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Módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (DRAM síncrona) de 2 GB x 64 bits (16 GB), 1Rx8, sin ECC, basado en ocho componentes FBGA de 2 GB x 8 bits.
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DESCRIPCIÓN
Este documento describe el módulo de memoria KVR26S19S8/16 de ValueRAM, un módulo de memoria DDR4-2666 CL19 SDRAM (DRAM síncrona) de 2 GB x 64 bits (16 GB), 1Rx8, sin ECC, basado en ocho componentes FBGA de 2 GB x 8 bits. El SPD está programado con la latencia estándar JEDEC de la DDR4-2666 de 19-19-19 a 1,2 V. Este módulo DIMM de 260 pines utiliza contactos de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes:
CARACTERÍSTICAS
• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V (típico)
• VDDQ = 1,2 V (típico)
• VPP = 2,5 V (típico)
• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
• Terminación en chip (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscopio y máscara
• Autorrefresco de bajo consumo (LPASR)
• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en chip
• Un solo rango
• EEPROM de detección de presencia (SPD) serie I2 integrada
• 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8
a través del conjunto de registros de modo (MRS)
• BC4 o BL8 seleccionable al vuelo (OTF)
• Topología de paso (fly-by)
• Bus de comandos de control y direcciones terminado
• PCB: Altura 1,18" (30,00 mm)
• Cumple con RoHS y está libre de halógenos
ESPECIFICACIONES
CL(IDD) 19 ciclos
Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 45,75 ns (mín.)
Actualizar a activo/Actualizar 350 ns (mín.)
Tiempo de comando (tRFCmin) 32 ns (mín.)
Tiempo activo de fila (tRASmin) 94 V - 0
Clasificación UL
Temperatura de funcionamiento 0 °C a +85 °C -
Temperatura de almacenamiento 55 °C a +100 °C
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