Durante décadas, la informática ha vivivo «atrapada» en una dualidad: la memoria RAM es rápida pero volátil, y la memoria NAND es persistente, pero con fecha de caducidad y bastante más lenta que la RAM. Ahora, un nuevo avance científico e industrial promete derribar esta barrera: se trata de la UltraRAM, una tecnología que combina la velocidad de la RAM y que, según sus creadores, ofrece hasta 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND.
El desarrollo llega de la mano de QuInAs Technology e IQE plc, dos compañías que han trabajado codo con codo durante años para hacer realidad la UltraRAM, trasladándola desde el concepto y las pruebas de laboratorio hasta su producción industrial, que va a comenzar dentro de poco.
Un futuro donde velocidad y durabilidad se fusionan
Según explica el white paper publicado por QuInAs en Wiley Advanced, la clave está en el uso de semiconductores como el antimonio de galio (GaSb) y antimonio de aluminio (AlSb) junto con una compleja estructura de resonancia cuántica que permite que cada celda funcione como un interruptor casi perfecto, con unos resultados que sobre el papel son increíbles: velocidades comparables a las de la memoria RAM actual, 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND y una retención de datos que podría llegar hasta 1.000 años sin degradación. Por si esto fuera poco, su consumo energético es incluso más bajo.
Lo realmente llamativo de todo esto es que no hablamos de un prototipo probado en laboratorio, sino de un avance certificado para escalar hacia su producción en masa. Como señaló el CEO de IQE, Jutta Meier, se ha conseguido «un proceso epitaxial escalable para UltraRAM, un hito hacia la producción industrial de chips». Su socio, James Ashforth-Pook de QuInAs, fue más contundente diciendo que «este es el punto de inflexión que marca la transición desde la investigación universitaria hasta productos reales de memoria».
Las implicaciones de este avance son muy profundas, ya que en teoría la UltraRAM podría llegar a sustituir tanto a la DRAM usada en memorias RAM como a la NAND usada en SSDs, eliminando la necesidad de tener dos tipos de memoria en el sistema. Esto supondría hitos como arranque instantáneo en ordenadores y móviles, servidores que consumen mucha menos energía y dispositivos que conservan los datos incluso pasados varios siglos. Para los usuarios de a pie como nosotros, esto supondría mucha más rapidez en cualquier dispositivo y menos tiempos de espera, y para la industria, una reducción significativa de costes y consumo energético.
| Característica | UltraRAM (Datos de estudio) | DRAM (Estándar) | NAND Flash (TLC/QLC) |
|---|---|---|---|
| Tipo | No Volátil | Volátil | No Volátil |
| Velocidad (Latencia) | ~15 ns | 10-15 ns | 50-100 µs (microsegundos) |
| Durabilidad (Ciclos) | 10^9 (mil millones) | Prácticamente ilimitada | ~3.000 – 10.000 |
| Retención de Datos | +1.000 años | Milisegundos (requiere refresco) | ~10 años |
| Consumo Energético | 100x menor que DRAM | Alto (por refresco constante) | Bajo en reposo, alto en escritura |
Sin embargo, tampoco podemos cantar victoria todavía: la transición hacia una tecnología de este calibre no depende solo de la ciencia y de que ya exista per se, sino también de factores como los costes de fabricación, la compatibilidad con arquitecturas existentes, los estándares de la industria y, por supuesto, la mayor barrera: la voluntad de los grandes fabricantes de adoptar la tecnología.
Desde luego, la UltraRAM podría ser tan revolucionaria como lo fue la NAND Flash en su día, pero todavía queda un largo camino para poder comprobar si cumple con las expectativas fuera del laboratorio. Lo que sí está claro es que, por primera vez desde hace lustros, estamos ante una alternativa real que amenaza con rediseñar desde cero el ecosistema de la memoria.
