Hace relativamente poco se han lanzado las nuevas memorias RAM de estándar DDR5, que cuentan con muchas mejoras con respecto a DDR4. Entre otros, DDR5 duplican las frecuencias de funcionamiento, DDR5 reducen el consumo o Dual Channel en un único módulo. Pues bien, el fabricante SK Hynix acaba de anunciar el primer chip DDR5 de 16 Gb de la industria fabricado en el nodo 1c.
Entre las principales características de DDR5, tenemos un DDR5 ancho de banda mínimo de 4.800 MT/s. Los chips de memoria ofrecen mayor densidad, pudiendo construir módulos de hasta 512 GB de capacidad. Adicionalmente, permiten crear subcanales independientes, pudiendo crear dos subcanales de 32 bits y así crear una configuración Dual Channel con un solo módulo.
Precisamente, para conseguir llegar a los 512 GB por módulo (para Data Centers) se requieren de diferentes optimizaciones y mejoras en los procesos de fabricación de los chips DRAM. Algo que no es precisamente sencillo, pero que, como veremos, se está consiguiendo.
SK Hynix mejora el proceso de fabricación para DDR5
Actualmente, el fabricante SK Hynix es uno de los más destacados de fabricantes de chips DRAM para memorias RAM. Acaban de anunciar el desarrollo del primer chip para DDR5 de 16 Gb de la industria bajo el nodo 1c, la sexta generación del proceso de 10 nm.
Debes saber que el proceso de contracción para loas memoria DRAM en el rango de 10 nm ha ido aumentando con el paso de cada generación. Gracias a su constante innovación y desarrollo, SK Hynix es el primero en la industria en conseguir dejar atrás el proceso 1b, la quinta generación del proceso de 10 nm.
La compañía asegura que están listos para producir en masa memorias DDR5 en el proceso 1c, que se empezarían a comercializar el próximo año.
Explica SK Hynix que los errores derivados de un proceso tan avanzado son bastante probables durante la fabricación. Para subsanar este problema han transferido las ventajas del proceso 1b a este nuevo proceso 1c.
Haber conseguido implementar con éxito este nuevo proceso, permite una mejora en la competitividad de costes, en comparación a la generación anterior. Esto ha sido posible al adoptar un nuevo material en ciertos procesos de EUV, además de optimizar todo el proceso de litografía. Destacan además una mejora en la productividad superior al 30% gracias a las innovaciones en el diseño.
Comentan también que la velocidad operativa de las memorias DDR5 bajo el proceso 1c, destinadas a los Data Centers de alto rendimiento, ha mejorado en un 11% con respecto a la generación, llegando a los 8 Gbps. También destacan una mejora de la eficiencia energética que ronda el 9%.
SK Hynix estima que usar módulos de memoria DDR5 de proceso 1c puede ayudar a los Data Centers a reducir los costes energéticos en hasta un 30%. Algo genial, sobre todo debido al gran avance de la inteligencia artificial, que ha generado grandes aumentos de consumos de energía.
No solo el proceso 1c se utilizará para las memorias DDR5, SK Hynix en realidad ya mira al futuro con este proceso. Destacan que se usará para todo tipo de memorias DRAM, como puedan ser las HBM, LPDDR6 y GDDR7.
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