en la actualidad son los módulos DDR, DDR2 y ya bastante menos los módulos SDRAM (aunque hay que aclarar que todos estos tipos son SDRAM, es decir, Synchronous Dynamic Random Access Memory, lo que se conoce normalmente por memorias SDRAM son las memorias SDR(Single Data Rate), en contraposición a las DDR (Double Data Rate). Estos módulos se han ido sustituyendo en el tiempo. Primero fueron los SDRAM, que dieron paso a los DDR y estos a los DDR2. Estos módulos son incompatibles físicamente entre ellos, pero existen una serie de placas base del tipo dualque admiten dos formatos de módulos diferentes, SDRAM y DDR o DDR y DDR2. Pero que admitan ambos tipos no quiere decir que estos se puedan mezclar. En una placa dual podemos poner módulos de un tipo o de otro, pero NO de los dos. Posición de los chips de memoria: Existen módulos de memoria que tienen los chips en una sola de sus caras y otros que tienen los chips en ambas caras (Single Side o Double Side). Esto, que a simple vista puede parecer una cuestión sin importancia, es uno de los motivos de incompatibilidades. Paridad: Los módulos con paridad trabajan a 9bits en vez de a 8 bits (8 de datos + 1 de paridad). No se pueden mezclar módulos con paridad y módulos sin paridad. En la actualidad la paridad ha sido sustituida por el el sistema ECC. Módulos ECC o NON-ECC: ECC significa Error Correcting Code, es decir, memoria con código corrector de errores. Las memorias ECCse suelen emplear sobre todo en servidores, ya que son bastante más caras que las memorias NON-ECC… y también algo más lentas. Normalmente las placas base admiten un solo tipo, pero hay placas base que admiten ambos tipos. Pero que admitan ambos tipos (ECC y NON-ECC) no significa que se puedan mezclar. Módulos Buffered y Unbuffered: La memoria unbuffered (también conocida como Unregistered) se comunica directamente con el Northbridge de la placa base, en vez de usar un sistema store-and-forward como hace la memoriaRegistered. Esto hace que la memoria sea mas rápida, aunque menos segura que la registered. Los módulos del tipo buffered (también conocidos como registered) tienen registros incorporados en sus líneas de dirección y del control. Un registro es un área de acción temporal muy pequeña (generalmente de 64 bits) para los datos. Estos registros actúan como almacenes intermedios entre la CPU y la memoria. El uso de la memoria registered aumenta la fiabilidad del sistema, pero también retarda mismo . Este tipo de memoria se suele usar sobre todo en servidores. No todas las placas suelen soportar estos módulos. No se pueden mezclar módulos de ambos tipos de memoria. Latencia CAS: La Latencia CAS (CL) (Column Address Strobe o Column Address Select) es el tiempo (en número de ciclos de reloj) que transcurre después de que el controlador de memoria envía una petición para leer una posición de memoria y antes de que los datos sean enviados a los pines de salida del módulo. Una diferencia en esta latencia CAS puede crear una incompatibilidad entre los módulos. Tiempo RAS: El Tiempo RAS (Row Address/Access Strobe) es el tiempo que tarda en colocarse la memoria en una determinada fila. Aunque este tiempo tiene mucha menos importancia que la latencia CAS también puede ser motivo de incompatibilidades. Tabla SPD: La Tabla SPD (Serial Presence Detect) es un estándar para proporcionar información automáticamente acerca de un modulo de memoria RAM. Si esta tabla está dañada o es diferente entre dos módulos es más que posible (casi seguro) que sólo va a funcionar uno de ellos. Las tablas SPD son las que permiten la configuración automática de la memoria. Voltaje del módulo: Una diferencia acusada de voltaje entre dos módulos de memoria también puede hacer que tan sólo uno de ellos funcione (normalmente el de menor voltaje). Estos no son todos los causantes de una incompatibilidad entre módulos, ya que a veces el simple hecho de que los chips sean de distinto fabricante o los módulos de diferente marca puede hacer que los módulos sean incompatibles, sobre todo en ordenadores antiguos, con placas con una muy baja tolerancia. Pero esto hace que lo mejor cuando vayamos a ampliar la memoria de nuestro ordenador (sobre todo si no es muy moderno) es que llevemos el ordenador a la tienda y que ellos comprueben que el módulo que nos venden es el correcto para nuestro equipo. Otra posibilidad es anotar exactamente todas las características de nuestro(s) modulo(s) y comprar una exactamente igual (y a ser posible de la misma marca). En cuanto al tema de las memorias en Dual Channel, las especiales características de esta
SK hynix desarrolla la 6ª generación de DDR5 de 10 nm con los primeros módulos DRAM de 16 Gb del mundo: el fabricante de chips afirma que los centros de datos pueden ahorrar hasta un 30% en electricidad
La 6ª generación de la DDR5 de SK Hynix supuestamente reducirá las facturas de electricidad de los centros de datos hasta en un 30%. La tecnología de 10 nm puede ser un nodo de proceso obsoleto para las CPU, pero para la DRAM, sigue siendo la vanguardia. SK hynix ha anunciado el desarrollo de la primera DRAM DDR5 de 10 nm de «sexta generación» del mundo. Se informa que la producción en masa se completará este año, mientras que el suministro formal comenzará el próximo año. La DRAM DDR5 de 6ª generación de SK Hynix, denominada «proceso 1c», es una evolución de su nodo de proceso 1b, construido sobre litografía de 10 nm. 1c es el primer módulo DRAM de 16 Gb de SK Hynix, supuestamente un 11% más rápido que su homólogo de la generación anterior y un 9% más eficiente energéticamente. Gracias a la eficiencia energética de su proceso 1c de 6ª generación, SK hynix cree que las facturas de electricidad de los centros de datos pueden reducirse hasta en un 30%. SK Hynix también ha aumentado su capacidad de producción en más de un 30% con su DRAM DDR5 de sexta generación, gracias al nuevo material aplicado en algunos de sus procesos de EVU y a la optimización de toda la gama de productos compatibles con EUV, lo que ha mejorado la rentabilidad. «Estamos comprometidos a proporcionar valores diferenciados a los clientes mediante la aplicación de la tecnología 1c equipada con el mejor rendimiento y competitividad de costos a nuestros principales productos de próxima generación, incluidos HBM, LPDDR6 y GDDR7», dijo el vicepresidente de desarrollo de DRAM, Kim Jonghwan. «Continuaremos trabajando para mantener el liderazgo en el espacio DRAM y posicionarnos como el proveedor de soluciones de memoria de IA más confiable». La última tecnología DRAM de 10 nm de SK hynix ayudará a mantener la competitividad de sus productos de memoria hasta que el fabricante pueda cambiar a procesos más densos. Según se informa, SK Hynix está trabajando en la tecnología DRAM 3D, que mejorará enormemente la densidad de los circuitos integrados DRAM de la futura generación en comparación con las arquitecturas salientes y, finalmente, reducirá su litografía DRAM a menos de 10 nm. Sin embargo, aún faltan algunos años para que esta tecnología DRAM 3D sea así, por lo que SK Hynix sigue desarrollando y mejorando su DRAM DDR5 de clase 10nm más tradicional.
