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Samsung DDR4 SODIMM
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Samsung DDR4 SODIMM

$ 95.000
72 Horas

Procesando fácilmente cargas de trabajo masivas con velocidad mejorada,
la DDR4 transfiere más datos más rápido que nunca,
ofreciendo 4 grupos de bancos (16 bancos en total) para reducir las demoras de entrelazado, además de 3200 Mbps de ancho de banda y 1 TB / s de memoria del sistema

Densidad: 4Gb
FSB: 2666 MHz
Cantidad
Disponible

Una evolución en el rendimiento

- Mayor ancho de banda, hasta 3200 Mbps

Procesando fácilmente cargas de trabajo masivas con velocidad mejorada,
la DDR4 transfiere más datos más rápido que nunca,
ofreciendo 4 grupos de bancos (16 bancos en total) para reducir las demoras de entrelazado, además de 3200 Mbps de ancho de banda y 1 TB / s de memoria del sistema.

Infografía que describe un mayor ancho de banda de DDR4 en comparación con DDR3;  el ancho de banda de DDR4 se ha aumentado 2X, DDR3 - 1600Mbps, DDR4 - 3200Mbps

Menos energía, mayor eficiencia

- Tecnología de proceso avanzada
- Reduce el núcleo y la energía de encendido / apagado

La tecnología de proceso 1x nm de Samsung, la primera en la industria, permite que DDR4 consuma menos energía mientras aumenta el rendimiento y reduce el TCO. El voltaje de funcionamiento bajo de 1,2 V y la interfaz Pseudo Open Drain (POD) permiten un menor consumo de energía, utilizando un 25% menos de energía.

Infografía que describe un 25% menos de consumo de energía

Fiabilidad mejorada

- Transmisión CRC segura
- Bit de paridad para evitar errores

La confiabilidad del sistema es cada vez más crítica ya que los centros de datos procesan cada vez más tráfico. Las funciones avanzadas de Samsung DDR4 garantizan una transmisión de datos superior, incluida Write CRC para ayudar a reconocer fallas multibit y verificaciones de paridad para CMD / ADD para evitar fallas en el sistema.

Infografía que describe la alta confiabilidad que consta de escritura CRC y paridad para CMD / ADD

 

U022000642122140NG
20 Artículos

Ficha técnica

FSB
2666MHz
Tipo RAM
DDR4
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