Qué buscar en un SSD interno
NVMe o SATA Solo busque SATA si su computadora o dispositivo no es compatible con NVMe, que es mucho más rápido. Tenga en cuenta que una ranura M.2 en una computadora antigua podría ser mSATA en lugar de NVMe. Lea la guía del usuario o el manual para ver si es compatible con NVMe/NVMe-bootable. Deben ser ambas cosas para aprovechar al máximo NVMe. DRAM o HMB Algunos SSD utilizan DRAM para el almacenamiento en caché primario y operaciones aleatorias más rápidas, mientras que otros renuncian al coste de la DRAM y utilizan una técnica llamada búfer de memoria del host (HMB). HMB hace exactamente lo que parece, emplea la memoria de su computadora (el host) para el almacenamiento en caché principal. Después de un comienzo difícil, HMB ha desarrollado un maravilloso rendimiento de transferencia secuencial, aunque como se insinúa, las operaciones aleatorias aún están por detrás de los diseños de DRAM. Si desea el mejor rendimiento en general, y especialmente aleatorio, entonces desea un diseño DRAM. Sin embargo, pagará por ello: los diseños de HMB suelen costar la mitad, y los últimos modelos de HMB son tan rápidos con transferencias secuenciales como sus hermanos más caros. Ten en cuenta que hay dispositivos, como la PS5, que no son compatibles con HMB. TLC o QLC NAND está disponible en los sabores TLC (celda de triple nivel/3 bits) y QLC (celda de nivel cuádruple/4 bits), que incluyen una variedad de subtipos. Gracias a una técnica de almacenamiento en caché secundaria para escribir cualquiera de estos tipos de NAND como SLC más antiguo (celda de una sola capa / 1 bit / se requiere mucha menos verificación de errores), hay poca diferencia en la velocidad máxima, siempre y cuando haya suficiente NAND asignada para la tarea de almacenamiento en caché. Por lo general, lo hay, a menos que escribas una gran cantidad de datos a la vez, como en nuestra prueba de escritura de 450 GB. Al escribir de forma nativa (sin almacenamiento en caché secundario), las velocidades pueden caer a 200 MBps para TLC y 100 MBps para QLC. La otra diferencia es la longevidad prometida. La mayoría de los SSD TLC que probamos cuentan con una clasificación de al menos 600 TBW, mientras que los SSD QLC rondan los 250 TBW. Consulte nuestra sección sobre «Clasificación TBW» para obtener más información. Generación PCI Un SSD NVMe no funcionará más rápido que la generación PCIe de la CPU/placa base en la que se encuentra. Es decir, instalar un SSD PCIe 5.0 en un sistema PCIe 3.0/4.0 no tiene sentido. En realidad, como Windows y la mayoría del software de Windows no admite múltiples colas, un factor importante en el rendimiento de NVMe, puede ahorrar mucho dinero sin sacrificar mucha velocidad al quedarse con PCIe 4.0, incluso en placas base 5.0. Tenga en cuenta que el rendimiento de NVMe, incluso en PCIe 3.0, es increíblemente rápido y casi imposible de medir subjetivamente. Básicamente, no compres de más. Capacidad Tanto como puedas pagar. Esto oscila entre 250 GB y 8 TB. Tenga en cuenta que los SSD de menos de 1 TB a menudo escriben más lento que los de mayor capacidad debido a que hay menos chips para disparar datos. Más capacidad también significa más NAND para el almacenamiento en caché secundario y menos posibilidades de que vea ralentizaciones en escrituras largas. Precio Lo más bajo posible, aunque hay ciertas ventajas de rendimiento con los modelos de DRAM más caros, como se mencionó anteriormente. También recomendamos quedarse con un proveedor decentemente conocido. Garantía La mayoría de los SSD internos tienen una garantía de cinco años, mientras que los externos tienen más probabilidades de estar cubiertos solo por tres años. Estos números no varían mucho, pero asegúrate de que no sea menos que los que mencionamos. La garantía puede ser anulada por el siguiente punto: TBW. Clasificación TBW El TBW, o terabytes que se pueden escribir, es la estimación/clasificación del fabricante de la cantidad de datos que se pueden escribir en un SSD antes de que se transforme en un dispositivo de solo lectura. Esto se debe al desgaste de las células. Cuanto mayor sea la calificación de TBW, mejor, aunque la mayoría de los usuarios no escribirán tantos datos como creen. TBW es como las millas en la garantía de un automóvil, abrogando la garantía si se excede. Compatibilidad con BIOS Para aprovechar al máximo una unidad NVMe, desea ejecutar su sistema operativo fuera de ella, lo que requiere un sistema que pueda arrancar desde NVMe. Esta será cualquier máquina nueva, y probablemente cualquier cosa producida en los últimos 10 años, pero compruébalo. De hecho, la mayoría de las PC nuevas ya cuentan con SSD NVMe, por lo que es probable que esté comprando una actualización o algo para llenar las ranuras M.2 adicionales.
V-NAND: Samsung anuncia la 10a generación con 400 capas gran salto en la capacidad de almacenamiento SSD
V-NAND: Samsung anuncia la 10a generación con 400 capas Las próximas memorias flash para el almacenamiento en estado sólido, V-NAND, se están anunciado con unas 400 capas, utilizando una unión vertical con el que están convencidos que podrán aumentar las capacidades de almacenamiento, con la idea de llegar en un futuro hasta las 1000 capas. Estas nuevas memorias V-NAND de décima generación están pensadas para que estén en el año 2026, que estará superando a la actual novena generación, que cuenta con unas 280 capas. De ser cierta esta información, hablamos de más del 40% en el número de capas, que sería uno de los saltos más grandes visto de una generación a la otra, ya que el salto desde la octava generación fue de 236 capas hasta las 280 capas de la novena generación. Lograr tales cantidades de capas sería posible mediante una nueva tecnología llamada NAND Bonding Vertical (BV). Esta tecnología será una evolución del actual CoP (Circuit on Periphery). El diseño CoP tiene los circuitos periféricos en la parte superior de la pila de memoria, mientras que el método de unión vertical comenzará con la fabricación separada de los circuitos de almacenamiento y periféricos, seguida de la unión vertical. La idea es que con esta nueva tecnología se alcancen las 1000 capas, aunque esto se implementara para después de 2027, perteneciendo a la 11ª generación. Como podemos ver, la idea es que los SSD y todos los productos de almacenamiento sólido aumenten su capacidad y se abaraten costes.
Los CUDIMM se overclockean a DDR5-12108 para establecer un nuevo récord mundial de RAM OC: las nuevas CPU Arrow Lake de Intel catapultan a los CUDIMM más allá de la barrera DDR5-12000
Kovan Yang, un overclocker extremo, acaba de lograr el récord mundial de RAM más rápida con la Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM y una placa base MSI MEG Z890 Unify-X con un procesador Intel Core Ultra 7 265KF. Según una publicación en X (antes Twitter) de Kingston, el récord alcanzó velocidades de transferencia para DDR5-12,108. El sitio web de HWBot informa que el usuario Kovan Yang logró esto con 24 GB de los recién lanzados Kingston Fury Renegade DDR5-8400 CUDIMM. G. Skill también homenajeó a otros cuatro overclockers que rompieron la DDR5-12000. Todos estos entusiastas estaban armados con tarjetas de memoria G.Skill Trident Z5 en diferentes configuraciones de capacidad, pero en particular, todos usaban procesadores Intel Core Ultra 9 285K y una placa base Asus ROG Maximus Z890 Apex. Se ha confirmado que todos estos poseedores de récords, excepto uno, usan nitrógeno líquido para enfriar sus configuraciones de overclocking, por lo que es probable que no obtenga estas velocidades en casa usando su computadora de escritorio Daily Driver. Sin embargo, estos registros muestran hasta dónde ha llegado la tecnología de la memoria y que ahora podemos lograr estos logros sin sacrificar la fiabilidad. Usuario Velocidad Memoria Capacidad Placa base Procesador Kovan Yang DDR5-12108 Kingston Fury Renegade 24 GB MSI MEG Z890 Unify-X Intel Core Ultra 7 265KF Benchmarc DDR5-12066 G.Habilidad Tridente Z5 48 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K LOS OJOS DDR5-12046 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Zona de terror DDR5-12046 G. Habilidad 24 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K CENS DDR5-12042 G.Skill Trident Z5 RGB 32 GB Asus ROG Maximus Z890 Apex Intel Core Ultra 9 285K Estos registros de overclockers profesionales aparecerán poco después del lanzamiento minorista de la próxima generación de procesadores Intel Core Ultra 200S junto con las placas base Z890. Los últimos chips de Intel solo son compatibles con DDR5-6400 de forma nativa cuando se ejecutan CUDIMM en perfiles de alimentación de serie. Aún así, fabricantes como G.Skill, Asgard, TeamGroup y más han lanzado tarjetas de memoria más rápidas que podrían llegar a DDR-9600 cuando se combinan con una placa base Z890 capaz. Sin embargo, estos poseedores del récord no solo compraron las tarjetas de memoria y placas base más caras y dieron por terminado el día para alcanzar estas velocidades. En su lugar, deben hacer ajustes minuciosos en la configuración avanzada de su placa base, como cambiar el voltaje y la sincronización de la memoria, para superar la barrera de la DDR5-12000. Además, alcanzar este récord significa un enfriamiento exótico con nitrógeno líquido, ya que el enfriamiento convencional no sería suficiente para manejar todo el calor generado. No necesitas estos números si eres un jugador promedio, incluso la mayoría de los usuarios avanzados probablemente no necesiten pasar de DDR5-12000. Todavía es interesante ver hasta dónde podemos llevar nuestra tecnología actual, y a medida que obtengamos hardware más potente y eficiente en el futuro, incluso podríamos ver un momento en que estos números sean la norma.
SSD PCIe 3.0: Los fabricantes van a descontinuar estas unidades para centrarse en PCIe 4.0/5.0
Los grandes fabricantes de SSD parece estar abandonando aquellas unidades con interfaz PCIe 3.0, centrándose en las unidades PCIe 4.0 y PCIe 5.0 SSD PCIe 3.0: Los fabricantes van a descontinuar estas unidades Según informa el medio STH (ServerTheHome), los fabricantes de SSD están de acuerdo en que las unidades SSD PCIe 3.0 van a dejar de fabricarse para centrarse en generaciones más nuevas de almacenamiento en estado sólido. Al parecer, esta medida no solo estaría afectando al segmento empresarial, también al segmento de PC, por lo que no sería extraño que comencemos a ver cada vez más escasez de este tipo de unidades de almacenamiento PCIe 3.0, direccionando a los futuros compradores de unidades de SSD a que adquieran unidades PCIe 4.0 y PCIe 5.0. Creemos que esto también vendría acompañado por unidades SSD PCIe 4.0/5.0 cada vez más asequibles. El estándar PCIe 3.0 lleva con nosotros unos 14 años, por lo que los fabricantes ya ven hora de “jubilar” a las unidades SSD de este tipo. Esto traerá varios beneficios, por el lado de los usuarios de PC, la transición a PCIe 4.0 y PCIe 5.0 dará un salto de rendimiento importante, y por el lado de los fabricantes, les permite centrar el desarrollo a unidades más nuevas y deshacerse de inventario que pueden usar para ellas. Actualmente, la mayoría de las nuevas unidades que se están anunciando ya cuentan con la interfaz PCIe 5.0 y algunas pocas novedades tenemos de unidades PCIe 4.0, por lo que en unos años este último también correría con la misma suerte. Después de todo, la interfaz PCIe 4.0 ya tiene unos 7 años de antigüedad. Lo que estaría frenando esta transición es que las unidades PCIe 4.0 se sigue vendiendo a muy buen ritmo. Las unidades SSD PCIe 5.0 mas nuevas tienen la capacidad de ofrecer velocidades de hasta 14 GB/s, mientras que los SSD más rápido soportan velocidades de 3.5 GB/s, aproximadamente. Os mantendremos informados.
Las marcas chinas de SSD se encuentran entre las cinco primeras en términos de cuota de mercado: Kingston mantiene su lugar como el mayor fabricante de SSD del mercado
Los cinco principales líderes de la industria de SSD aumentaron su cuota de mercado del 59% en 2022 al 72% en 2023 Los fabricantes chinos de SSD están haciendo olas en el mercado de SSD debido a la alta demanda y soporte local, según un informe de TrendForce. Sin embargo, a pesar de la creciente competencia de estos nuevos actores, Kingston mantiene su posición principal como el fabricante número uno de módulos SSD por cuota de mercado, con un asombroso 34%. Las principales marcas de SSD en 2022 vieron aumentar su cuota de mercado hasta el 72% en 2023 desde el 59% en 2022. El informe afirma que estas empresas están aprovechando sus crecientes posiciones y valor para asegurar mejores precios de NAND Flash, de empresas como Samsung, Kioxia, Western Digital, SK Hynix y Micron. Las ventas de SSD se situaron en 180 millones en 2023, lo que supone un aumento del 3,7% interanual y puede atribuirse al susto de la subida de precios en el segundo semestre, que incentivó a más consumidores a comprar SSD por adelantado. El estatus indiscutible de Kingston no es sorprendente, ya que le sigue Adata, que tiene una cuota de mercado comparativamente pequeña del 11%. Lexar está empatada con Adata en el tercer lugar, con dos fabricantes chinos nacionales, Kimtigo (9%) y Biwin (7%), robando el centro de atención en el número cuatro y cinco, respectivamente. Dato curioso: cuatro de las diez empresas enumeradas son chinas y representan alrededor de una cuarta parte (23%) del mercado. El análisis de TrendForce sugiere que, a pesar de las sanciones de EE. UU., China ha realizado grandes avances en la tecnología NVMe, actualizando de PCIe 4.0 a PCIe 5.0, mejorando la producción local de NAND Flash utilizando nodos de proceso competitivos, etc. Del mismo modo, dos marcas relativamente desconocidas (Kimtigo y Biwin) son impulsadas principalmente por clientes chinos y tienen casi el 16% del mercado. Si bien lograr la paridad de nodo con empresas como TSMC, Intel y Samsung puede llevar años para China, su crecimiento en la industria de controladores de memoria y NAND Flash promete un futuro mejor. Tal vez algún día, las marcas chinas puedan competir contra empresas como Intel, Nvidia y AMD: una mayor competencia siempre es beneficiosa para el consumidor.
Micron lanza DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM para CPU Intel Core Ultra 200S: kits DDR5-6400 de hasta 32 GB de capacidad con temporizaciones C52
DDR5-6400 que es plug-and-play. Micron ha ampliado la amplia cartera de memoria de la marca con los kits de memoria Crucial DDR5-6400 Clocked Unbuffered DIMM (CUDIMM) y Clocked SODIMM (CSODIMM) para rivalizar con la mejor RAM. Aunque los kits de memoria están dirigidos a los últimos procesadores Core Ultra 200S de Intel (nombre en código Arrow Lake), son compatibles con cualquier plataforma existente que aproveche la memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM incorporan un controlador de reloj integrado (CKD). Sin profundizar demasiado en el aspecto técnico, el controlador de reloj tiene un papel importante: almacena en búfer la señal de reloj base entre el controlador de memoria y los chips de memoria. Como resultado, la integridad de la señal permanece intacta y se conserva la velocidad de datos. Elimina efectivamente el controlador de memoria integrado (IMC) del procesador de la ecuación, lo que permite que los CUDIMM y los CSODIMM se ejecuten a la velocidad anunciada, independientemente de la calidad del IMC. Mientras que otros fabricantes de memoria están lanzando CUDIMM hasta DDR5-9600, Micron se apega a la línea de base de JEDEC, que es DDR5-6400. No es una completa sorpresa, ya que Micron ha estado fuera del mercado de los entusiastas desde que la compañía decidió retirar la marca Ballistix en 2022. Desde entonces, Micron ha estado lanzando kits de memoria con JEDEC (DDR5-4800) o ligeramente overclockeados (DDR5-6000). No se sabe si Micron ofrecerá CUDIMM y CSODIMM más rápidos en el futuro. Mientras tanto, los CUDIMM y CSODIMM de Micron solo vienen en la versión de 16 GB. Sin embargo, la compañía ya ha validado módulos de memoria de hasta 64 GB con Arrow Lake, allanando el camino para hasta 256 GB en una plataforma de consumo con cuatro ranuras de memoria DDR5. Los CUDIMM y CSODIMM con 64 GB de capacidad no estarán disponibles hasta la primera mitad de 2025. Especificaciones cruciales de DDR5-6400 CUDIMM y CSODIMM Número de pieza Descripción Precios CT16G64C52CS5 Crucial 16GB DDR5-6400 CSODIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CS5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CSODIMM CL52 $169.99 CT16G64C52CU5 Crucial 16GB DDR5-6400 CUDIMM CL52 84,99 $ CT2K16G64C52CU5 Kit Crucial de 32 GB (2 x 16 GB) DDR5-6400 CUDIMM CL52 $169.99 Micron vende los CUDIMM y CSODIMM de 16 GB como sticks individuales y kits de memoria de doble canal con dos módulos de memoria. Actualmente, la única capacidad disponible del kit es de 32 GB, que comprende dos CUDIMM o CSODIMM de 16 GB. Independientemente del factor de forma y la presentación, los kits de memoria funcionan con DDR5-6400 con tiempos de 52-52-52-103 y un voltaje DRAM de 1,1 V. Los CUDIMM y CSODIMM de Micron funcionan a diferentes velocidades, dependiendo de la plataforma. Se ajustarán a la especificación nativa del procesador. Por ejemplo, los módulos de memoria se ejecutan en DDR5-6400 junto con un procesador Core Ultra 200S porque Arrow Lake adopta la memoria DDR5-6400 de forma nativa. Por el contrario, cuando se empareja con un chip Raptor Lake Refresh de 14ª generación o anterior, los módulos de memoria bajarán a DDR5-5600. En una plataforma AMD, los módulos de memoria predeterminados son DDR5-3200 o DDR5-5600 cuando se conectan a un procesador Ryzen 9000, ya que Zen 5 tiene soporte nativo para la memoria DDR5-5600. Sin embargo, Micron advierte a los consumidores que no sobreaceleren los módulos de memoria más allá de las especificaciones, velocidades nominales o tiempos de JEDEC, ya que eso anularía la garantía. Los CUDIMM y CSODIMM están disponibles en el sitio web de Crucial. Son los primeros productos en llegar al mercado minorista. Hemos visto muchos anuncios de CUDIMM, pero ninguno de los kits de memoria CUDIMM anunciados está disponible para su compra. Micron vende el CUDIMM de 16 GB por 84,99 dólares, mientras que el kit de memoria CUDIMM de 32 GB (2×16 GB) cuesta 169,99 dólares. El precio es idéntico para los CSODIMM: 84,99 dólares por un solo módulo de 16 GB y 169,99 dólares por el kit de memoria de 32 GB (2×16 GB).
¿Por qué la VRAM es importante en los juegos modernos? AMD lo explica antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA
La memoria de vídeo o VRAM es uno de los componentes más importantes de una tarjeta gráfica, ya que almacena los datos necesarios para renderizar las imágenes que vemos en la pantalla. Cuanta más VRAM tenga una tarjeta gráfica, más información podrá guardar y procesar, lo que se traduce en una mayor calidad y fluidez de los gráficos. Sin embargo, no todas las tarjetas gráficas ofrecen la misma cantidad de VRAM, y esto puede afectar al rendimiento y la experiencia de los juegos, especialmente a resoluciones altas y con efectos avanzados como el trazado de rayos. Por eso, AMD ha publicado un artículo en su blog oficial titulado ‘Building an Enthusiast PC‘ donde defiende que tener más VRAM en las tarjetas gráficas es importante para los juegos modernos, y lo hace justo antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA, que tendrá 12 GB de memoria. AMD vs NVIDIA: la batalla por la VRAM AMD compara sus modelos Radeon RX 7000 y RX 6000 con las series GeForce RTX 40 y RTX 30 de NVIDIA, mostrando que ofrece más VRAM por segmento y a precios similares o más bajos. Por ejemplo, la Radeon RX 7900 XTX tiene 24 GB de VRAM frente a los 16 GB de la GeForce RTX 4080, y la Radeon RX 6800 XT tiene 16 GB de VRAM frente a los 8 GB de la GeForce RTX 3070 Ti. AMD afirma que estos juegos como Resident Evil 4 Remake, The Last of Us Part 1 o Hogwarts Legacy consumen más de 11 GB de VRAM a 4K y aún más con trazado de rayos, por lo que tener más memoria puede mejorar el rendimiento y la calidad gráfica. Además, AMD señala que los juegos de nueva generación requerirán aún más VRAM, ya que se basarán en las consolas PlayStation 5 y Xbox Series X/S, que tienen 16 GB de memoria combinada. Para ilustrar su argumento, AMD muestra algunos ejemplos de juegos donde se aprecia una mejora del rendimiento al pasar de una tarjeta gráfica con 4 GB de VRAM a una con 8 GB o más. En DOOM Eternal, la tarjeta con 8 GB puede ejecutar el juego en los ajustes de Ultra Nightmare a 75 FPS (1080p), mientras que la tarjeta con 4 GB no puede aplicar esos ajustes. En otros títulos como Borderlands 3, Call of Duty: Modern Warfare, Forza Horizon 4, Ghost Recon Breakpoint o Wolfenstein 2: The New Colossus, se observa una mejora del rendimiento de hasta un 19% de media al utilizar la misma tarjeta y aumentar la cantidad de VRAM. AMD quiere convencer a los usuarios de que sus tarjetas gráficas son una mejor opción para los juegos actuales y futuros que requieren mucha VRAM. Esta noticia se produce poco antes del lanzamiento de la GeForce RTX 4070 de NVIDIA, que tendrá 12 GB de VRAM y competirá con la Radeon RX 7900 XT de AMD, que tiene 20 GB. ¿Será suficiente la diferencia de memoria para inclinar la balanza a favor de AMD? ¿O tendrá NVIDIA otras ventajas que compensen su menor cantidad de VRAM? Lo sabremos pronto. La historia se repite No es la primera vez que AMD critica a NVIDIA por ofrecer poca VRAM en sus tarjetas gráficas. En enero de este año, AMD eliminó un post de su blog donde decía que “4 GB de VRAM no son suficientes para los juegos” antes de lanzar su Radeon RX 6500 XT, que también tenía 4 GB. Esta tarjeta gráfica recibió muchas críticas por su escasa memoria y su alto precio, y se demostró que no podía ejecutar algunos juegos como God of War a 1080p con calidad ultra por falta de VRAM. AMD también afirmó en junio de 2020 que la era de las GPUs con 4 GB de VRAM había acabado, y que los juegos necesitaban más. En ese momento, comparaba sus tarjetas Radeon RX 5500 XT de 8 GB con las GeForce GTX 1650 Super y GTX 1660 Super de NVIDIA, que tenían 4 GB y 6 GB respectivamente, y mostraba algunas pruebas donde se veía una mejora del rendimiento al usar más VRAM en juegos como DOOM Eternal, Borderlands 3 o Call of Duty: Modern Warfare. Si te ha gustado ¿Por qué la VRAM es importante en los juegos modernos? AMD lo explica antes del lanzamiento de la RTX 4070 de NVIDIA
Qué buscar en un SSD interno
NVMe o SATA Solo busque SATA si su computadora o dispositivo no es compatible con NVMe, que es mucho más rápido. Tenga en cuenta que una ranura M.2 en una computadora antigua podría ser mSATA en lugar de NVMe. Lea la guía del usuario o el manual para ver si es compatible con NVMe/NVMe-bootable. Debería ser ambas cosas para aprovechar al máximo NVMe. DRAM o HMB Algunos SSD utilizan DRAM para el almacenamiento en caché primario y operaciones aleatorias más rápidas, mientras que otros renuncian al coste de la DRAM y utilizan una técnica llamada búfer de memoria del host (HMB). HMB hace exactamente lo que parece, emplea la memoria de su computadora para el almacenamiento en caché primario. Después de un comienzo difícil, HMB ha desarrollado un maravilloso rendimiento de transferencia secuencial, aunque como se insinúa, las operaciones aleatorias todavía están por detrás de los diseños de DRAM. Si quieres el mejor rendimiento en general, y especialmente aleatorio, entonces quieres un diseño de DRAM. Sin embargo, pagará por ello: los diseños de HMB suelen costar la mitad del precio, y los últimos modelos de HMB son tan rápidos con transferencias secuenciales como sus hermanos más caros. Ten en cuenta que hay dispositivos, como la PS5, que no son compatibles con HMB. TLC o QLC NAND está disponible en los sabores TLC (celda de triple nivel/3 bits) y QLC (celda de nivel cuádruple/4 bits), que incluyen una variedad de subtipos. Gracias a una técnica de almacenamiento en caché secundaria que consiste en escribir cualquiera de estos tipos de NAND como SLC más antiguo (celda de una sola capa / 1 bit / se requiere mucha menos verificación de errores), hay poca diferencia en la velocidad máxima, siempre que haya suficiente NAND asignada para la tarea de almacenamiento en caché. Por lo general, lo hay, a menos que escribas una gran cantidad de datos a la vez, como en nuestra prueba de escritura de 450 GB. Al escribir de forma nativa (sin almacenamiento en caché secundario), las velocidades pueden caer a 200 MBps para TLC y 100 MBps para QLC. La otra diferencia es la longevidad prometida. La mayoría de los SSD TLC que probamos cuentan con una clasificación de al menos 600 TBW, mientras que los SSD QLC rondan los 250 TBW. Consulte nuestra sección sobre «Clasificación TBW» para obtener más información. Generación PCIe Un SSD NVMe no funcionará más rápido que la generación PCIe de la CPU/placa base en la que se encuentra. Es decir, instalar un SSD PCIe 5.0 en un sistema PCIe 3.0/4.0 no tiene sentido. En realidad, como Windows y la mayoría del software de Windows no admite varias colas, un factor importante en el rendimiento de NVMe, puede ahorrar mucho dinero sin sacrificar mucha velocidad al apegarse a PCIe 4.0, incluso en placas base 5.0. Tenga en cuenta que el rendimiento de NVMe, incluso en PCIe 3.0, es increíblemente rápido y casi imposible de medir subjetivamente. Básicamente, no compres de más. Capacidad Todo lo que puedas permitirte. Esto oscila entre 250 GB y 8 TB. Tenga en cuenta que los SSD de menos de 1 TB a menudo escriben más lento que los de mayor capacidad debido a que hay menos chips para disparar datos. Más capacidad también significa más NAND para el almacenamiento en caché secundario y menos posibilidades de que vea ralentizaciones en escrituras largas. Precio La mayoría de los SSD internos tienen una garantía de cinco años, mientras que los externos tienen una garantía más probable de tres años. Estos no varían mucho, pero asegúrate de que no sea menos que eso. La garantía puede ser anulada por el siguiente punto: TBW. Clasificación TBW El TBW, o terabytes que se pueden escribir, es la estimación/clasificación del fabricante de la cantidad de datos que se pueden escribir en un SSD antes de que se transforme en un dispositivo de solo lectura. Esto se debe al desgaste de las células. Cuanto más alta sea la calificación de TBW, mejor, aunque la mayoría de los usuarios no escribirán tantos datos como creen. TBW es como las millas en la garantía de un automóvil, abrogando la garantía si se excede. Para sacar el máximo provecho de una unidad NVMe, desea ejecutar su sistema operativo fuera de ella, lo que requiere un sistema que pueda arrancar desde NVMe. Esta será cualquier máquina nueva, y probablemente cualquier cosa producida en los últimos 10 años, pero compruébelo. De hecho, la mayoría de las PC nuevas ya cuentan con SSD NVMe, por lo que es probable que esté comprando una actualización o algo para llenar las ranuras M.2 adicionales. Qué buscar en un SSD externo Más allá de la clasificación IP (robustez), el estilo y la portabilidad, todo lo que hay que tener en cuenta para un SSD externo es el bus en el que se ejecuta. Las SSD USB de 5 Gbps (3.x) están limitadas a 550 MBps, las SSD USB (3.1) de 10 Gbps alcanzan un máximo de 1 GBps, las USB de 20 GBps (USB 3.2×2 o USB4) a 2 GBps y las USB (USB4) de 40 Gbps a más de 3 GBps. Thunderbolt 3/4 son de 30 Gbps y 3 GBps también. Tenga en cuenta que el SSD USB 3.2×2 requiere un puerto 3.2×2 o USB 4 para los 20 Gbps completos. Conectado a un puerto Thunderbolt 3/4, estará limitado a 10 Gbps. No estamos seguros de por qué esta limitación SSD, sí. ¿Disco duro, tal vez? La vida es simplemente mejor si está ejecutando su computadora con un SSD. Lo más probable es que en estos días ya lo estés. Si no es así, actualízalo. Léelo ahora y agradécenos más tarde. Dicho esto…. Los SSD siguen costando mucho más por gigabyte que los discos duros mecánicos, y actualmente alcanzan un máximo de 8 TB, mientras que los HDD de 3,5 pulgadas alcanzan la friolera de 30 TB. Debemos mencionar que los últimos discos duros pueden transferir datos a casi 300 MBps, que es mucho
SSD PCIe 3.0: Los fabricantes van a descontinuar estas unidades para centrarse en PCIe 4.0/5.0
Los grandes fabricantes de SSD parece estar abandonando aquellas unidades con interfaz PCIe 3.0, centrándose en las unidades PCIe 4.0 y PCIe 5.0. SSD PCIe 3.0: Los fabricantes van a descontinuar estas unidades Según informa el medio STH (ServerTheHome), los fabricantes de SSD están de acuerdo en que las unidades SSD PCIe 3.0 van a dejar de fabricarse para centrarse en generaciones más nuevas de almacenamiento en estado sólido. Al parecer, esta medida no solo estaría afectando al segmento empresarial, también al segmento de PC, por lo que no sería extraño que comencemos a ver cada vez más escasez de este tipo de unidades de almacenamiento PCIe 3.0, direccionando a los futuros compradores de unidades de SSD a que adquieran unidades PCIe 4.0 y PCIe 5.0. Creemos que esto también vendría acompañado por unidades SSD PCIe 4.0/5.0 cada vez más asequibles. El estándar PCIe 3.0 lleva con nosotros unos 14 años, por lo que los fabricantes ya ven hora de “jubilar” a las unidades SSD de este tipo. Esto traerá varios beneficios, por el lado de los usuarios de PC, la transición a PCIe 4.0 y PCIe 5.0 dará un salto de rendimiento importante, y por el lado de los fabricantes, les permite centrar el desarrollo a unidades más nuevas y deshacerse de inventario que pueden usar para ellas. Actualmente, la mayoría de las nuevas unidades que se están anunciando ya cuentan con la interfaz PCIe 5.0 y algunas pocas novedades tenemos de unidades PCIe 4.0, por lo que en unos años este último también correría con la misma suerte. Después de todo, la interfaz PCIe 4.0 ya tiene unos 7 años de antigüedad. Lo que estaría frenando esta transición es que las unidades PCIe 4.0 se sigue vendiendo a muy buen ritmo. Las unidades SSD PCIe 5.0 mas nuevas tienen la capacidad de ofrecer velocidades de hasta 14 GB/s, mientras que los SSD más rápido soportan velocidades de 3.5 GB/s, aproximadamente. Os mantendremos informados.
Análisis de CRUCIAL P3 2 TB
Con la creciente demanda de soluciones de almacenamiento más rápidas y potentes para los sistemas modernos, Crucial ha desarrollado una solución que cumple con los exigentes requisitos con el SSD P3. El Crucial P3 es un SSD M.2 de factor de forma 2280 con una capacidad de 2 TB y utiliza la interfaz PCIe 3.0 para ofrecer velocidades de transferencia de datos rápidas. El fabricante promete una velocidad de escritura secuencial de hasta 3.000 MB/s y una velocidad de lectura secuencial de 3.500 MB/s. En esta revisión, analizaremos en profundidad el rendimiento, la confiabilidad y las características de la Crucial P3 para dar una impresión completa de esta unidad de almacenamiento. Embalaje, contenido, datos Embalaje El CRUCIAL P3 2 TB viene en un paquete pequeño, que está dominado por el color azul en la parte delantera y contiene una imagen del SSD, así como especificaciones iniciales como la capacidad y la velocidad de lectura. En el reverso se puede encontrar una breve información del producto en diferentes idiomas. También se refiere a la garantía limitada de 5 años. Contenido En el embalaje, el SSD se fija de forma segura mediante un blíster de plástico. Además del SSD, el volumen de suministro solo incluye un tornillo de montaje y una guía de inicio rápido. Datos Datos técnicos: CRUCIAL P3 2 TB Factor de forma M.2 (2280) Interfaz M.2/Llave M (PCIe 3.0 x4) Memoria Micron® Advanced 3D NAND (QLC) Lectura secuencial 3.500 MB/s Escritura secuencial 3.000 MB/s Capacidad de carga (TBW) 440 TB Predicción de confiabilidad 1,5 millones de horas (MTTF) Controlador Phison PS5021-E21 Caché Caché SLC (~500 GB) Protocolo NVMe 1.3 Garantía 5 años o hasta que se alcance el TBW Detalles El CRUCIAL P3 de 2 TB es un SSD de un solo lado con el factor de forma 2280. Tanto la placa de circuito como la pegatina aplicada son casi completamente negras. El SSD se entrega sin un disipador de calor preinstalado, para su funcionamiento recomendamos instalarlo en un disipador de calor disponible por separado. En la parte posterior, hay dos pegatinas directamente en la pizarra negra. Estos proporcionan información sobre algunas de las características de la SSD. Estas pegatinas no deben quitarse, de lo contrario, la garantía quedará anulada. Dado que la Crucial P3 solo está equipada en un lado, no hay controladores ni celdas de memoria debajo. Si quitas la pegatina de la parte delantera, se revelan cuatro chips de memoria y un controlador. Para la memoria a largo plazo, el fabricante confía en cuatro dispositivos flash QLC NAND de su propia marca Micron. En general, las celdas de memoria QLC son más lentas que las celdas de memoria TLC durante los procesos de escritura, un análisis detallado sobre este tema se puede encontrar más adelante en esta revisión. El mando de la CRUCIAL P3 2 TB es un Phison PS5021-E21. Es compatible con el protocolo NVMe en la versión 1.4 y funciona sin caché DRAM. El controlador se comunica con las celdas de memoria a través de cuatro canales. El mismo controlador también se utiliza en el Crucial P3 Plus más rápido. Análisis de caché SLC La Crucial P3 de 2 TB alcanzó una velocidad de escritura máxima de 3,3 GB/s en nuestras pruebas hasta ahora. Sin embargo, las celdas de memoria QLC utilizadas normalmente solo alcanzan unos 25 MB/s. Para lograr una velocidad de escritura significativamente mayor, algunas de las celdas de memoria funcionan en modo SLC, ya que esto les permite alcanzar una velocidad de escritura más alta.Si el espacio de almacenamiento libre de un SSD se agota, a menudo solo alcanza una fracción del rendimiento máximo. La caché SLC juega un papel importante aquí: si el SSD tiene una mayor proporción de celdas de memoria en modo SLC, puede mantener una alta velocidad durante más tiempo. Por esta razón, queremos determinar el tamaño de la caché SLC y averiguar qué velocidad puede alcanzar el SSD después de llenar esta caché.Para medir el tamaño de esta caché pseudo-SLC, escribimos continuamente en el SSD durante un período de 15 minutos, registrando la velocidad de escritura. El diagrama anterior muestra el historial de la velocidad de escritura en función de la cantidad de datos transferidos. Se puede ver que se puede mantener una velocidad de escritura de unos 3.250 MB/s durante los primeros 500 GB, pero después de eso cae y muestra una velocidad inestable. Si observa el curso temporal de la velocidad de escritura, la baja velocidad de escritura de la memoria QLC se hace evidente. Después de poco más de tres minutos, la velocidad de escritura cae a unos 90 MB/s, y cada 26 segundos se alcanza un pico de rendimiento de unos 1.900 MB/s.El Crucial P3 2 TB tiene una caché pseudo-SLC muy grande de alrededor de 500 GB. Si está lleno, el SSD sólo puede ofrecer una velocidad de escritura de unos 90 MByte/s. Aquí es donde la lentitud de la memoria QLC se hace evidente. Temperaturas La CRUCIAL P3 de 2 TB se enfrió de forma pasiva en la parte superior de nuestro sistema de pruebas. Se midió una temperatura de 41 °C en el SSD en reposo. Durante la carga continua en las pruebas anteriores, medimos una temperatura máxima de 68 °C, pero no detectamos ningún estrangulamiento térmico. Resultado El Crucial P3 2 TB es un buen SSD según el estándar PCIe NVMe 3.0, que puede convencer con buenas velocidades de lectura y escritura. El fabricante ha equipado el SSD con un controlador de alta calidad y le da al SSD una larga vida útil con una promesa de garantía. Vemos la única desventaja en la NAND QLC incorporada, pero sus pérdidas de rendimiento solo se notan cuando se agota la capacidad del SSD. Recomendamos el Crucial P3 2 TB a cualquiera que busque un buen SSD de gama media. Ventajas:+ Altas tasasde lectura y escritura + Buen precio+ Gran caché SLC Contras:– Software QLC-NAND
