El pánico por la memoria RAM lleva a que MSI, Asus y otros fabricantes compren stock para garantizar sus propias existencias
La situación con la memoria RAM está llevando al mercado a un estado de histeria colectiva. Tanto es así, que empresas como MSI, Asus y otros grandes fabricantes de hardware están invirtiendo en stock del mercado de consumo. Las grandes tecnológicas se «protegen» comprando stock de memoria RAM en el mercado al contado Desde hace unas semanas, el mercado de la RAM en el mundo está siendo completamente de locos. Hace apenas unos días veíamos como el precio de las memorias se disparaba cerca de un 200% en varios modelos, con módulos que pasaban de los 120-130€ a los 399€. Esto, como es lógico, ha llevado a que las principales marcas de PC estén comprando chips y módulos de memoria por el pánico a la escasez de chips DRAM y NAND. De hecho, según DigiTimes, varias empresas están peleando por acumular existencias para nutrir a sus centros de datos, al mismo tiempo que el mercado de consumo se queda prácticamente sin opciones. De hecho, empresas como Asus, MSI y otros grandes fabricantes de hardware parecen estar acudiendo al propio mercado de consumo para hacerse con este componente. Este movimiento no es para nada habitual, ya que al tener contratos con los fabricantes, el precio de las memorias salen considerablemente más barato que en el mercado tradicional. El problema de esto no es que estén dando el salto al mercado de consumo, restando opciones a los usuarios que actualmente buscan módulos de RAM. Sino que es una clara demostración de lo que está por venir. Un mercado sin apenas stock y con precios todavía más disparados de los que podemos encontrar hoy en día, algo prácticamente insostenible para el consumidor. De hecho, la falta de suministro es tan elevada que hasta los principales fabricantes de memoria RAM han retrasado el lanzamiento de sus nuevos productos. Varios de ellos han pasado los kits que habían anunciado para finales de 2025, a un momento indeterminado de 2026. Y la otra cara de la moneda está en empresas como HBM y RDIMM. Con empresas invirtiendo miles de millones de dólares en hardware, estas empresas están reportando ganancias récord. Aun así, son conscientes de que se trata de una burbuja fomentada por la IA, y ya han confirmado que no piensan aumentar la producción de RAM.
CQDIMM: El nuevo estándar de JEDEC para aumentar la capacidad de las memorias DDR5
La memoria RAM en plataformas de sobremesa está a punto de experimentar un gran avance en capacidad gracias a los nuevos módulos CQDIMM (Quad DIMM). CQDIMM: Las memorias DDR5 CKD darán el salto de 2-Rank a 4-Rank Este estándar ha sido diseñado específicamente para los módulos de memoria DDR5 CKD (Clock Driver) con el objetivo de habilitar capacidades mucho mayores en futuros ordenadores de sobremesa. Actualmente, los módulos DDR5 de consumo (CUDIMM) suelen estar limitados a un diseño de 2-Rank. La principal innovación del estándar CQDIMM radica en su capacidad para soportar configuraciones 4-Rank CKD. La letra ‘Q’ en CQDIMM significa «Quad», que hace referencia a este aumento en el número de rangos efectivos. Este cambio es fundamental, ya que permite la creación de módulos de memoria de una densidad excepcionalmente alta, alcanzando hasta 128 GB por módulo. En esencia, esta tecnología promete duplicar la capacidad máxima de memoria en las plataformas de sobremesa, manteniendo al mismo tiempo la implementación rápida del controlador de reloj (CKD) para un alto rendimiento. Esto beneficiará enormemente a los equipos de profesionales y entusiastas que manejan cargas de trabajo intensivas, como el renderizado 3D, la edición de video 8K o la ejecución de grandes modelos de inteligencia artificial a nivel local. Fabricantes de placas base como MSI, ADATA, Gigabyte y ASUS ya están trabajando para habilitar el soporte para memorias 4-Rank DDR5 en sus diseños de gama alta, como los modelos de overclocking. Se espera que la plataforma Intel Arrow Lake-S Refresh, cuyo lanzamiento está previsto para principios del próximo año, sea la primera en aprovechar formalmente el estándar CQDIMM DDR5. No obstante, dado que los módulos de 128 GB serán inicialmente costosos, esta tecnología podría tardar en popularizarse dentro del segmento de PC. Os mantendremos al tanto de todas las novedades.
DRAM+, la tecnología que combina la velocidad de la RAM y la persistencia de los SSD
Existen una gran cantidad de avances que pueden llegar a llamar la atención por las capacidades que tienen, en el caso de la informática obviamente hay proyectos que logran destacar sobre otros y en este caso uno de los que más nos ha llamado la atención es la tecnología DRAM+, un tipo de memoria no volátil que podría alcanzar grandes velocidades. La memoria RAM es comúnmente conocida por cómo funciona, es un tipo de componente que almacena datos de forma constante y extremadamente rápida pero que una vez se corta la alimentación eléctrica los elimina por completo, es decir, es volátil. A diferencia de los SSD la memoria RAM no es capaz de almacenar datos una vez el ordenador está apagado, pero esto es algo que ahora podría cambiar gracias al desarrollo de la DRAM+ ya que el objetivo es combinar la capacidad de guardar información de los SSD con la velocidad que puede alcanzar la DRAM tradicional. DRAM+, una arquitectura que combina velocidad y retención de datos Muchas de las nuevas tecnologías que se lanzan al mercado buscan mejorar en gran medida algunos aspectos que tienen los principales sectores del mercado, en el caso de la DRAM+ quiere solucionar el gran problema que tienen las memorias actuales relacionados con la persistencia de los datos, la eficiencia energética y la velocidad. Por este motivo Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda han formado una alianza para desarrollar una arquitectura híbrida que combina estos tres aspectos al sustituir los condensadores tradicionales por elementos ferroeléctricos de óxido de hafnio. Esto resulta una gran novedad ya que resuelve un gran problema con el que se habían encontrado otras compañías que estaban tratando de desarrollar algo similar pero con otros componentes, la capacidad de almacenamiento ya que otros proyectos similares no lograban superar los megabytes en términos de capacidad. Entender el objetivo de crear una tecnología de este tipo es bastante sencillo y más con el auge de la IA, al final lo que buscan es tener una memoria extremadamente rápida que pueda almacenar datos para evitar que se pierdan cuando hay un corte eléctrico. Pero las ventajas que tiene no acaban aquí ya que como bien hemos indicado antes también son más eficientes, al eliminar los ciclos de actualización puede reducir el consumo de energía en comparación con las celdas que utilizan las DRAM convencionales. En este caso las compañías parecen querer centrar el desarrollo en un mercado específico que pueda aprovechar al máximo las ventajas de tener una memoria no volátil que además resulta extremadamente rápida. Otras empresas habían comenzado a desarrollar una tecnología similar con el objetivo de lanzarla al mercado general pero no es algo que haya llamado demasiado la atención debido a que resulta más complicado de fabricar y por lo tanto es más caro, haciendo que el usuario medio no se plantee actualizar este componente. Tanto FMC y Neumonda quieren centrarse en un ámbito en el que tenga mucho más valor el hecho de que consuman menos energía, necesiten un arranque inmediato o requieran un modelo persistente como es el caso de ciertos sectores como la inteligencia artificial, la automoción, la industria general o incluso en medicina.
Adiós a la memoria RAM y al SSD: esta tecnología lo cambia todo y ya es real
Durante décadas, la informática ha vivivo «atrapada» en una dualidad: la memoria RAM es rápida pero volátil, y la memoria NAND es persistente, pero con fecha de caducidad y bastante más lenta que la RAM. Ahora, un nuevo avance científico e industrial promete derribar esta barrera: se trata de la UltraRAM, una tecnología que combina la velocidad de la RAM y que, según sus creadores, ofrece hasta 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND. El desarrollo llega de la mano de QuInAs Technology e IQE plc, dos compañías que han trabajado codo con codo durante años para hacer realidad la UltraRAM, trasladándola desde el concepto y las pruebas de laboratorio hasta su producción industrial, que va a comenzar dentro de poco. Un futuro donde velocidad y durabilidad se fusionan Según explica el white paper publicado por QuInAs en Wiley Advanced, la clave está en el uso de semiconductores como el antimonio de galio (GaSb) y antimonio de aluminio (AlSb) junto con una compleja estructura de resonancia cuántica que permite que cada celda funcione como un interruptor casi perfecto, con unos resultados que sobre el papel son increíbles: velocidades comparables a las de la memoria RAM actual, 4.000 veces la durabilidad de la memoria NAND y una retención de datos que podría llegar hasta 1.000 años sin degradación. Por si esto fuera poco, su consumo energético es incluso más bajo. Lo realmente llamativo de todo esto es que no hablamos de un prototipo probado en laboratorio, sino de un avance certificado para escalar hacia su producción en masa. Como señaló el CEO de IQE, Jutta Meier, se ha conseguido «un proceso epitaxial escalable para UltraRAM, un hito hacia la producción industrial de chips». Su socio, James Ashforth-Pook de QuInAs, fue más contundente diciendo que «este es el punto de inflexión que marca la transición desde la investigación universitaria hasta productos reales de memoria». Las implicaciones de este avance son muy profundas, ya que en teoría la UltraRAM podría llegar a sustituir tanto a la DRAM usada en memorias RAM como a la NAND usada en SSDs, eliminando la necesidad de tener dos tipos de memoria en el sistema. Esto supondría hitos como arranque instantáneo en ordenadores y móviles, servidores que consumen mucha menos energía y dispositivos que conservan los datos incluso pasados varios siglos. Para los usuarios de a pie como nosotros, esto supondría mucha más rapidez en cualquier dispositivo y menos tiempos de espera, y para la industria, una reducción significativa de costes y consumo energético. Característica UltraRAM (Datos de estudio) DRAM (Estándar) NAND Flash (TLC/QLC) Tipo No Volátil Volátil No Volátil Velocidad (Latencia) ~15 ns 10-15 ns 50-100 µs (microsegundos) Durabilidad (Ciclos) 10^9 (mil millones) Prácticamente ilimitada ~3.000 – 10.000 Retención de Datos +1.000 años Milisegundos (requiere refresco) ~10 años Consumo Energético 100x menor que DRAM Alto (por refresco constante) Bajo en reposo, alto en escritura Sin embargo, tampoco podemos cantar victoria todavía: la transición hacia una tecnología de este calibre no depende solo de la ciencia y de que ya exista per se, sino también de factores como los costes de fabricación, la compatibilidad con arquitecturas existentes, los estándares de la industria y, por supuesto, la mayor barrera: la voluntad de los grandes fabricantes de adoptar la tecnología. Desde luego, la UltraRAM podría ser tan revolucionaria como lo fue la NAND Flash en su día, pero todavía queda un largo camino para poder comprobar si cumple con las expectativas fuera del laboratorio. Lo que sí está claro es que, por primera vez desde hace lustros, estamos ante una alternativa real que amenaza con rediseñar desde cero el ecosistema de la memoria.
SK Hynix define el futuro de la memoria: GDDR8, DDR6, 3D, PCIe 7.0 y UFS 6.0 para smartphones a partir de 2029
SK Hynix acaba de revelar su roadmap más ambicioso hasta la fecha en el SK AI Summit 2025, una que extiende su visión tecnológica nada menos que hasta 2031. El fabricante surcoreano ya no habla solo de aumentar la densidad o la velocidad, sino de una evolución completa en torno a la Inteligencia Artificial y el PC gaming. En ese recorrido, la compañía separa claramente dos etapas: una transición agresiva entre 2026 y 2028 y una fase de consolidación entre 2029 y 2031, donde aparecerán las memorias y SSD de nueva generación. ¿Qué nos traerá el flamante nuevo líder de la industria de la memoria a nivel mundial? Dicha hoja de ruta se divide en dos bloques muy claros, con una transición en el medio de ellos donde no se esperan grandes cambios. Por ello, haremos lo propio y trataremos este artículo en dos partes para comentar las novedades que nos traerán los surcoreanos a partir del año que viene. SK Hynix muestra su nuevo roadmap hasta 2031 con grandes novedades, comenzando ya en 2026 La primera parte del plan, correspondiente a los años 2026 a 2028, marca el salto definitivo a la era HBM4 y LPDDR6. SK Hynix planea desplegar módulos HBM4 de hasta 16 capas y variantes HBM4E de 8, 12 y 16 capas destinadas a entornos de alto rendimiento, claramente para IA en concreto. En paralelo, desarrollará versiones personalizadas (Custom HBM4E) para clientes específicos del segmento de IA y supercomputación, léase NVIDIA, HBM y posiblemente Intel. En la memoria convencional aparece la LPDDR6 como nuevo estándar para portátiles y móviles, acompañada por LPDDR5X SOCAMM2, MRDIMM de segunda generación y versiones con procesamiento integrado (LPDDR6-PIM), muy esperadas, por ejemplo, por Apple. También se suma la segunda generación de CXL, la interfaz que unifica CPU, GPU y memoria en un mismo espacio coherente, clave para los centros de datos del futuro, y que promete no solamente más rendimiento, sino más coherencia y una mejor eficiencia. El almacenamiento tampoco se queda atrás: los SSD PCIe Gen 5 con capacidades de hasta 245 TB en formato QLC darán paso a modelos PCIe Gen 6 y a soluciones compactas cSSD, junto con memorias UFS 5.0 para dispositivos móviles. SK Hynix integrará además una línea de productos denominada AI-N D, pensada para unidades con soporte de aprendizaje automático a nivel de firmware y gestión predictiva del almacenamiento. Es la antesala del salto al almacenamiento realmente inteligente, donde los algoritmos optimizan la distribución de datos en tiempo real gracias a la IA. El futuro es inminente y traerá grandes novedades para terminar esta década y comenzar la siguiente El segundo bloque de la hoja de ruta, de 2029 a 2031, dibuja un futuro todavía más disruptivo. La protagonista es la llegada de la HBM5 y HBM5E, tanto en versión estándar como personalizada, que elevarán el ancho de banda y la eficiencia a niveles pensados para aceleradores de IA y GPU de nueva generación. En paralelo, la memoria convencional se renovará con GDDR7-Next, lo que ya se ha entendido entre analistas como la futura GDDR8, que irá precedida de la GDDR7X al parecer. Por otro lado, tendremos el debut de la DDR6 y 3D DRAM, todas enfocadas en aumentar la densidad y reducir la latencia en PC Gaming. SK Hynix anticipa además la tercera generación de CXL y un nuevo paradigma denominado PIM-Next, que integrará el procesamiento directamente dentro de la memoria. Como ya vimos con la LPDDR6-PIM. El almacenamiento experimentará un avance similar con los primeros SSD PCIe Gen 7 y chips NAND de más de 400 capas, una cifra que hoy parece ciencia ficción. También veremos unidades UFS 6.0 para móviles y dos familias emergentes bajo las siglas AI-N P (Storage Next) y AI-N B (HBF), que convertirán el almacenamiento en un sistema activo de análisis y distribución de datos. Por lo tanto, este roadmap hasta 2031 sitúa a SK Hynix como el actor que más lejos proyecta su desarrollo en memoria y almacenamiento, muy por delante de Samsung y Micron, evidenciando porqué está liderando el sector ahora mismo. Si se cumple, la compañía no solo acompañará la evolución del hardware de Inteligencia Artificial, sino que podría adelantarse a ella. Será interesante ver si Samsung y Micron siguen un calendario similar o si, por primera vez en años, SK Hynix marca el ritmo tecnológico en cuanto a innovación en todas las áreas y para toda la industria.
Que significa PC3 12800s?
¿Qué significa PC3 12800s? Memoria Kingston La memoria DDR3-1600 tiene una clasificación del módulo para PC3-12800, lo que efectivamente significa que la velocidad de transmisión de datos pico del módulo es de 12,8GB/seg (ver tabla). Esto representa casi el 17% de mejora para el ancho de banda de la memoria en relación a la DDR3-1333. ¿Qué es PC3 10700? eso de «10600», «10666» y «10700» representa el pico maximo del ancho de banda y bueno siendo que se tienen 8bits por Byte, esos numeros surgen de esta multiplicacion: 1333×8=10664 (1600×8= 12800 o PC3-12800 para las 1600mhz), pero al final depende de cada fabricante la forma en que representa/nombra a la DDR3 1333mhz … ¿Qué son las memorias DDR3? – Definición de memoria DDR3 / DDR3 memory / dual data rate memory 3/ SDRAM DDR3: tecnología de almacenamiento electrónico aleatorio lanzada comercialmente en 2008, la cuál se conforma por una tarjeta plástica rectangular con medidas típicas de 133.35 mm X 31.75 mm X 1 mm., 240 terminales distribuidas en ambos lados … ¿Qué significa las letras de la memoria RAM? La memoria RAM (random access memory) o memoria de acceso aleatorio es un tipo de memoria volátil que permite almacenar datos e instrucciones de forma temporal mientras que el sistema hace uso de ella. Una vez dejan de usarse, esos datos desaparecen. ¿Qué es la frecuencia de las memorias RAM? Frecuencia de la RAM (MHz) La frecuencia de la RAM funciona a partir de los ciclos de reloj. Cada lectura y escritura se realiza en un ciclo. La RAM se mide por el número de ciclos por segundo que puede realizar. Por ejemplo, si la RAM está clasificada a 3200 MHz, realiza 3.200 millones de ciclos por segundo. ¿Cómo saber cuál es la frecuencia de una memoria RAM? Sus frecuencias fluctúan entre 800 MHz (el estándar PC4-12800), 933 MHz (el estándar PC4-14900), 1066 MHz (el estándar PC4-17000), 1200 MHz (el estándar PC4-19200), 1333 MHz (el estándar PC4-21300), y 1600 MHz (el estándar PC4-25600). ¿Cómo interpretar los datos de una memoria RAM? El segundo método es pulsar a la vez Control + Shift + Esc. Entrarás en el Administrador de tareas, donde tienes que ir a la pestaña Rendimiento y pulsar en Memoria. Verás la cantidad de memoria RAM que tienes, y también otra información útil como su velocidad, cuántas ranuras tiene y el factor de forma. Tasa de transferencia máxima de la memoria RAM Las memorias RAM son componentes electrónicos que ejecutan comandos al ritmo de un reloj cuya frecuencia es del orden del GHz. La tasa de transferencia máxima de las memorias RAM depende de esta frecuencia y del número de comandos ejecutados en cada ciclo de reloj. Las memorias DDR actuales permiten realizar dos comandos o transferencias de datos en cada ciclo. De hecho, el acrónimo DDR significa “Double Data Rate” en inglés, es decir “doble tasa de transferencia de datos”. Por ejemplo, si la frecuencia de la memoria DDR es 1600 MHz, puede realizar 2 × 1600 = 3200 millones de transferencias por segundo. Esta tasa de transferencia se expresa en MT/s (millones de transferencias por segundo) y aparece generalmente en las especificaciones de las memorias RAM. Se confunde a menudo con la frecuencia real de la memoria expresada en MHz. Por ejemplo, un módulo de memoria DDR4-3200 puede realizar 3200 millones de transferencias por segundo (3200 MT/s) y su frecuencia es 1600 MHz. Las memorias DDR4 utilizan un bus de 8 bytes (64 bits) para la transferencia de datos, por lo que su velocidad máxima en bytes por segundo será igual a ocho veces el número de transferencias por segundo. Por lo tanto, la velocidad máxima de un módulo de memoria DDR4-3200 será de 8 × 3200 millones de bytes por segundo, o 25600 MBytes/s. Esta información se encuentra a menudo en los nombres de los módulos de memoria RAM, así por ejemplo un módulo de memoria DDR4-3200 se llama a veces también PC4-25600. Los nombres utilizados por la industria redondean a veces la velocidad máxima para simplificar; así, el número de transferencias por segundo de la memoria RAM DDR4-2933 es 2933 MT/s, pero en su nombre su velocidad máxima se redondea a 23400 MB/s (en lugar de 23466,66 MB/s). La tabla siguiente contiene la velocidad, la tasa de transferencia de datos, la frecuencia y el nombre de los módulos de memoria más comunes. Frecuencia Tasa de Transferencia Velocidad Nombre 1066.66 MHz 2133.33 MT/s 17067 MB/s DDR4-2133 / PC4-17000 1200.00 MHz 2400.00 MT/s 19200 MB/s DDR4-2400 / PC4-19200 1333.33 MHz 2666.67 MT/s 21333 MB/s DDR4-2666 / PC4-21300 1466.67 MHz 2933.33 MT/s 23467 MB/s DDR4-2933 / PC4-23400 1500.00 MHz 3000.00 MT/s 24000 MB/s DDR4-3000 / PC4-24000 1600.00 MHz 3200.00 MT/s 25600 MB/s DDR4-3200 / PC4-25600 1733.33 MHz 3466.67 MT/s 27733 MB/s DDR4-3466 / PC4-27700 1800.00 MHz 3600.00 MT/s 28800 MB/s DDR4-3600 / PC4-28800 2000.00 MHz 4000.00 MT/s 32000 MB/s DDR4-4000 / PC4-32000 2066.67 MHz 4133.33 MT/s 33067 MB/s DDR4-4133 / PC4-33000 2133.33 MHz 4266.67 MT/s 34133 MB/s DDR4-4266 / PC4-34100 2200.00 MHz 4400.00 MT/s 35200 MB/s DDR4-4400 / PC4-35200 2250.00 MHz 4500.00 MT/s 36000 MB/s DDR4-4500 / PC4-36000 2300.00 MHz 4600.00 MT/s 36800 MB/s DDR4-4600 / PC4-36800 2400.00 MHz 4800.00 MT/s 38400 MB/s DDR4-4800 / PC4-38400 2550.00 MHz 5100.00 MT/s 40800 MB/s DDR4-5100 / PC4-40800 Como regla general, cuanto mayor sea su velocidad máxima, más rápida será la memoria y mayor será su precio. Tenga en cuenta que las velocidades más rápidas no son siempre compatibles con todos los microprocesadores. Es importante consultar las especificaciones técnicas de la CPU y de la placa base para verificar cuál es la velocidad de memoria máxima admitida antes de comprar una memoria ultra-rápida. Algunos pares de microprocesador / placa base admiten a veces velocidades más altas que las documentadas, los foros que tratan del overclocking de estos componentes le proporcionarán más información sobre este tema. Arquitectura interna de las memorias DDR4 Antes de ver unas características adicionales, es importante entender la arquitectura interna de las memorias DDR4. Cada bit de información de la memoria se almacena
SK hynix Chips DDR5 «A-Die» de 3 GB de segunda generación detectados, clasificados para 7200 MT / s
Una nueva generación de chips de memoria SK hynix DDR5 ha aparecido en línea, lo que marca el debut de los circuitos integrados de matriz A de 3 GB de segunda generación. Mostrado por primera vez por Kevin Wu de Team Group en Facebook, el chip lleva la marca X021 y el código de pieza «AKBD». Según el filtrador @unikoshardware, la etiqueta X021 lo identifica como el sucesor del chip M de 3 GB utilizado en los primeros módulos DDR5. Basado en el esquema de binning interno de SK hynix, la designación «KB» en AKBD probablemente corresponde a una velocidad JEDEC nativa de 7200 MT/s siguiendo la progresión establecida por la compañía desde «EB» (4800 MT/s) hasta «HB» (6400 MT/s). Este nuevo contenedor sugiere que SK hynix está preparando circuitos integrados DDR5 más rápidos dirigidos a las plataformas Intel de próxima generación, y se espera que Panther Lake y Arrow Lake Refresh admitan hasta DDR5-7200. Según los informes, la muestra que se muestra utiliza una PCB de 8 capas, lo que podría limitar el margen para un overclocking extremo más allá de 8000 MT / s. Para aprovechar al máximo el potencial del nuevo A-die, se espera que los fabricantes pasen a PCB de 10 o 12 capas para una mayor integridad de la señal. Si bien SK hynix aún no ha presentado oficialmente la pieza, esta aparición temprana del AKBD de 3 GB A-die insinúa que la producción ya puede estar en marcha. Para agregar algo de contexto, Samsung reinaba en los días de DDR4 con módulos de memoria de gama alta que casi siempre tenían los chips B-die seleccionados a mano por Samsung. Sin embargo, las cosas han cambiado en el mundo de la DDR5 con SK hynix tomando la delantera con sus chips A-die y M-die acaparando toda la atención.
OpenAI amarra memoria y centros en Corea con Samsung y SK Hynix
La capital surcoreana ha sido escenario de una ronda de encuentros en la que OpenAI, Samsung y SK Hynix han alineado intereses para su macroiniciativa de centros de datos, conocida como Stargate. En esos contactos, se plasmó por escrito un objetivo que destaca por su envergadura: producir hasta 900.000 obleas de DRAM al mes y reforzar la construcción de infraestructuras de IA en el país. Las partes describen el paquete como una combinación de acuerdos preliminares de suministro de memoria y evaluaciones para nuevos emplazamientos. El mensaje es claro: Corea del Sur aspira a consolidarse entre los líderes en inteligencia artificial, mientras que OpenAI busca asegurar capacidad industrial y energética para sus próximos modelos. Una meta de producción que puede tensar la cadena de memoria Las obleas son discos de silicio sobre los que se fabrican chips; de cada una se obtienen numerosos circuitos que terminan siendo módulos DRAM o pilas HBM de alto rendimiento para servidores y centros de datos. El listón fijado contrasta con el mercado actual. Estimaciones del sector sitúan la capacidad global de obleas DRAM de 300 mm en torno a 2,07 millones mensuales en 2024, con una subida hacia 2,25 millones en 2025. Alcanzar 900.000 equivaldría a cerca del 39% de toda esa capacidad, una escala que ningún fabricante individual cubre por sí mismo y que ilustra la ambición del plan. La diferencia entre inferencia y entrenamiento ayuda a entender la cifra. Para entrenar modelos de nueva generación se agrupan miles de aceleradores, cada uno acompañado de grandes cantidades de memoria rápida, además de sistemas de refrigeración y potencia eléctrica a gran escala. De ahí que asegurar suministro de obleas no parezca un exceso, sino un requisito para la siguiente oleada de modelos. Al mismo tiempo, desde la industria se apunta que la demanda vinculada a Stargate podría superar ampliamente la capacidad mundial actual de HBM, reforzando el liderazgo de los grandes productores y empujando a toda la cadena de valor a invertir. Memorandos, actores implicados y nuevos centros en Corea Los documentos firmados recogen compromisos iniciales para ampliar la producción de memoria y evaluar nueva infraestructura en Corea del Sur. En ese frente, Samsung SDS participaría en el desarrollo de centros de datos, mientras que Samsung C&T y Samsung Heavy Industries estudiarían diseño y construcción. El Ministerio de Ciencia y TIC valora ubicaciones fuera del área metropolitana de Seúl y SK Telecom ha acordado analizar un emplazamiento en el suroeste del país. En paralelo, ambas compañías sopesan integrar ChatGPT Enterprise y capacidades de API en sus operaciones para optimizar flujos de trabajo e impulsar la innovación interna. El proyecto Stargate se apoya en una alianza con SoftBank, Oracle y la firma de inversión MGX, que contempla destinar 500.000 millones de dólares hasta 2029 a infraestructura de IA, con el foco puesto en Estados Unidos y efectos colaterales en ecosistemas como el surcoreano. Conviene subrayar que se trata, por ahora, de cartas de intención y memorandos: la ambición es alta, pero faltan detalles clave por cerrar. Los riesgos no son menores: posibles cuellos de botella en HBM/DRAM, necesidades eléctricas de varios gigavatios, permisos y la coordinación de proyectos con múltiples actores. El músculo de cómputo y el giro estratégico de OpenAI OpenAI viene tejiendo alianzas para elevar su capacidad de cómputo. Con Oracle y SoftBank prepara varios centros de datos de gran escala que aportarían gigavatios de potencia, mientras que NVIDIA ha anunciado inversiones de hasta 100.000 millones de dólares y el acceso a más de 10 GW mediante sus sistemas de entrenamiento. La relación con Microsoft ha sido decisiva: los desembolsos iniciales de 1.000 millones y posteriores de 10.000 millones dieron acceso a Azure, clave para entrenar modelos que impulsaron el auge de ChatGPT. Ahora, OpenAI avanza hacia infraestructuras con mayor control directo para reducir dependencia de un único proveedor. El ecosistema surcoreano también explora fórmulas novedosas junto a OpenAI, desde colaboraciones de diseño hasta conceptos como centros de datos flotantes, con el objetivo de acelerar la implantación de infraestructuras resilientes y eficientes. El mercado reaccionó con alzas notables tras los anuncios: Samsung subió en torno al 4%-5% hasta máximos de varias anualidades, mientras que SK Hynix rebotó cerca del 10% y el índice KOSPI superó los 3.500 puntos por primera vez. En conjunto, los movimientos añadieron decenas de miles de millones a su capitalización. Analistas del sector consideran que el empuje de Stargate disiparía temores sobre una caída inminente de precios en memoria HBM y podría actuar como catalizador para proveedores de equipamiento como ASML, dada la elevada demanda ligada a chips de memoria avanzada. El panorama que se abre combina ambición industrial y prudencia operativa: los memorandos dibujan una hoja de ruta que, si se materializa, aseguraría a OpenAI un caudal de memoria y nuevas instalaciones en Corea del Sur, mientras Samsung y SK Hynix afianzarían su papel en la carrera global por la IA; todo ello pendiente de cómo evolucionen la capacidad de producción, la energía disponible y los ritmos regulatorios.
Memoria y almacenamiento, al límite: la ola de IA vacía el “granero” de DRAM, NAND, SSD y HDD y dispara los precios
La industria de la memoria vive una situación inédita: DRAM, NAND Flash, SSD y discos duros se han quedado simultáneamente en mínimos. Lo que durante meses se temió como un ciclo alcista sostenido ha desembocado en escasez generalizada que ya se nota en contratos y precios de contado, y que amenaza con trasladarse a lineales y presupuestos de hogares y pymes en las próximas semanas. La confirmación más contundente llega desde Adata, referente mundial en módulos de memoria. Su presidente, Simon Chen, resumió el momento con una imagen gráfica: el “granero” de los fabricantes está prácticamente vacío y los grandes proveedores de nube (CSP) —OpenAI, AWS, Google, Microsoft— han pasado a ser los competidores reales de los ensambladores y distribuidores tradicionales a la hora de asegurarse suministro. Nunca —dice— había visto en 30 años una escasez simultánea de las cuatro familias principales de memoria y almacenamiento. Qué está ocurriendo: cuatro mercados apretados a la vez El diagnóstico de Adata es claro: los CSP firman contratos masivos de servidores de IA por importes milmillonarios y arrastran consigo una demanda explosiva de HBM/DRAM y almacenamiento. El resto de clientes —PC, pymes, integradores locales, incluso parte del canal— reciben menos y más tarde. Cuándo se notará (y dónde) Aunque el consumidor aún puede encontrar producto en tienda, ese stock es el que ya estaba en los almacenes. Donde ya escasea es upstream: fabricantes (FAB) y distribuidores con inventarios reducidos a 2–3 semanas —cuando lo habitual eran 2–3 meses—. Adata habla de “vender con moderación y priorizar a los clientes clave”, a la espera de reposiciones. El traslado a precio está en marcha. Un kit DDR5 de 32 GB que a principios de año rondaba los 85 dólares supera ya los 120 en múltiples mercados. En el canal profesional, los contratos de DDR4/DDR5 apuntan a +20–30 % y el spot va por delante. En SSD la inercia es similar: si HDD se aprieta, NAND se recalienta. Por qué ahora: el “nuevo ciclo” de la memoria La memoria era, históricamente, un negocio de ciclos de 3–4 años: épocas de fuerte inversión, sobreoferta, bajada de precios, limpieza de inventarios y posterior recuperación. La IA ha cambiado las reglas. Según Adata, el alza se ha prolongado y desacoplado de ese patrón. El margen está en las líneas de valor (HBM para GPU, DDR5 densa para servidor), y ahí es donde se ancla la capacidad. No es solo una cuestión de capex: reabrir una línea de DDR4 no es trivial ni tiene sentido económico si la demanda más rentable está en otra parte. Esa es la asimetría: la base instalada fuera de hiperescala necesita componentes “anteriores”, pero el futuro del margen vive en HBM/DDR5 y NAND para cargas de IA. Consecuencias prácticas: del CPD a la pyme, pasando por el PC gaming El efecto dominó: cuando el HDD aprieta, el SSD se encarece La escasez en HDD —por prudencia de pedidos y inventarios depurados— impulsa a muchos clientes a acelerar migraciones a SSD, pero eso retroalimenta la tensión en NAND. Aunque varios fabricantes han anunciado expansiones de 15–30 %, la realidad industrial (equipos, sala blanca, ramp-up, rendimiento) hace que el alivio no llegue a corto plazo. Entre tanto, algunos compradores aseguran cupos trimestrales o anuales, lo que rigidiza aún más la disponibilidad para el canal abierto. El punto de no retorno para DDR4 El caso de DDR4 es paradigmático. Con líneas paradas o reducidas al mínimo, la oferta solo atenderá contratos heredados. Adata habla de escasez estructural y de “primar” clientes críticos. Para quienes mantienen infraestructuras o PC que dependen de DDR4, el mensaje es inequívoco: blindar ahora capacidad y repuestos puede evitar costes y paradas mayores dentro de unos meses. ¿Qué pueden hacer las empresas? 1) Auditoría de inventario y necesidades reales (90 días / 12 meses).Mapear consumos, plazos de renovación, picos estacionales y SLA internos. En CPD, evaluar consolidación de cargas y despliegues diferidos. 2) Estrategias de compra más largas.Donde sea posible, contratos a varios trimestres para asegurar cupo y precio. En pymes, trabajar con distribuidores que ofrezcan backorder y asignación. 3) Flexibilidad técnica.Explorar mix de capacidad/frecuencias en DRAM, perfiles RDIMM/LRDIMM según plataforma, y en almacenamiento combinar SSD TLC/QML con políticas de datos (tiering, cold storage en HDD cuando haya). 4) Eficiencia de software.Optimizar memoria en aplicaciones, compresión, paginación, deduplicación en hipervisores y gestión de cachés. La eficiencia puede liberar GB que hoy son oro. 5) Planes de contingencia.Para sistemas críticos, stock de seguridad y rotación de módulos; para oficinas, reutilización planificada (p. ej., mover DDR5 nueva a equipos clave y reciclar módulos a puestos menos críticos). Y los consumidores, ¿qué pueden hacer? Un mercado que ya no funciona como antes Para Adata, la nueva normalidad es que los CSP “no cancelan” y compiten con una escala cien veces mayor que los clientes tradicionales: así se prioriza capacidad y precio. La consecuencia es una reconfiguración del precio relativo de la memoria y el almacenamiento, con una fase alcista que se alarga más allá de lo habitual. En paralelo, el canal se vuelve más selectivo: “vender con moderación” y “apoyar a clientes principales” son instrucciones que revelan hasta qué punto la escasez se gestiona a mano. ¿Cuándo podría normalizarse? Aun con expansiones del 15–30 % en marcha, los tiempos de puesta en producción de nuevas líneas y los cambios de mix de producto hacen pensar en plazos largos: no habrá respiro inmediato. El ajuste dependerá de tres factores: Mientras tanto, el mercado retail resistirá con lo que hay en almacenes. Pero si la demanda de hiperescala no afloja, la tensión bajará por la cadena hasta las estanterías. Preguntas frecuentes ¿Por qué escasean a la vez DRAM, NAND, SSD y HDD?Porque la demanda de IA ha arrastrado capacidad hacia HBM y DDR5 de alto margen, dejando DDR4 en mínimos. La prudencia en pedidos de HDD empuja a muchos clientes a SSD, que a su vez tiran de NAND. Con inventarios bajos y plazos de expansión de >2,5 años, las cuatro familias quedan tensionadas a la vez. ¿Subirán más los precios de DDR4 y DDR5?Según Adata, los contratos DDR4/DDR5 ya reflejan +20–30 % entre finales de 2025 y primer semestre de 2026, con spot aún más alto. En DDR4 la escasez es estructural por la parada de líneas; en DDR5 el alza es más moderada, pero real. ¿Tiene sentido comprar ahora RAM o SSD?Si hay necesidad real (equipo de trabajo, servidor, ampliación urgente), sí: el riesgo de más subidas y falta puntual de stock es alto. Si es una compra discrecional, conviene comparar y valorar el cambio de plataforma para no invertir en componentes con oferta menguante (caso de DDR4). ¿Cuándo se normalizará el suministro?Aunque hay planes de +15–30 % de capacidad, el ramp-up industrial tarda más de 2,5 años. La normalización dependerá de cómo evolucione la demanda de centros de datos de IA y de la priorización de los fabricantes entre HBM/DDR5 y el resto de líneas. A corto plazo, no se espera alivio significativo.
ADATA y MSI lanzan el primer módulo de memoria DDR5 CUDIMM de 4 rangos del mundo
ADATA y MSI han presentado el primer módulo DDR5 CUDIMM de 4 rangos del mercado, una apuesta conjunta con la que ambas compañías quieren dar un salto importante en capacidad para los equipos de sobremesa. Módulo DDR5 de 4 rangos: el doble de capacidad en el mismo espacio ADATA ha anunciado hoy esta colaboración con MSI, que aprovechará una de sus placas base basada en la plataforma Intel Z890 para poder exprimir al máximo el rendimiento de este nuevo hardware. El nuevo ADATA High Capacity DDR5 4-Rank CUDIMM utiliza una arquitectura de cuatro rangos que duplica la capacidad frente a los módulos habituales de dos rangos. La tecnología CUDIMM de ADATA se mantiene intacta, garantizando una baja latencia y una gran eficiencia en transferencia de datos, incluso en las condiciones más exigentes a las que puede enfrentarse. Está orientado a equipos que requieren gran cantidad de memoria, por lo que es una opción ideal para equipos profesionales o centros de datos, lo que deja claro que han mirado al emergente mercado de la IA. ADATA confirma además que el módulo funciona de forma estable a 5600 MT/s tras superar pruebas de validación y estrés en las futuras placas MSI Z890. De hecho, estas configuraciones permiten alcanzar hasta 256 GB en plataformas de dos DIMM (con 128 GB por módulo), combinando un rendimiento elevado y una gran capacidad para estaciones de trabajo. Aunque los jugadores más exigentes podrán beneficiarse de la combinación de velocidad y capacidad, este nuevo módulo apunta sobre todo a usuarios que necesitan trabajar con modelos de IA, edición de vídeo a gran escala, renderizado, análisis de datos locales o inferencia sin conexión. Con más margen de memoria, es posible mover proyectos complejos sin interrupciones y con una fluidez notable. Por tanto, la llegada del primer DDR5 CUDIMM de 4 rangos deja claro una vez más que las empresas están apostando por un hardware orientado a exprimir la inteligencia artificial al máximo, algo que ya se está pudiendo ver tanto en módulos de memoria RAM como el presentado, o en SSD.
