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Sk Hynix DDR4 de Portatil
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Sk Hynix DDR4 de Portatil

$ 77.000
Sin IVA

Memoria esencial para la era de los portátiles, desde el hogar hasta el exterior

Capacidad: 4 Gb
Frecuencia: 3200 Mhz
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un mundo donde la mayoría de las actividades diarias se realizan de forma remota, las computadoras de escritorio y portátiles deben asumir funciones más exigentes, desde procesar grandes cantidades de datos hasta permitir el entretenimiento virtual. A medida que los usuarios almacenan más datos y procesan más información, las transacciones de datos deben ser más rápidas, menos complejas y menos costosas. Explore las soluciones de vanguardia de SK hynix para ofrecer el rendimiento, la agilidad y la seguridad que buscan los consumidores.

Semiconductor Inc. ('hynix', www.hynix.com) ha anunciado hoy que ha desarrollado DRAM DDR4 de 2 Gb (Gigabit) y DRAM DDR4 basadas en ECC-SODIMM de 2 GB (Gigabyte) (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module) aplicando su tecnología de proceso líder de clase 30nm. El producto DRAM DDR4 cumple con el estándar JEDEC y el producto del módulo está diseñado para el microservidor.

DRAM es un producto de memoria de próxima generación que consume menos energía electrónica mientras transfiere datos dos veces más rápido que la DRAM DDR3 existente. El dispositivo funciona a la velocidad más rápida de la industria de 2400Mbps (Megabits por segundo), que también es un 80% más rápido que el producto DDR3 1333Mbps. El producto del módulo funciona a un voltaje tan bajo de 1.2V y procesa hasta 19.2GB (Gigabytes) de datos por segundo con una E/S de 64 bits.

productos DDR4 son totalmente compatibles con varias características exigentes, incluyendo el medio ambiente, la eficiencia energética y el alto rendimiento", dijo el Sr. Ji-Bum Kim, Director de Marketing de hynix. "Con este producto, hynix podrá proporcionar soluciones premium a nuestros clientes no solo en PC y servidores, sino también en el mercado de tabletas".

tiene previsto iniciar la producción en serie de este producto DDR4 de alto rendimiento en el segundo semestre de 2012.

la firma de investigación de mercado, iSuppli, se espera que la porción de la DRAM DDR4 aumente del 5% en 2013 a más del 50% en 2015 y se convierta en una corriente principal en el mercado. Mientras que la demanda DDR3 DRAM alcanzará su punto máximo en 2012 con un 71% de porción y eventualmente disminuirá al 49% en 2014 de hynix Semiconductor Inc.

HMA41GS6AFR8N

Ficha técnica

Factor Forma
SODIMM

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